MOS FET circuit (Basic MOSFET Circuit) prelab 레포트 입니다.

소개글

N-Channel MOSFET 회로를 설계하여 보고 트랜지스터의 동작원리를 파악하여 본다.
회로가 Saturation 되었을 때의 전압-전류 특성을 알아본다.
CMOS Inverter회로가 어떻게 동작되는지 알아보도록 한다.

목차

1. 실험 소개
1) 실험 목적
2) 원리

2. 실험도구 및 Prelab문제풀이
1) 실험 도구
2) 문제 풀이

본문내용

1. 실험 소개
1) 실험 목적
N-Channel MOSFET 회로를 설계하여 보고 트랜지스터의 동작원리를 파악하여 본다.
회로가 Saturation 되었을 때의 전압-전류 특성을 알아본다.
CMOS Inverter회로가 어떻게 동작되는지 알아보도록 한다.

2) 원리

<NMOS 트렌지스터>
위의 그림에서 우리는 소스와 드레인을 접지하였고, 게이트에는 양의 전압을 인가했다. 소스가 접지되어 있기 때문에, 게이트 전압은 사실상 게이트와 소스 사이에 나타나므로 게이트 전압은 VGS로 표시된다. 게이트에 가해진 양의 전압은 우선(양전기를 딘) 자유 정공들을 게이트 아래의 기판 영역(즉 채널 영역)에서 밀어낸다. 이 정공들은 기판의 아래쪽으로 밀려나고, 정공들이 있던 자리에는 캐리어 공핍 영역이 남는다. 이 공핍 영역은

참고 자료

없음