photo lithography에 대해

소개글

photo lithography에 대한 간단한 레포트입니다.

목차

1. lithography란?
2. photo + lithography?
3. photo lithography 과정
4. photo lithography의 문제점

본문내용

3. Photo Lithography 과정

- 1. 웨이퍼제작 : 초 순수 실리콘 (EGS, electron grade silicon) 생산=> 실리콘 성장=> 실리콘 형상 가공 => 웨이퍼

2. Mask 제작
① 크롬/감광물질 적층 : 순수 유리 기판 위에 크롬 층 및 감광물질의 증착

② 패턴전사 : 레이저 빔이나 전자빔을 이용하여 CAD 배치도(회로도면)대로 감광 물질 층에 저항체 패턴을 생성
③ 크롬 습식 식각 : 생성된 저항체 패턴을 막으로 하여 크롬을 습식 식각하며, 패턴의 크기가 작은 경우에는 크롬을 건식 식각하기도 함
④검사 및 크롬층 수리
제작된 마스크를 검사하여 결점를 찾고 이를 수리하는 과정이며, 결점은 대부분의 경우 발생하며 이를 모두 제거한 후에만 실제 사용 가능한 마스크가 된다.
세척/박막/ 검사-> 제작된 마스크의 세척-> 크롬 패턴의 보호를 위한 박막 부착 -> 최종적인 마스크 검사

3. 감광저항체(Photoresist) : 크게 빛에 노출된 부분이 제거되는 Positive PR과 노출되지 않는 부분이 제거되는 Negative PR로 나눌 수 있다.
①정의 : 반도체를 제작하는데 있어 기판을 미세하게 가공하는 일련의 공정에 사용되어 광 또는 전자빔 등의 조사에 의해 현상 용매에 대한 용해성이 변화하는 내식각성 피막재료이다.

참고 자료

없음