트랜지스터 결과 레포트

소개글

실험사진과 멀티심으로 돌려서 회로도 까지 기재되어 있는 A+ 맞은 레포트 입니다.^^

목차

1. 실험목적
2. 실험장비
3. 실험과정

본문내용

1. 실험목적
1) 트랜지스터의 바이어스에 대하여 자세히 이해한다.
2) 이미터-베이스 회로에서 이미터-베이스 전류에 대한 순방향(정상)과 역방향 바이어스의 효과를 측정한다.
3) 이미터-베이스 회로에서 컬렉터 전류에 대한 순방향과 역방향 바이어스의 효과를 측정한다.
4) Icbo를 측정한다.

2. 실험장비
전원장치, 트랜지스터, DMM, 저항(150Ω,3KΩ,820Ω)

3. 실험과정
PNP 바이어싱
1) 위의 그림의 회로를 연결한다. 스위치 X1,X2 는 열어둔다. 이러한 회로 구성은 공통-베이스 증폭기라 불리 운다. 입력전류(Ie)는 이미터 단자로 흘러 들어가는 반면 출력전류(Ic)는 컬렉터회로에서 측정 된다. R2를 최대 저항으로 맞춰둔다. 이것은 전원이 연결될 때 최소의 이미터 바이어스를 걸게 할 것이다. R1은 이미터 회로에서 전류제한 저항이다. R3는 컬렉터 회로에서 전류제한 저항이다. 축전지와 계측기의 극성을 적절하게 맞춰서 연결시켜 둔다. 미터 M1과 M2를 높은 범위에 맞춰둔다. 전원이 연결된 후 전류를 읽기 적합할 때까지 미터 범위를 감소시킨다. 전원을 연결하기 전에 회로연결에 대하여 검증을 받는다.

2) X1과 X2를 닫는다. 이미터와 컬렉터 회로의 전류를 관찰하고 측정한다. Ie와 Ic사이의 어떤 차이를 찾기 위해 정확하게 측정한다. 맨 아래의 표에 데이터를 기록한다. 이미터-베이스, 컬렉터-베이스, 컬렉터-이미터 전압을 측정하여 맨 아래의 표에 기록한다. 각 전압의 극성을 보인다.
3) 최대 이미터 바이어스를 위해 R2를 최소 저항값으로 맞춘다. 필요하면 계측기 범위를 바꾼다. Ie, Ic, Veb, Vcb, Vce를 측정하여 기록한다. 맨 아래 표에 데이터를 기록한다. 전압의 극성을 표시한다.
4) X2를 열어서 이미터-베이스회로를 개방한다.
5) X1을 닫는다. Icb를 관찰하고 측정한다. 맨 아래의 표에 데이터를 기록한다. 이것은 Icbo의 값이다. 맨 아래의 표에 Vcb를 측정하고 기록한다. 전압의 극성을 표시한다.

참고 자료

없음