"화학기상증착법" 검색결과 181-200 / 571건

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  MOCVD

  기상성장법(CVD) 중의 한가지로 화학반응 (유기금속의 열분해반응)을 이용해 반도체기판상에 금속 화합물을 퇴적·부착시키는 화합물반도체의 기상 성장법 유기금속화합물 을 원료로 하고 ... 수소 등을 이송기체로 사용 → 기판 위에서 비가역적 열분해 반응이 일어나도록 함으로써 고체 상태의 결정을 성장시킴* MOCVD란* 화학증착 화학식 (CH3)3Ga + NH3 GaN ... for GaN- 온 도 : 1050℃ ┗ 박막의 crack이 발생하지 않도록 1000℃이상의 고온 - 압 력 : 200 torr ┗ 원료가스의 공급량을 높여 균일성이 좋은 박막 증착을

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.07.02 | 수정일 2023.03.30

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  반도체 솔라셀 기말발표

  이러한 Sputtering 현상을 이용하여 wafer 표면에 금속막 , 절연막 등을 형성한다 .2) 열 증착법 (Thermal evaporation) 열 증착법은 진공증착이라고 표현하기도 ... Polysilicon Deposition – 폴리실리콘 증착 증착작업은 가스의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 수증기 형태로 쏘아 ( 증착 ) 절연막이나 전도성막을 형성시킨다 ... Sputtering process 의 가장 우수한 특성은 증착된 물질의 기상으로의 이동이 chemical, thermal process 이 아니라 physical momentum exchange

  리포트 | 32페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.01.23

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  Graphene, CNT 조사

  화학기상증착법, chemical vapor deposition)이 크게 부각되고 있다. ... ]② 촉매화학 기상증착법 (Catalytic Chemical Vapor Deposition)고품질 SWNT를 생산하는 방법으로 전기방전법(Arc-discharge), 레이저증발법( ... 또한 CNT의 직경, 길이, 밀도, 구조, 결정성등을 제어하기가 쉽고, 고순도의 CNT를 대량생산 할 수 있어 유망한 합성방법이라 할 수 있다.촉매 화학 기상증착법에는 ‘유기 화합물의

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.09.24

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  [무기화학]CNT(탄소나노튜브)

  열분해법, 레이저증착법, 플라즈마 화학 기상 증착법, 열화학기상증착법, 전기분해방법, Flame합성방법 등이 있습니다.탄소나노튜브는 21C 꿈의 신소재라 불리며 과학의 발전정도에 ... 발생되어 기판에서의 균일도가 좋지 못하고 반응로의 온도변화와 위치등에 따라 반응상태가 영향을 받는 단점이 있지만 장치가 간단하고 대량합성에 절대적으로 유리한 특징을 가지고 있습니다.열 화학기상증착법을 ... 그림 18은 기상합성법에 의해서 합성시킨 탄소나노튜브의 TEM 사진입니다.

  리포트 | 16페이지 | 5,000원 | 등록일 2006.05.19 | 수정일 2020.07.26

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  박막 태양광기술에 대해서 전문적인 자료입니다

  수 있음 Ar과 다른 혼합가스를 사용하여 반응을 수반한 화합물 증착이 가능 넓은 면적의 박막 제작유기금속 기상성장 법(MOCVD) → 화학 기상 증착(CVD) 방법 중의 한가지로, ... (MOCVD) co-evaporation(동시 증착법) 진공 챔버 내에 설치된 작은 전기로의 내부에 각 원소를 넣고 저항가열하여 기판에 진공증착 시켜 CIGS 박막을 제작하는 기술 ... 있어서의 화학반응에 의하여 박막을 형성하는 기술.

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.08.26

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  증착결과 보고서

  위치, 응축계수(condensation coefficient)등에 의존하므로 진공증착 박막실험시 세심한 주의와 관찰을 필요로 한다.3.또 다른 증착 방법기상증착법은 크게 두 가지로 ... 즉, CVD법은 기판에 증착될 때 원료물질들이 PVD처럼 들러붙는다기 보다는 화학반응을 일으켜서 고체 상태로 변화하는 것이다. ... 다만 CVD는 PVD보다 일반적으로 훨씬 고온의 환경을 요구한다.PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.06

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  그래핀(Graphene)에 관한 고찰 리포트

  최근 주로 연구되고 있는 방법으로는 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD), 탄소 나노튜브 분산법, 에피택시 성장법(Epitaxial Growth ... 박리법은 기계적 박리법과 화학적 박리법을 각각 사용하거나, 두 방법을 조합하여 사용한다. 또한 graphene은 물리적, 화학적 합성 기술을 사용하여 제조할 수 있다. ... ), 유기 합성법 등을 들 수 있다.4.

  리포트 | 10페이지 | 2,700원 (30%↓) 1890원 | 등록일 2016.05.24

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  CIGS 개론

  황화카드뮴은 화학 수조 증착(이하 CBD)법이 활용되고 있다. ... )법, 전착(electro-deposition)법, 유기금속 기상성장법(molecularorganic chemical vapor deposition, 이하 MOCVD)법 등이있고, ... 이들 중 상용화가 추진 중인 제작방법은 동시증착법과 스퍼터링법이다.동시증착법은 진공 쳄버 내에 설치된 작은 전기로의 내부에 각 원소(구리(Cu), 인디움(In), 갈륨(Ga), 셀레늄

  리포트 | 18페이지 | 2,500원 | 등록일 2014.02.08 | 수정일 2015.08.24

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  MOSFET/Capacitor/반도체 신소재실험보고서

  (열, 플라즈마, 빛(UV or LASER) 등)에 의해 서로 분해, 반응한 후 금속 물질은 silicon wafer 위에 얇은 막으로 남게 된다.PVD(물리기상증착법)- PVD에 ... 해당하는 증착법에는 Sputtering, 전자빔증착법(E-beam evaporation), 열증착법(Thermal evaporation) 등이 있다. ... (아세톤은 PR을, LOR용액은 remover로 없앨 수 있다.)LOR을 사용함으로써 PR만 사용했을 때 측면에 금속이 증착되는 현상을 방지 할 수 있다.이 공정에서는 코팅화학적 촉매

  리포트 | 23페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.12.03 | 수정일 2013.12.05

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  반도체 디스플레이 공학 - MOCVD 공정 표현

  결론3.1 실리콘 박막태양전지용 MOCVDMOCVD는 Metal Organic Chemical vapor deposition의 약자로 금속 유기물 증착법이다. precursor로 금속 ... 공정그림 2는 금속유기화합물(Ga(CH3)3, AsH3)들이 화학적으로 증착되는 과정을 보여준다.간략한 과정은 다음과 같다.a. ... 기상에서 매우 빠르다.단점1. 균일하게 매우 빠른 흐름이나 회전을 얻을 수 있다.2.

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.08.14

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  NBR/CNT 나노복합체

  ) 첨가제 Multi-Wall Carbon nanotube (MWCNT) 합성방법 : 열 기상 증착법 (CVD) 평균지름 : 10~50nm, 길이 1~25nm bulk density ... ML 1+4 , 100 ℃ ) 113 Main Polymer Acrylonitrile Butadiene rubber(NBR) (G rade: KOSYN KNB 40H, 금호 석유 화학

  리포트 | 18페이지 | 5,000원 | 등록일 2016.02.26

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  리튬이차전지용 그래핀기반 전극물질 개발

  가능 종이화된 그래핀 이용하면 높은 전자 전도도를 필요로 하는 집전체 (알루미늄,구리) 대체 가능 가볍고 플렉서블하여 플렉서블 이차전지용으로 사용가능 종이화된 그래핀 위에 물리적 기상증착법을 ... 적용하면 다양한 양극소재 증착이 가능 종이화된 그래핀은 음국 전위 구역에서 리튬과의 반응성이 상당히 높아 양극/음국 모두 적용가능이차전지용 그래핀고 찰높은 전도도 , 우수한 기계적 ... 그러나 낮은 전도도가 전기화학특성을 저해하는 요인임 그래핀을 적용한다면 이런 전극의 전도도를 향상시킴으로써 전기화학특성 개선할수 있음.

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.11.20

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  탄소나노튜브 성장 기술

  방전법레이저증착법화학기상증착법열분해법HIPCO화학기상증착법탄소를 포함하고 있는 탄화수소기체와 기판으로는 전이금속이 사용됨, 따라서 성장 이전에 스퍼터링이나, 기화법을 이용하여 전이금속 ... 대량합성을 위한 화학기상증착장치(보트형태)보트형태로 공간의 효율적인 사용열화학기상증착법을 이용한 탄소나노튜브의 제조방법Invar 사용550도 이하 생성Mo와 Cr 사용산성에칭액 사용Sg ... 탄소나노튜브의 대량합성을 위한 화학기상증착장치 한화나노텍 주식회사, 특허번호 10199900307003. 일반화학 화학교재푠찬위원회 녹문당 참고4.

  리포트 | 15페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.05.10

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  반도체소자와공정-1

  화학 기상 증착법(CVD) CVD는 균일하고 좋은 단차 피복성을 갖는 코팅을 제공하고 한번에 많은 wafer를 증착할 수 있기 때문에 금속화 공정에 많이 사용한다.7) 테스트 공정wafer ... 물리 기상 증착법(PVD) 전자빔이나 플라즈마를 이용하여 증발된 금속원자를 wafer 표면에 증착시키는 기술이다. ... 공정에피텍시얼 성장에 사용하는 기술 화학 기상 증착(CVD:Chemical Vapor Deposition) 1) GAS간의 화학반응으로 형성된 입자들을 wafer 표면 에 증착하여

  리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.04.21

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  꿈의 신소재

  플라즈마 화학기상증착법 (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 열화학 기상증착법 (Thermal Chemical Vapor Deposition ... 그래핀 Advanced materials of Dream 그래핀 제조방법 고온에서 탄소를 잘 흡착하는 전이금속을 촉매층으로 이용 화학 증기 증착법탄소나노튜브 그래핀 1. ... ) 기상합성법 (Vapor phase growth)탄소나노튜브 그래핀 1.

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.30

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  MOCVD 이해

  정의유기금속화학기상증착법(MOCVD)은 single 또는 polycrystalline 박막을 생산하는데 사용되는 화학기상 증착 방법이다. ... 원리화학기상증착법에서의 반응은 반응가스의 운송, 흡착, 반응생성물의 이동과정이 있고, 박막 성장과정 중 기판 근방에서의 열역학적 평형이 반드시 성립하지 않는다. ... 흡착이 될 때 5) 기판표면에 화학반응이 일어나 화학반응 후 생성물이 표면 위를 확산 이동하여 결국엔 박막 성장의 핵(nucleation)이 형성된다.

  리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.12.27

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  탄소나노 튜브

  플라즈마 화학기상증착법 열화학 기상 증착법 전기 방전법 레이저 증착법 기상 합성법 전기분해법 Flame 합성법 113.1 플라즈마 화학기상증착법 ( Plasma Enhanced CVD ... 기판 위에 탄소나노튜브 합성 . 12플라즈마 CVD 법에 의한 탄소나노튜브 SEM 사진 133.2 열화학기상증착법 (Thermal Chemical Vapor Deposition) 기판 ... 강력한 추진체 - 우주엘리베이터에서는 안전성이나 경제성을 위해서라도 화학연료를 사용해서는 안 된다 .

  리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.26

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  07CVD (2)

  CVD (Chemical Vapor Deposition)목 차CVD의 정의 CVD의 원리 CVD의 장·단점 CVD의 반응 CVD의 종류CVD의 정의화학 기상 증착법 기체 상태의 화합물을 ... 빠르지만 화학반응이 늦은 경우 퇴적속도는 화학반응의 속도로 결정(반응률속)CVD법의 반응일반적으로 CVD법의 퇴적 속도는 퇴적시의 기판 온도와의 관계에 의해 변화함CVD 퇴적속도의 ... 기판 온도 의존성1/기판온도퇴적속도열CVD법에 의한 퇴적속도의 기판 온도 의존성공급률속 영역기체의 반응이 일어나는 영역반응률속 영역박막 증착법의 종류APCVD장점: 자동화가 비교적

  리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  무전해도금발표_B1

  기판위에 탄소나노튜브를 합성 화학 기상 증착법 모식도2-4-1. ... 탄소나노튜브의 합성 화학 기상 증착법 아크 방전법 탄소나노튜브 1.2~1.6 nm 의 직경 다른 방법으로 합성한 튜브들에 비해 비교적 큰 값 . ... 탄소나노튜브의 합성 (2) 화학 기상 증착법 (Chemical Vapor Deposition) 화학 물질을 plasma 및 열을 이용하여 박막을 형성 CVD 는 다른 방법들과 달리

  리포트 | 42페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.02.28

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  MEA & CNT 기술과 특허

  방전법레이저증착법화학기상증착법열분해법HIPCO화학기상증착법탄소를 포함하고 있는 탄화수소기체와 기판으로는 전이금속이 사용됨, 따라서 성장 이전에 스퍼터링이나, 기화법을 이용하여 전이금속 ... CNT위에 화학기상증착법을 사용하여 백금을 담지시킴-백금 전구체((CH3)3(CH3C5H4)Pt) 담지법-백금 전구체에 기화온도까지 온도를 상승시킨다. ... 백금 전구체를 흘려줌 으로써 백금 나노 촉매를 담지하는 단계를 포함하여 탄소 종이 표면에 탄소나노튜브를 직접 성장시키고, 그 탄소나노튜브 표면에 화학기상증착 법을 사용하여 백금을

  리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.05.10

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