CVD로 얻어지는 박막의 물리적 성질은 증착이 일어나는 기판(비정질, 다결정, 결정)과 온도, 증착속도 등의 증착조건에 의하여 결정된다. ... 이 박막의 W와 Si의 조성비와 비저항은 일반적으로WF6/SiH4 가스의 혼합비율에 의해 제어되며, 박막에 함유된 F와 H의 결합이 저항을 높이는 요인이 됨으로 열처리를 하여 이들을 ... 암모니아를 사용한 예는 Silicon nitride의 증착에서 볼 수 있는데 이는 반도체 산업에서 널리 사용되고 있다.3SiH_4 (g)+4NH_3 (g)&->&Si_3 N_4 (s
그러나 이같은 질화규소 의 유용성은 최근에 들어서야 알려진 사실이고, 그 전에는 탄화규소 같은 다른 재료에 비해 연구 가 적은 편이었다.질화규소는 상온에서 비정질, α 상, 그리고 ... 세라믹의 정의☞ 원소주기율표상의 비금속원소(예를 들면 산소, 질소, 붕소, 탄소, 규소 등등)만으로 이루어져 있거나, 또는 비금속원소와 금속원소로 이루어져 있는 물질을 말한다.? ... Schematics of the silicon carbide whisker growth mechanisms(a) vapor-solid growth mechanism, (b) two
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