NFGM(Nano-Floating Gate Memory) 동작원리

소개글

NFGM(Nano-Floating Gate Memory)

목차

1.서론
2. NFGM과 기존 플래시 기술과의 비교
3. NFGM의 주요 특징 및 나노 dot의 형성
4. 고집적/고성능 NFGM을 위한 소자 구조
5. 연구동향
6. 결론

본문내용

1.서론
플래시(flash) 메모리는 휴대폰, 카메라, 그리고 Mp3와 같은 휴대기기의 출현으로 지난 몇 년간 폭발적인 성장을 하고 있다. IT 기술과 가전기술의 발달과 더불어서 플래시 메모리는 이들 분야의 저장매체로서 지속적인 각광을 받고 있다. 과거 DRAM에 국한되어 있던 메모리 시장이 휴대기기 및 IT 기술이 발달함에 점차플래시 메모리 시장으로 대체되어 가고 있다. 특히, 플래시 메모리는 비 휘발성 및 저 전력 소모 특성으로 이런 응용에 적합하여 각종 휴대기기의 주 기억 소자로 사용되기 시작 하였으며, 특히 DRAM보다 우수한 집적도로 인해 비트(bit) density 증가 및 bit cost 감소에 유리하여 2세대, 2.5세대 그리고 3세대로 이어지는 휴대폰의 메모리대용량화 및 디지털 가전제품 등의 대용량저장 매체로써 그 수요가 급속히 신장되고 있다.

그림1에 보여진 것과 같이 플래시 메모리기술은 기술적으로 EPROM과 EEPROM의 장점 뿐 만아니라, DRAM과 ROM의 장점을 모두 갖춘 메모리임을 알 수 있다. DRAM과 ROM의 높은 집적도를 능가하는 집적도를 가지고, EEPROM이나 DRAM 같이 필요에 따라 저장내용을 update할 수 있으며, ROM과 EEPROM의 비휘발성을 동시에 갖고 있다. 향후 플래시 메모리는 저장 용량의 증가 및 성능의 개선이 필수적이다. 현재 기존의 폴리실리콘 플로팅 게이트를 저장 전극으로 사용하는 메모리 소자는 이러한 추세를 반영하는데 있어 큰 어려움이 있다. 이를 대신할 새로운 형태의 메모리가 개발되어야 하며, 그중 하나가 폴리실리콘 저장 전극을 나노크기의 dot으로 대신하는 메모리 소자 기술이 개발되어야 한다. 이러한 메모리 소자를 NFGM(Nano-Floatillg Gate Memory)이라한다.

2. NFGM과 기존 플래시 기술과의 비교
기존의 ETOX 플래시 메모리 셀은 지속적으로 세대를 거듭하면서 축소화되어 2007년경에는 65nm 기술 노드 (셀 크기 : 0.039um2)에서 양산이 가능할 것으로 기대된다. 메모리 용량증가를 위해서는 MLC(Multi-Level Cell) 방법의 적용도 예상할 수 있으나 가장 좋은 방법은 메모리의 셀 크기를 줄이는 것 이다.

참고 자료

없음