"1N4001 0.6V" 검색결과 181-200 / 225건

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  [기초전기실험] 제너 다이오드의 특성과 정전압원 응용 (결과)

  , 출력 전압 진폭 10V)6) 다이오드 1N4001 4개7) 제너 다이오드 1N4099(제너 전압: 6.8V, 최대 역전류: 35mA)8) 저항 : 100Ω, 1kΩ(2개)9) capacitor ... ㎂1㎂1.4㎂1㎃6㎃역전압, V0.53V0.54V0.55V0.56V0.75V0.8V동저항? ... I(0.54-0.53)/(0.6-0.4) × 106= 50㏀(0.56-0.55)/(1.4-1) × 106= 25㏀(0.8-0.75)/(6-1) × 103= 10Ω▶표 9-2 제너 다이오드의

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.03.23

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  다이오드(Diodes)

  (단, 주어진 Rectifier, Schottky 다이오드는 1N4001, 1N5819이다.)가) 1N4001다이오드의 순방향 특성{{{다이오드의 방향이 순방향일때 회로를 구성한것이다 ... 결과를 얻을수 있었다.6. ... Data1) Rectifier 다이오드(1N4001) : 저항 20 사용{순 방 향역 방 향인가전압(V)전 류(mA)인가전압(V)전 류(mA)0.10.0110.010.20.0130.010.30.0360.010.40.0390.010.50.20120.010.60.4150.010.73.13180.010.86.18210.010.99.78240.011.013.60270.011.117.7300.011.221.8330.011.326.03360.011.430.3390.011.534.59420.011.638.94450.011.743.31480.011.847.67500.011.952.112.056.54

  리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.24

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  [공학]실험 8. CMOS-TTL interface

  아래의 회로를 구성하고, 4001의 핀1과 핀3의 파형을 관찰하여 구형파가 나오면 그 파형의 전압레벨을 측정하라.6. ... VOL≤1.5[V]의 조건은 만족된다.그러나 VOH는 3.0～3.4[V] 정도이므로 CMOS의 VOH≥3.5[V]를 만족시키지 못한다. ... [V] 및 VIH = 3.5[V]로, CMOS를 구동하는 TTL은 VOL≤1.5[V], VOH≥3.5[V]를 만족하여야 한다.통상 TTL의 낮은 레벨출력은 VOL은 0.5[V]정도이므로

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.20

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  반파 정류 회로와 전파 정류 회로

  사용기기와 부품파형 발생기 1대오실로스코프 1대디지털 멀티미터기 1대다이오드 1N4001 4개저항 1kΩ 1개capacitor 100μF 1개모의회로기판 1대프로브 3개4. ... → 회로에서 파형발생기에는 60Hz의 진동수에 10V의 전압을 줬는데 결과치는 6.80V가 나왔다. ... 반파정류회로이 반파정류회로의 입,출력 특성은 아래의 그림과 같이 나타난다.여기서 V0 = V1 - 0.7 [V] 로 나오게 된다.반파 정류회로에서 저항의 옆에 병렬로 캐패시터 하나를

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.14

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  [기초전기실험] 실험8. 반파 정류 회로와 전파 정류 회로(예비)

  실험 장비 및 부품1) 파형 발생기2) 오실로스코우프3) curve tracer4) 디지털 멀티미터5) 다이오드 1N4001 4개6) 저항 : 1kΩ7) capacitor: 100㎌ ... 8) 변압기(권선비 N1:N2=1:1)3. ... .6) 그림 8-5(a)의 중앙 접지 단자가 있는 변압기에서 입력 전압의 실효치가 220V이고, 변압기 도선 감은 회수의 비가일 때 A점과 B점의 전압를 구하시오.변압기에서 출력 전압의

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.07.08

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  [기초전기실험] 실험9. 제너 다이오드의 특성과 정전압원 응용(예비)

  , 출력 전압 진폭 10V)6) 다이오드 1N4001 4개7) 제너 다이오드 1N4099(제너 전압: 6.8V, 최대 역전류: 35mA)8) 저항 : 100Ω, 1kΩ(2개)9) capacitor ... (6) 식6) Rr=100Ω, RL=1㏀, rZ=10Ω, VZ=10V 일 때, (4), (5) 식을 이용하여 그림 9-2 제너 다이오드 정전압원의 입출력 전달 특성을 구하고, 그리시오 ... .(4)식[V](5)식[V]▶전달특성7) 위의 문제 6에서 구한 전달 특성의 기울기와 리플 전압 사이의 관계를 설명하시오.리플 전압은 식(6)을 보면의 조건일 때와 같이 나타나므로

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.07.08

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  [전자통신 기초실험] 브리지 전파 정류 회로

  : 24V② 다이오드 : 1N4001 ... ◆ 실험제목 : 3-6 브리지 전파정류회로1.목적 : 다이오드 브리지 회로를 사용한 전파 정류회로의 특성을 조사한다.2.관련이론※ 전파정류 (全波整流)교류의 음파(陰波)일 때도 양파 ... 반대로 음의 반주기( V < 0 ) 동안에는 다이오드와에 순방향 바이어스가 걸려서 통하게 된다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.09

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  Mosfet DC Characteristics and bias 실험예비레포트

  (2)1브레드 보드1MOSCD40071신호발생기1Capacitor10uF1VOM1다이오드1N4001■ 이론요약(1) DC characteristic1. ... VGS를 0∼5V까지 1V간격으로 증가시키면서 단계2를 반복하여 표5-2에 그 결과를 기입한다.4. ... 측정된 결과를 가지고 MOSFET의 I-V의 특성을 그래프 5-1에 그린다.5. 그림 5-7와 같이 회로를 결선한다.6. ID, VG, VS, 그리고 VD를 측정한다.

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.24

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  모성 pih 환자 소개 신체사정

  진단***Cast0 ~ 1 /HPF***Epithelium0 ~ 1 /HPF방광염, 신우신염, 요로감염증, 무균성 농뇨V. ... )RangeAgeValue20 MeasurementWilliams N/A35⁺1±384g2629gAC/BPD/FLGrowthRangeAgeRangeValueEFW(체중)자궁 저부 높이 ... ~ 8.0구토, 설사, 당뇨병시 증가1.035SG1.005 ~ 1.035Bacteria(3+)Other0 ~ 1 /HPF***Crystal0 ~ 1 /LPF요로결석, 요로의 출혈성병변

  리포트 | 28페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.02.22 | 수정일 2017.10.02

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  Battery Tester and Charging 회로 실험 예비보고서.hwp

  12V③ 저항 : 10Ω, 80Ω, 39Ω, 100Ω, 150Ω *2개 , 270Ω, 470Ω④ 가변저항 : 10kΩ, 100kΩ, 470kΩ⑤ 다이오드 : 1N4001 * 4개⑥ ... SCR : 2P4M * 2개⑦ 충전용 건전지 : 1.5V * 6개⑧ LED 3개(붉은색 2개, 녹색 1개)⑨ Capacitor : 0.1uF⑩ switch 1개⑪ 트랜지스터 : BC547B ... 이상의 전압이 걸리면, rd=0이 되어 SCR1의 Gate에 전압을 걸어주어 SCR1으로 흐르는 전류의 흐름을 조절한다.6) 기타 각 부품의 사용목적에 대해 분석하라.⇒ LED에

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.10.09

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  [전자공학실험] diode 응용회로

  (0) 위의 4001로 했을때와 schottky 로 했을때 밑의 잘리는 부분이 schottky 가 더 많이 잘리는 것을 볼수 있다.(1) 전압강하가 많이 일어나는 정류 다이오드(0.6V ... =2V, V2=0V, V3=5V그림 3(3) V1=3V, V2=0, V3=5V그림 4(4) V1=4V, V2=0, V3=5V그림 5(5) V1=5V, V2=0V, V3=5V그림 6가 ... 실험10) 회로 구성1) 시뮬레이션 결과) V2 고정시키고 V1 변화시킴(0) 1 V1=0V, V2=0V, V3=5V그림 1(1) V1=1V, V2=0V, V3=5V그림 2(2) V1

  리포트 | 31페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.10.08

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  전자회로 1장 반도체다이오드

  화살표 기호는 소자에 흐르는 일반적인 전류의 방향을 나타낸다.6) 다이오드의 혁명대부분 다이오드들은 1N914, 1N1244, 또는 1N4001과 같이 앞에 1N을 붙여서 분류된다. ... 이 이온들은 접합 양단에 전위차를 발생시키며 Ge다이오드의 경우 약 0.25[V], Si 다이오드의 경우 약 0.6[V]의 전위차가 발생된다.9) 다이오드 특성곡선전자 부품의 특성은 ... 따라서 2차측 전원이 그대로(이상적인 다이오드에서의 전압 강하는 0V이다.) 저항에 나타난다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.22

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  Diode Rectifier Circuits

  .§ 실험부품 및 사용기기0-15V 직류전원 공급장치1저항(1/2W) 1kΩ1신호발생기1다이오드 1N4001, 실리콘, 정류용42현상 오실로스코프1변압기 12.6VRMS, 중간 탭1브레드 ... (RL) 양단에 나타난다.순방향 바이어스 된 다이오드는 대표적으로 실리콘의 경우 0.5V에서 1.0V, 게르마늄의 경우 0.2V에서 0.6V의 순방향 전압강하를 나타낸다. ... 여기서 출력(VCD)는 변압기전압 (VAB)가 -일 때 0이 됨을 볼 수 있다. 이것은 다이오드가 역방향바이어스가 되기 때문이다.

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.11.15 | 수정일 2014.11.30

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  다이오드 응용회로

  일반적으로 일반다이오드(1n4001)보다 베리어 전압이 낮아서(약 0.2v) 5v에 거의 근접하게 전압이 제한되었다. 1n4001은 베리어전압이 약 0.7정도기 때문에 5v보다 거의 ... 인가전압 크기 만큼만 출력되었고, 양의 주기일떠는 V2의 전압, 즉 6v로 제한되었다.실험 2. ... 회로 2-1에서 V1은 0V, V2는 5V이면 회로 2-2와 같다.

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.04.08

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  반송설비(엘리베이터, 에스컬레이터) 및 폐기물 처리 설비

  전원 변압기: 변압기용량[kVA]: 정격전압[V]: 정격전류[A]] (전부하 상승시 전류)N : 엘리베이터 수량[대]: 엘리베이터 수용률 (9.2.5 가.의 (4)항 참조): 제어용 ... N? 50A 인 경우)1.10 (? ... , 1996년도 1.08, 99년도 0.96로 지속적으로 감소하였다.99년도에 볼수 있는 것과 같이 재활용되는 폐기물량을 제외하면 순수하게 매립 혹은 소각되는 량은 1인당 0.68kg

  리포트 | 64페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.09.15

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  [전자통신 기초실험] 트랜스의 직류 특성

  그러므로 신호발생기의 출력은 낮은 값에서 시작하여 점차로 적당한 값으로 높이도록 해야한다.3.시료 및 사용기기① 트랜지스터 : 2N3904② 다이오드 : 1N4001③ 저항 : 100 ... , 1002④ 가변저항 : 102⑤ 트랜스 : 120V : 6.3V⑥ 오실로스코프⑦ 직류전원장치⑧ 회로 시험기⑨ 브레드보드4.실험순서1) 회로시험기를 사용한 트랜지스터의 검사① 회로시험기를위치에 ... 또한 베이스에 흑색봉을 에미터에 적색봉을 접속하여 저항이 0[]부근의 작은 저항값을 지시할 때 NPN 트랜지스터이고, 그 반대가 PNP 트랜지스터이다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.09

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  Filtered Rectifier and Voltage Multipliers

  실험순서1) 그림 3-6와 같은 반파 정류회로를 결선하라. 1N4001 다이오드와 전해 콘덴서의 극성에 주의한다.2) 전압계를 이용하여 회로의 평균 출력 전압을 측정하고 표 3-1에 ... 채널 2에서 점 A와 같은 파형을 볼 수 있지만 이것은 거의 0V에서 클램프되고 정의 피크전압이 변압기의 2차측 전압의 거의 2배가 될 것이다. ... C1은 거의 V까지 충전된다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.13

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  [전기, 전자, 제어] 접합다이오드의 특성

  {Si diodeGe diode전위장벽0.7[V]0.3[V]직선구간전류가 거의 흐르지 않음㎂급의 미소전류가 흐름(3) 다이오드의 극성 및 양부 판정에 대한 보고서를 작성한다.1N4001 ... Si 다이오드(1N4001)의 특성 측정{{{{순 방 향역 방 향VF[V]IF[mA]R[Ω]VR[V]IR[mA]R[Ω]0.000000.100500.2001000.3001500.4002000.5015 ... Si diode의 경우 0[V]에서부터 전위장벽으로 추정되는 약 0.6[V] 까지,Ge diode의 경우 0[V]에서부터 전위장벽으로 추정되는 약 0.3[V] 까지.(5) 이 직선적인

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.01 | 수정일 2021.12.04

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  Diode 클리퍼와 클램퍼

  : 1N4001×24. ... 사용기기 및 부품(1) 양전원공급장치(2) 회로시험기(3) 오실로스코프(4) 신호발생기(5) 저항 : 120[](6) 가변저항 : 5[],50[](7) 콘덴서 : 0.1[](8) 다이오드 ... 전압이 40[V]인 교류전압 파형에 직류전압 20[V]를 더해주므로+20[V]~-20[V]범위에서 변하는 입력파형이 0[V]~40[V]의 범위에서 변하는 파형으로 출력에 나타난다.

  리포트 | 13페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.01.10

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  Clipper and Clamper 실험예비레포트

  .■ 실험부품 및 사용기기10-15V 직류 전원공급장치2저항15KΩ, 19KΩ1브레드 보드1가변저항5KΩ1신호발생기1Capacitor10uF12현상 오실로스코프1다이오드1N4001■ ... 그림 4-6의 클램퍼 회로를 결선하고 오실로스코프를 다음과 같이 조정한다.채널 1과 2: 2V/DIV, 직류결합시간축: 0.2ms/DIV어떠한 입력 신호도 브레드 보드에 인가하지 말고 ... (다시말해서 0V)9.

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.06.24

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