MOSFET 에 대한 실험 보고서

소개글

전자 회로 (Micro circuit)의 실험보고서로서
MOSFET 에 대한 실험.

MOSFET의 기본적인 특성 (V와 I의 관계) 와 Current Mirror 써킷에 대한 실험.
보고서는
회로도와, 실험결과, 그리고 Pspice 시뮬레이션 결과가 그림의 형태로 있고,
그에 따른 analysis(분석)들이 들어있다.

조별 실험 보고서의 하나로
9.5 / 10 점 받은 리포트

목차

Lab 6.1 Id-Vds characteristics of a practical FET.
Lab 6.2 Basic Current Mirror.

본문내용

Goal : To explore the Id - Vds characteristics of a practical FET.
Find the Id - Vds curve of FET (IRF 510)
Analysis:
Divide the saturation region and the triode region using graph.
Above is experiment circuit. I changed the Vgs and Vds values. Vgs starts from 0V to 20V with 1V steps. For the Vds, it changed from 3V to 3.7V with 100mV steps.
Triode region
Below one is result graph.
Approx. 1V
Saturation region
Triode region is when the Vgs value is above Vt value, and Vgs Vt Vds. In the graph, we can intuitively recognize where the saturation region starts. It is the right side of vertical ld line. Before the saturation region, which is left side of the vertical line, is triode region as indicated in the picture. As we set each step as 1V for Vds, it is not possible to judge the exact saturation point.

참고 자료

없음