BJT 에 대한 실험 보고서

소개글

전자 회로 (Micro circuit)의 BJT 에 대한 실험 보고서로
BJT의 기본 특성들에 다한 실험 보고서

기본적인 I-V 특성에 대한 실험 결과임.

회로도, 실험결과, Pspice 시뮬레이션 결과가 그림의 형태로 저장,
그에 따른 분석이 함께 있음.

조별 실험 보고서의 하나로
9.8 / 10 점 받은 보고서

목차

없음

본문내용

Analysis:
1) Find approximately the value of turn on voltage VBEon for case a).
From the graph, we can see that between 700mV and 800mV, the increment of IB started. The increase of IB means that pn junction is forward biased and let the current flow because the VBE voltage is higher than the VBEon voltage. From the numerical value shown below, the noticeable increment occurs around 750mV. Therefore, turn on voltage VBEon is approximately 750mV.
2) Find approximately the beta(current gain, VCE = 5V, Ic≈20mA), using the measured result for case b)
The current gain ß can be calculated using IC / IB. From the numerical result shown below, we can see that the 11th list shows VCE = 5V, and IC ≈ 20mA. Because I set the starting point as 10uA and step size as 10uA, the 11th IB is 110uA. Hence, the current gain ß is IC / IB = 20mA / 110uA = 181.82

참고 자료

없음