공통 이미터 회로에 대한 컬렉터 특성

소개글

실험사진과 멀티심으로 돌려서 회로도 까지 기재되어 있는 A+ 맞은 레포트 입니다.^^

목차

1. 실험목적
2. 실험장비
3. 실험과정

본문내용

1. 실험목적

1) 트랜지스터 매뉴얼에서 언급되는 데이터에 익숙해지기 위함이다.
2) 공통 이미터 회로에 대하여 컬렉터 특성곡선(Vce 대 Ic)을 실험적으로 알아내어 그린다.
3) 트랜지스터 커브 트레이서를 사용하여 평균 컬렉터 특성을 화면에 표시 한다.

2. 실험장비
전원장치(2개), 가변저항기, 반도체(트랜지스터), 저항 560Ω, DMM(4개), 오실로스코프(커브 트레이서)

3. 실험과정


※ 이 실험의 과정을 위해 설명이 조금 필요하다고 서술되어 있다. 전류계의 측정 범위를 변화시킬 때 판독이 모든 범위에 걸쳐 일정하지는 않다. 계기는 회로에서 실제 전류를 읽는다. 범위가 바뀔 때 편차가 계측기의 저항값 변화로부터 발생한다. 그 결과로 회로 전체의 저항값에 변화가 생기고 회로에 흐르는 전류에 영향을 미친다. 그러므로 범위를 바꿀 때 회로의 조정자를 재조정하여 계측기의 저항 변화를 상쇄시킬 필요가 있다. 또 하나 고려해야 할 요인은 컬렉터와 베이스회로 사이의 상호작용이다. 컬렉터 전압이 변화될 때 Ib를 일정한 값으로 고정시키기 위해서 베이스 전류 조정자를 재 조정 할 필요가 있다.(교수님께서 Ib 고정값 (0.5mA, 1mA, 1.5mA, 2mA, 2.5mA, 3mA) 를 정해주셨다.

1. 위의 그림처럼 회로를 연결한다. Vbb를 1.5로 Vcc는 아래 표에서 주어진 값에 유동성 있게 맞추어 실험에 임한다. 가변저항과 R2는 계기 보호를 위해 가장 높은 멀티 암페어 범위로 두어야 한다. 전원을 넣기 전에 회로 연결상태를 검사한다.
2. 가변저항에 0.5mA 전류값이 나타나도록 가변저항 R1을 조정한다. 3번, 4번의 과정동안 Ib(사실 트랜지스터에서 Ib의 값은 미미하게나마 uA 단위값을 놓고 측정해야 올바른 실험 목적을 달성 할 수 있다.

참고 자료

없음