MOS-FET 공통 소스 증폭기 예비

소개글

MOS-FET 공통 소스 증폭기 예비 레포트 입니다.

목차

실험목적
이론
실험과정

본문내용

1. MOS-FET는 드레인전류를 전압으로 제어하는 금속-산화물 반도체 FET이다.
2. MOS-FET에는 두 종류가 있다. (a) 공핍형, (b) 증가형
3. MOS-FET의 게이트는 기판으로부터 절연되어 있다. 그러므로 이 소자는 IGFET라 부근다.
4. 증가형 MOS-FET는 드레인과 소스 사이에 채널을 가지고 있지 않다. 채널에 있어서 전하 캐리어의 생성은 게이트에 바이어스를 걸어주므로 인하여 기판 내에 유기되는 전자로 구성된다.
5. 증가형 MOS-FET는 채널이 없으므로 그 기호는 그림 24-3에 나타난 것과 같이 채널은 점선으로 표시되어 있다.
6. N채널 증가형 MOS-FET의 게이트는 양으로 바이어스되어야 한다. 반면 P채널 증가형 MOS-FET의 게이트는 음으로 바이어스되어야 한다.
7. 공핍형 MOS-FET는 그림 24-5와 같이 채널을 가지고 있다.
8. 공핍형 MOS-FET의 게이트는 양, 0 혹은 음으로 바이어스할 수도 있다.
9. N채널 공핍형 MOS-FET의 게이트에 양으로 바이어스되었다면, 증가형 모드로 동작한다.
10. N채널 공핍형 MOS-FET의 게이트에 음으로 바이어스되었다면, 공핍형 모드로 동작한다.
11. FET는 그림 24-9와 같이 전압분배 바이어스로 사용되며 또한 그림 24-10과 같이 자기 바이어스로도 사용할 수 있다.
12. 24-11과 같은 FET 증폭기는 높은 입력임피던스와 적은 전압이득을 가진다.

참고 자료

없음