"박막트랜지스터의 기본구조" 검색결과 181-200 / 281건

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  반도체란 무엇인가?

  트랜지스터는 P-N-P 또는 N-P-N 식이 있다. ... ), 절연막(SiO2,Si3N4), 금속박막(W,Al), 유기박막 등의 박막을 형성하는 대표적인 방법이다.*) CVD 반응의 종류- 열분해 / 환원 / 산화 / 질화 / 탄화 / 합성반응 ... 그 이유는D = K2(λ/NA²) 에서- 앞서에서의 파장λ을 작게하면 DOF값도 작아지기에 문제가 된다.이렇게 DOF가 감소하게 되면 다층배선구조를 가지는 반도체 디바이스 제조시 표면에서

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.07.23

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  lcd 편광판(Polarizer)

  트랜지스터 기판 하부에 위치되는 거울 편광판에서 박막 트랜지스터 기판 하부에 인접하도록 반사 투과층을 배치함으로써 외부광의 반사율을 높일 수 있다.④ 시이트 편광체, 광학 필름, ... (이것을 편광자라 부른다)LCD에 사용되는 편광판의 기본적인 중요 요소로는, 높은 편광기능을 발휘함과 동시에 외관특성, 내구성이 우수하고, 부품으로서 가공하기 쉽고, 사용하기 쉬운 ... 의해 수축하거나, 편광기능이 떨어지기 때문에, 실용적인 편광자로서 사용할 수 없다.이러한 결점을 보완하기 위하여 TAC Film등의 지지체(보호층)사이에 끼워서 점착제로 고정시킨 구조로

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.12.14

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  [공학]FeRAM

  아래 [그림7]에 IC 카드의 구조를 도식적으로 나타내었습니다.강유전체 소자는 불휘발성 메모리의 특성이 강하므로 기본적으로 현재의 불휘발성 메모리인 EEPROM과 플래쉬 메모리(또는 ... 이는 미국 Ramtron사의 단일트랜지스터 및 단일커패시터 FRAM 셀 기술을 기반으로 하고 있다고 합니다. ... 소위 페로브스카이트(perovskite)구조를 가지는 대표적인 강유전체인 BaTiO3 결정의 구조를 보여주고 있습니다.

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.22

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  [엔코더]엔코더의 용도 및 원리, DC 모터의 구동원리

  이것은 DC 모터가 빠른 주파수의 변화에는 기계 반응을 하지 않는다는 것을 이용하고 있다.기본회로는 아랫 그림과 같으며, 그림에서 트랜지스터를 일정시간 간격으로 On/off하면 구동전원이 ... 출력형태로는 디지털 형태의 펄스가 출력되는 것이 일반적이며 다음 그림과 같은 구조의 광학식 회전형의 Encoder가 주류를이룬다.< 여러종류의 엔코더 >□ Encoder의 구조와 원리Encoder의 ... 신호원에 따른 분류- 광학식 Encoder정보를 광량변화의 형태로 얻어내고, 이 광량변화를 수광소자에 의해 전기신호의형태로 출력 주스케일은 일반적으로 유리가 널리 사용, 유리위에 크롬박막의

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.04.15

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  차세대 메모리

  그림 1(a)는 트랜지스터(T)/강유전 커패시터(C)로 구성된 소위 1T/1C형 FRAM 메모리 셀의 단면도인데, Si 기판상에 형성된 CMOS 트랜지스터 위에 강유전 박막 커패시터 ... 커패시터로 구성되어 구조가 간단할 뿐 만 아니라 고속으로 데이터의 쓰고 읽기가 가능하기 때문이다. ... 트랜지스터는 일반적인 실리콘 웨이퍼 위에 만들어지며, r.

  리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.06.15

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  [비휘발성 메모리] 비휘발성 메모리중 FRAM과 MRAM의 비교

  사용하였음에도 불구하고 cell 면적은 DRAM과 비교하여 약 4배에 달함.- FRAM의 집적도가 DRAM에 비하여 떨어지는 이유는 1T-1C 구조를 기억소자에서 트랜지스터와 캐패시터가 ... 하는 특성: 큰 잔류 분극, 작은 누설전류, 구동전압을 낮추기 위한 낮은 항전계, 600 이하의 공정온도 현재까지는 PZT 박막이 가장 적합함.(2) 구조- 기존의 1T-1C형 구조에서 ... 실용화에 가장 근접한 재료로 알려져 있다.(1) MRAM의 기본 원리MRAM은 미소 자성체의 스핀을 정보원으로 하는 비휘발성 고체 메모리라고 할 수 있다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.09.05

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  [유기화학]유기 발광 소재

  소자의 수명을 개선하려는 시도가 있다.정공전달 재료는 정공을 쉽게 운반시킬 뿐만 아니라 전자를 발광영역에 속박함으로서 여기자 형성확률을 높여주므로 정공전달 재료는 위에서 언급한 기본특성 ... 또한 픽셀 형성 공정이 수동 구동에 비해 간단하고, 고해상도의 패널을 제작할 수 있는 장점이 있다.이 때 사용되는 트랜지스터는 일반적으로 출력전류가 큰 단결정 혹은 다결정 실리콘 TFT를 ... 전압의 감소, 배선의 저 저항화 기술, 저 소비전력 구동 IC 개발 등의 방안을 통해 소비전력을 억제시키는 연구가되고있다그림 능동 구동은 하나의 유기 EL 소자당 한 개 이상의 트랜지스터를

  리포트 | 9페이지 | 3,500원 | 등록일 2006.05.19 | 수정일 2020.07.26

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  [발광다이오드][LED][OLED][플라스틱발광다이오드]발광다이오드(LED)의 정의, 발광다이오드(LED)의 종류와 국내 발광다이오드(LED) 관련 사례 및 유기발광다이오드(OLED), 플라스틱발광다이오드(LED)에 관한 분석

  공정이 단순하고 낮은 제조원가가 장점이지만, 전력소비가 커 대면적화에 부적합화며 휘도 저하, 고소비 전력 등의 단점이 있다.이에 AM(ActiveMatrix)는 각 화소마다 TFT(박막트랜지스터 ... 그 뒤 1987년에 이르러 미국의 이스트만 코닥사가 저전압구동, 고휘도의 유기 EL소자를 고안하여 수많은 기본 특허를 취득하였다. ... OLED 구분1) 구동하는 방식에 따른 구분2) TFT 기판의 종류에 따른 구분3) 유기물층의 발광재료에 따라 나누는 방식4) 유기 EL 구조와 발광 재료Ⅶ.

  리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.03.16

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  [공학]나노임프린터 공정과 연구동향

  최종적으로 임프린트된 고분자 박막에 RIE(Reactive Ion Etching)공정을 거쳐 나노구조물이 기재에 전사된다. ... 최근 우리나라에서도 상온 (25℃)에서 작동 가능한 나노구조 반도체 양자점을 이용한 단전자 터널링 트랜지스터(SET:Single Electron Transistor)를 제작, 상온에서 ... .● 몰드-어시스티드 리소그래피 (Mold-Assisted Lithography, MAL)앞에서도 언급한 바와 같이 MAL은 1996년 Haisma 등에 의하여 제안되었으며 그의 기본

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.09.21

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  LCD backlight unit

  나뉜다.TFT 공정은 반도체 제작 공정과 매우 유사하며, 증착공정(deposition) 및 사진식각공정(Photolithography), 식각공정(Etching)을 반복하여 유리 기판 위에 박막트랜지스터를 ... LCD의 Backlight 광원으로 가장 많이 사용되고 있다.광 원발광원리효 율장 점단 점CCFLGrow Discharge60-705년이상 시장에서 검증 안정된 광원제조비용이 비싸다기본적으로 ... (프리즘 시트의 구성 및 특성)(프리즘 시트의 기본원리)① 프리즘 시트의 특징- 확산된 빛을 Backlight로 다시 보내 재사용하고 그 빛이 LCD를 통과하여 정면으로의 휘도를 향상시킨다

  리포트 | 35페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.01.20

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  [공학기술]센서에대하여

  실리콘 다이어프램은 에칭 등에 의해 요철형 구조로 만들어지며 압력이 가해지면 박막부분이 변형하고, 브릿지 회로에 의해 압력에 비례한 전기신호를 검출할 수 있다. ... 달링턴 포토 트랜지스터 들을 조합하는데 구조로 보아도 알 수 있듯이 주위에서의 외부 빛이 수광 소자에 크게 영향을 주므로 수광 창에는 가시광선을 차단하여 적외선만 통과하는 [가시광 ... 광 센 서광센서의 기본은 발광원과 수광 소자의 조합이다.

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.10.01

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  화합물 반도체

  제조공정은 많은 장비 및 시설 투자를 기본으로 하고 있고, 웨이퍼 사이즈가 커짐에 따라서 장비의 투자도 병행되고 있다. ... 고주파 고출력 동작의 트랜지스터도 연구개발이 진행되고 있다. 또한 파괴 전계강도가 크므로 고전압 저손실용 스위치소자로의 응용도 기대된다. ... CdTe는 고유(intrinsic)한 특성을 이용하여 ZnTe/CdTe/CdS 형태의 p-i-n (PIN) 적층박막이 태양전지 소자에 응용된다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.11

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  디스플레이장비제조 시장 분석

  ○ 박막 트랜지스터가 형성되어 있는 하부유리 기판과 칼라필터가 형성되어 있는 상부유리 기판사이에 액정을 주입하고, 전압을 가하여 액정의 배열상태 변화로 빛의 통과를 제어하여 화상을 ... 공정 개요 】자료 : 미래에셋― TFT-Array 공정은 기본적인 전극을 형성하는 가장 기본적이면서 핵심적인 공정으로 각 셀의 전극을 만드는 단계― 컬러필터 공정은 백라이트 자체는 ... 표시하는 비발광 영상소자【 TFT-LCD의 구조 】자료 : 한국반도체산업협회○ TFT-LCD 제조공정은 TFT-Array 공정, 컬러필터 공정, 액정공정 및 모듈공정으로 구분【 TFT-LCD

  리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.01.22

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  전도성 폴리아닐린의 유화합성

  응용분야 ; 투명 전도체, 전자파 차폐용 박막, 이차전지, 전기변색소자, 발광다이오드, 레이저, 초고속 스위치, 비선형 광학 소자, 감광 재료, 광 기록 소재, 트랜지스터, 화학 및 ... 그 중 특히 중요한 것으로 emeraldine form의 전도도에 대한 산의 효과, 기본적인 전기화학적 특성 및 재충전 배터리에 대한 사용가능성 등이 있다. ... 구조적 특징 때문에 π-전자가 어느 정도 자유롭게 움직일 수 있으므로 'π-공액 고분자(π-conjugated polymer)'라고도 부른다.

  리포트 | 19페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.11.20

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  트랜지스터

  트랜지스터의 구조와 동작1) 트랜지스터의 내부① p형과 n형의 3층구조② 트랜지스터의 구조와 기호이미터(emitter : E) : 전류의 반송자로 주입하는 전류베이스(base : B ... 이것이 트랜지스터의 증폭작용이다트랜지스터의 종류트랜지스터는 반도체 가운데에서도 가장 많이 쓰여 왔던 기본적인 반도체 부품으로 증폭 작용을 발견하여 사용되기 시작 하였습니다. ... 산화 실리콘 박막으로 절연되어 있는 ＦＥＴ로 상당히 높은 입력 임피던스（전류가 흐르지 않는）를 갖고 있는 것이 특징입니다．회로도기호회로 기호약 호명 칭기 능TRNPN 트랜지스터증폭，

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.01

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  [자연대]OLED에 대해서

  유기 EL 구조와 발광 재료유기 EL은 기본적으로 음극,양극의 전극과 유기물 그리고 기판의 구조로 되어 있다.전극에 전기를 가하면 양극(ITO)에서 발생된 정공과 음극에서 발생된 전자가 ... 이하의 모바일 제품용 저해상도 및 소형 OLED 제조에 사 커 대면적화에 부적합화며 휘도 저하, 고소비 전력등의 단점이 있다.이에 AM(ActiveMatrix)는 각 화소마다 TFT(박막트랜지스터 ... 그 뒤 1987년에 이르러 미국의 이스트만 코닥사가 저전압구동, 고휘도의 유기 EL소자를 고안하여 수많은 기본 특허를 취득하였다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.03.29

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  lcd에 대해서

  현재 모니터, 노트북 PC에 사용되는 대부분의 것이 이 방식이다.또한 LCD 종류 가운데 대표적인 TFT-LCD는 박막트랜지스터와 화소 로 구성된 상판, 그리고 이 두 유리기판 사이에 ... 기본적으로 고체, 액체 및 기체는 가장 일반적인 상이나 반드시 그러한 상들만이 자연계에 존재하는 것은 아니다. ... LCD는 전계에 의해 일정한 방향으로 액정 소자 적으로 통과시킨다.즉, 분자구조 특성상 액정은 전계에 의해 선형 배열되고, 기계적인 특성상 다시 레이어 간 90도 단위 회전이 가능하다

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.03.18

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  고체물리에대해서

  해석에 이용- 결정화도(crystallinity)의 측정 및 계산결정의 크기, strain 측정- 금속 시료의 잔류응력과 집합조직 측정- 박막의 조성 및 구조해석- Dislocation ... 고체의 전기적 그리고 역학적 특성은 고체물리의 다양한 기술적 운영을 가능하게 하였고 지난세기의 문명을 변화시킨것이다.고체물리에서 가장 중요한 사건은 트랜지스터의 발명으로 이를 통하여 ... 하이젠베르크가 제창한것으로써 기본적으로 속도와 위치를 정확히 알수없한 계산들이 발표되면서 본격적으로 시작되었다.

  리포트 | 150페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.11.13

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  [전자] 트랜지스터

  트랜지스터의 기본회로와 유접점 계전기의 기본회로.*. ... 또 npn(또는 pnp) 접합트랜지스터의, 또는 점접촉형 트랜지스터의 이미터 접합부분에 빛을 집중시키는 구조의 광트랜지스터는 고증폭률을 가진 pnpn(또는 npnp) 결선 트랜지스터에 ... PNP와 NPN의 차이가 있지만 기본적으로는 위에서 설명한 것과 같습니다. 회로의 각부 전위의 관계가 바뀌지만 기본 동작이론은 같습니다.

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.09.09

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  [반도체공학]박막증착

  ㆍsubsequential annealing으로 증착ㆍ고온(500-700oC)에서 공기중 CVD, LPCVD(저압화학기상증착법)에 의해⊙ Amorphous SiliconㆍLCD 디스플레이의 박막트랜지스터의 ... 표면미세가공법의 기본공정은 표 1에 정리한 바와 같이 박막을 형성하는 공정, 리소그라피를 통해 패턴을 박막 위로 전사하는 공정, 박막 위에 전사된 미소기계를 가공하는 공정, 그리고 ... 위해 단순히 박막구조물을 지지하는 기초역할만 한다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.23

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