실리콘웨이퍼의 전기적특성 변화

소개글

실리콘 웨이퍼를 전기로에서 900, 1000,1200 도 열처리를 통하여 산화막형성 을 통해 전기적 특성을 변화시키는것 으로서, Si device에서의 산화막은 이온주입 및 불순물 확산공정에서 선택마스 킹(selective masking)효과, 표면안정화(surface passivation), 표면유 전성(surface dilectric) 등 device의 구성성분으로 이용되고 있다. 따라서 Si wafer를 전기로를 이용하여, 온도의 변수를 두어, 열처리 시 킴으로서 얼마의 순도와 얼마나 균일한 산화막, 질화막, 산화질화 막이 성장했는가를 알아보고, 그에 따른 막의영향과 온도의 영향에 따라 전기적특성이 어떻게 변하는지 알아보고, 응용 방법의 모색을 목적으로 한다.

목차

1. 설계목표
2. 재료의 특성 및 이론
3. 설계방법
4. 결과예상
5. 결과및 고찰

본문내용

(1) 전기적 특성에 따른 분류
단결정 성장 과정에서 쓰이는 dopant의 종류에 따라 P-type 과 N-type으로
나뉘 어지게 된다
* P-type : dopant - Boron
* N-type : dopant - Phosphorus, Antimony
(2) 방향성 (Orientation)에 따른 분류:
방향성 역시 단결정 성장시에 사용되는 seed에 의해 결정되며
통상 , 이 주로 쓰인다.
(3) 웨이퍼 직경에 따른 분류:
반도체 산업의 발전과 함께 wafer의 size도 대형화되는 추세이다.
현재는 소자 제조용으로는8 inch silicon wafer가 주종을 이루는 가운데
12 inch가 개발되고 있는 추세이다.
제품으로는, 2 inch, 3 inch, 4 inch, 5 inch, 8 inch,12 inch가 있다.
(4) 추가 공정에 따른 분류:
기존의 silicon wafer에 추가 공정을 함으로써 단점을 보완하고
특성을 향상시킨 것들로서 여러 가지 방법들이 쓰이고 있다.
- SOI wafer : 2장의 wafer를 산화막으로 결합시킨 wafer
- Epitaxial wafer : 기존 wafer표면에 CVD법을 이용,
새로운 단결정실리콘을 증착시킨 wafer
- Simox wafer : 기존 wafer에 산소를 implantation하여 산화막을 형성한 wafer

참고 자료

없음