플레쉬 메모리 동작 원리

소개글

Nor flash와 Nand flash 회로의 동작 원리에 대한 설명. 반도체 관련하여 flash memory의 기본 동작원리에 대해 정확히 이해할 있다.

목차

▶ NOR Flash Operation and Schematic Circuit
▶ NAND Flash Operation and Schematic Circuit
▶ Long-channel MOSFET 특성
▶ Short-channel MOSFET 특성

본문내용

< Flash memory >

NOR Flash Operation and Schematic Circuit

◉ Key features & operation
Program : Hot electron 효과를 이용한다. 우선 Intrinsic state에서 drain 전압을 5V로 gate 전압을 12V로 인가하면, Source와 Drain 간 채널이 형성되고 전하가 이동한다. 동시에 Drain와 Oxide간 에너지장벽이 낮아지게 되고 Hot electron이 Floating gate로 주입되어 Floating gate는 음전하를 갖게 된다. Program 상태에서는 Vth가 올라가게 된다.

Erase : F-N tunneling 효과를 이용한다. gate에 -8에서 -10V를 인가하고 substrate에는 10V를 인가한다. 따라서 Floating gate의 에너지 레벨이 substrate의 에너지 레벨보다 커지게 되고 Floating gate의 전하들이 oxide 층을 넘어 substrate로 tunneling 하게 된다. Erase 상태에서는 intrinsic 상태에 비해 Vth가 낮아지게 된다.

Read : drain에 1V를 gate에 4V를 인가하고, drain 전류의 양이 reference cell에 비해 작다면 Programming 상태, 크다면 Erase 상태로 판단하게 된다.

참고 자료

없음