mram동작원리

소개글

mram과 차세대 메모리에대한 자세한 설명

목차

1. 기존 메모리 소자의 문제점
2. MRAM의 개요
3. MRAM의 특성
4. MRAM 기술 개발의 현안
5. 국내외 연구동향

본문내용

1. 기존 메모리 소자의 문제점

플레쉬 메모리의 경우 속도와 사용전력에 단점이 있다. 데이터를 읽을 때는 큰 차이가 나지 않지만 데이터를 기록할 때에는 일반 DRAM보다 무려 1000배 정도 느리다는 단점이 있으며, 기록시의 전력소모 또한 상당히 높다 반면에 DRAM의 경우에는 속도는 빠른 반면, 전기를 계속 공급해 주지 않으면 기록되어 있는 내용이 지워진다는 단점이 있다. DRAM의 맨 앞에 있는 `D`는 전기적으로 계속 충전(refresh) 시켜줘야 하는 DRAM의 폭성을 나타내는 dynamic의 약자이다.
DRAM에서는, 최소 가공수치에 의하지 않고, 일정한 전하량을 Capacitor에 축적 시켜야 한다. 미세화를 진행해 나가기 위해서는 Memory Cel씰 점유면적을 축소시키지 않으면 안
되기 때문에, 이제까지는 capacitor의 구조를 3차원화 시키면서 필요한 축적 전하량을 확보해 왔다. 이 결과, Memory Cel면적에 있어서 Capacitor의 역할은 상대적으로 증가하고 있
다. Transistor는 미세화세 의해, 작아질 수 있지만, Capacitor는 미세화에 의해 작아질 수 없다. 이 때문에 신재료 등을 계속 도입하지 않으면, Memory Cel의 면적을 이제까지의 추세로 축소해 가는 것이 어려워졌다.
DRAM의 Memort Cell은 1개의 Capacitor와 1개의 Transistor로 이루어진다. 이중 transistor는 가공수치가 작아짐에 따라서 작게 할 수 있다. 그러나 Capacitor는 단순히 작게 하는 것이 불가능하다. 가공수치가 작아져도, Capacitor의 용량은 작아질 수 없기 때문이다. 이미 Memory Cell의 대부분은 Capacitor가 점유하여 DRAM은 마치 Capacitor Array처럼 되고 있다. 그래도 이제까지는, DRAM의 전하축적oil 필요한 Capacitor용량을 3차원 구조의 채용 등에 의해 확보하여, capacitor의 점유면적을 계속 축소시키는 것이 가능했다(그림 1 참조).

참고 자료

없음