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트랜지스터의 스위칭동작 & 바이어스 결과

*세*
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최초 등록일
2009.02.24
최종 저작일
2007.05
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소개글

트랜지스터의 스위칭동작 & 바이어스 결과를 토대로 쓴 결과보고서 입니다.
만족하실겁니다.

목차

트랜지스터의 스위칭 동작 / 바이어스
1.모의 실험 및 실험 결과

본문내용

2.실험 결과 검토
- 이번 실험은 트랜지스터의 차단과 포화성질을 이용한 스위칭 동작과 트랜지스터의 직류 바이어스 회로에 대한 실험을 하였다.

- 그림 7-4의 실험에서는 두 개의 전원을 이용하여 한쪽 트랜지스터로 들어가는 베이스 전압을 제어하여 스위칭 동작을 구현하는 실험이다.
- 이때 아래쪽 트랜지스터의 베이스 전압은 나머지 한쪽 트랜지스터의 컬렉터 전압과 같음을 알 수 있었다.
- 결과를 검토해 보면, 초기조건 Vbb=0으로 하면 위쪽 트랜지스터 베이스 전류는 포화영역이 될 수 있는 충분한 전류를 얻게 된다. 따라서 LED는 ON 되고, Vbb를 서서히 증가시켜 아래쪽 트랜지스터의 베이스 전류를 증가 시키면, 어느 순간 LED가 OFF됨을 알 수 있었는데, 이때가 위쪽 트랜지스터의 베이스-이미터 접합이 역방향 바이어스 되는 순간이다.(upper threshold) 또, 전압을 서서히 내려서 LED가 다시 ON되는 점을 찾을 수 있는데, 이때의 Vbb=3.11v(lower threshold)로 측정 됨을 알 수 있었다.
- 비교적 정확한 실험을 했는데도 이론값과 차이가 나는것은 초기 조건으로 LED와 트랜지스터에 의한 전압강하가 실험의 조건과 달랐기 때문이고, 또 저항과 도선의 내부저항 때문에 차이가 나서 오차가 생긴 것으로 볼수 있다

참고 자료

없음

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