MOSFET트랜지스터의 전압 전류 특성실험 결과보고서

소개글

MOSFET트랜지스터의 전압 전류 특성실험 결과보고서입니다.

목차

1. Introduction
2. Problem Statement
• 디바이스 확인
E1.1 PMOS 소자 파라미터 측정
E1.2 NMOS 소자 파라미터의 측정
• 증폭기의 기능
E2.1 디바이스 상호 컨덕턴스
E2.2 신호 왜곡
3. Implementation
4. Result
• 디바이스 확인
E1.1 PMOS 소자 파라미터 측정
E1.2 NMOS 소자 파라미터의 측정
• 증폭기의 기능
E2.1 디바이스 상호 컨덕턴스
E2.2 신호 왜곡
5. Conclusion & Evaluation

본문내용

1. Introduction
이번 실험에서는 신호증폭에서 디지털 논리와 메모리 회로의 설계에 이르는 다양한 응용에서 사용될 수 있는 MOSFET에 대하여 배웠다. MOSFET은 직접 회로 설계에 가장 널리 사용되는 전자소자로 BJT에 비해서 아주 작게 만들 수 있고 제조 공정이 상대적으로 간단 하다 비교적 적은 전력으로 동작 한다 라는 장점이 있고 이러한 장점과 함께 BJT와 대조되는 아주 큰 장점인 게이트로 전류가 흐르지 않는 장점이 있다
이번 실험에서는 NMOS와 PMOS가 합쳐진 IC회로로 실험을 수행 하였고 첫 번째로 MOS에서 중요한 Parameter인 와 k를 빠르게 구하는 방법을 배웠다 이 Parameter는 MOSFET을 공정할 때 결정지어지는 것으로 이 두가지 Parameter를 알면 를 통해 를 알 수 있기 때문에 구성된 회로의 MOSFET의 전달 특성이 어떤지 쉽게 알아낼 수 있다. 이것을 빠르게 측정하는 법을 배워 회로를 보았을 때 MOSFET의 전달 특성을 손쉽게 알아내는 것이 중요하다고 생각했다.
두 번째로 증폭기로 사용되는 MOSFET에서 소신호 트랜스 컨덕턴스인 을 측정하는 방법 그리고 신호 증폭에서 왜곡이 발생하는 부분을 알아볼 수 있었다. 은 MOSFET에 소신호 전압이 인가될 때 어느정도의 전류가 흐르는지를 알 수 있는 Parameter이고 이를 알아야 증폭기로의 특성을 알 수 있으므로 매우 중요하다. 대 신호 왜곡실험은 MOSFET 또한 BJT와 마찬가지로 선형적으로 사용할 수 있는 입력의 범위는 제한되어 있으며 이는 회로를 설계할 때 심각하게 고려해야하는 점이므로 두가지의 실험 모두 중요하다고 생각한다.
MOSFET을 이용해 실험을 해봄으로써 MOSFET에 익숙해 지는것과 그동안에 배워왔던 이론들과 어떻게 다른지 그리고 실제 회로를 구성했을 때 MOSFET의 성능은 어느 정도인지, 어떻게 이용해야 할 것 인지를 배우게 된 실험이라 볼 수 있겠다.

참고 자료

없음