[워드2003]전자회로실험_사전9_18.공통 베이스 및 이미터 플로워(공통 콜렉터)트랜지스터 증폭기
- 최초 등록일
- 2009.03.01
- 최종 저작일
- 2008.11
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"[기초전자회로실험 : BOYLESTAD, NASHELSKY / 인터비젼]을 기본으로 작성한 전자회로실험 보고서로 A+받은 레포트입니다. 페이지는 제한이 있어서 페이지가 많지는 않지만, 여러가지 책을 참고문헌으로 사용했고, 책의 모든 실험에 대해 피스파이스 시뮬레이션 및 결과를 확인할 수 있습니다.
- 공통 베이스와 이미터 플로우(공통 콜렉터) 트랜지스터 증폭기에 있어서 AC와 DC 전압을 측정한다. 전압증폭(AV), 입력 임피던스(Zi), 출력 임피던스(ZO)를 측정한다."
목차
1. 실험목적
2. 이론
3. 사용기기 및 부품
본문내용
1. 실험목적
- 공통 베이스와 이미터 플로우(공통 콜렉터) 트랜지스터 증폭기에 있어서 AC와 DC 전압을 측정한다. 전압증폭(AV), 입력 임피던스(Zi), 출력 임피던스(ZO)를 측정한다.
2. 이론
1) 공통 베이스 증폭기
BJT의 베잇 단자에 신호 접지를 설정함으로써, 공통 베이스(CB) 또는 베이스 접지 증폭기로 적절히 명명된 회로 구성이 얻어진다. 입력 신호는 이미터에 인가되며, 출력은 컬렉터에서 얻어지고 베이스는 입력과 출력 포트들 사이에 공통 단자를 형성한다. 오른쪽 그림은 CB 증폭기를 나타낸다. 베이스에서 직류 교류 전압들 모두 영이므로, 우리는 베이스를 바로 접지에 접속하였고, 그래서 저항기 R를 완전히 제거하였다는 것을 볼 수 있다. 결합커패시터는 CE회로에서와 비슷한 기능을 수행한다.
증폭기의 소신호 등가회로 모델은 오른쪽과 같고 저항기 Rsig가 이미터 단자와 직렬로 나타나므로, 우리는 트랜지스터에 대하여 T 모델을 사용하기로 한다. 또 ro가 CB증폭기 성능에 미치는 영향이 매우 작으므로 고려하지 않는다. 오른쪽 회로로부터 Rin=re 임을 알 수 있다.
전압 이득을 얻기 위하여, 출력전압을 구하면 Vo= 을 쓸 수 있으며, 이미터 전류를 로 대치하면 전압이득을 구할 수 있다.
이는 양의 부호를 제외하면 CE 증폭기에 대한 전압 이득과 같다. 또 개방 회로 전압이득, 출력저항, 전류이득, 전체 전압이득은 아래와 같이 계산된다.
Avo=gmRc , Rout=Rc , Ais
Gs=
α 이므로, 우리는 전체 전압 이득이 단순히 이미터 회로의 총 저항에 대한 컬렉터 회로의 총 저항의 비임을 알 수 있다. 요약하면 CB 증폭기는 매우 낮은 입력저항, 거의 1에 가까운 전류 이득, CE 증폭기의 전압이득과 같은 크기인 양의 개방 회로 전압 이득, CE 증폭기처럼 상대적으로 높은 출력 저항을 나타낸다. CB회로의 매우 중요한 응용은 단위 이득 전류 증폭기 또는 전류 완충기(current buffer)이다.
참고 자료
-기초전자회로실험 : BOYLESTAD, NASHELSKY / 인터비젼 / 2006 / p189~198
-전자회로실험 : 최성운,김우현,박영종 / 그린 / 2007 / p112~118
-전자회로 (제6판) : BOGART / Prentice Hall / p225~268
-마이크로전자회로 : Sedra, Smith / 한티미디어 / 2008 / p525~535
-PSpice 기초와 활용 : 백동철 / 복두출판사
-All DataSheet : http://www.alldatasheet.com/