트랜지스터 회로(Transistor circuit) 오실로스코프 실험 결과레폿
- 최초 등록일
- 2008.12.23
- 최종 저작일
- 2008.10
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소개글
여러종류의 트랜지스터회로를 꾸민후 작성한 결과레포트입니다.
큰 주제 밑에 소주제 여러개로 나뉘어 있습니다.
소주제 1. 이론
2. 사용한 시료
3. 예비결과 - matlab으로 그래프작성, 결과값 계산
4. 결과값 - 오실로스코프
5. 오차와 오차의 원인
목차
2. Transistor Circuits
2.1) Example 3.3 on Page 141
1. 이론
2. 사용한 시료
3. 예비결과 - matlab으로 그래프작성, 결과값 계산
4. 결과값 - 오실로스코프
5. 오차와 오차의 원인
2.2) Example 3.5 on page 144
1. 이론
2. 사용한 시료
3. 예비결과 - matlab으로 그래프작성, 결과값 계산
4. 결과값 - 오실로스코프
5. 오차와 오차의 원인
2.3) Example 3.10 on Page 157
1. 이론
2. 사용한 시료
3. 예비결과 - matlab으로 그래프작성, 결과값 계산
4. 결과값 - 오실로스코프
5. 오차와 오차의 원인
본문내용
2.1) Example 3.3 on Page 141
1. Circuits design and experiment sample
Sample
Transistor : MOSFET Transistor
Resistor : 10kΩ, 100 Ω, 500 Ω
Direct voltage : 10V
MOSFET Transistor FQU4p25
250V P-channel MOSFET
〖V_t〗_h (Gate to Source leakage current)
min〖: -3〗 / max : 5
(in invertor,
K_n (=G_fs Forward Transconductance)
2.0
2. calculation value
V_G=V_GS=(R_2/(R_1+R_2 )) V_DD=500Ω/(100Ω+10000Ω)*10V=0.4950
Vrms = 0.707 VP
∵ V_G=0.3500
Assuming the transistor is biased in the saturation region, the drain current is
I_D=K_n (V_GS-V_TN )^2=2*(0.4950-0.36)=0.2700
V_DS=V_DD-I_D R_D=10-(0.27*0.1)=9.9730
Vrms = 0.707 VP
∵V_DS=7.0509
참고 자료
없음
