"Ion Implanter" 검색결과 181-200 / 314건

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  [반도체]최신반도체기술 & 웨이퍼생산

  반도체에서 이온주입(Ion Implantation) 이란- 반도체에서 불순물을 첨가하는 방법에는 확산과 이온주입 두 가지 방법이 있다.- 도핑 시키고자 하는 불순물 물질을 이온화 시킨

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.28

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  리튬이온전지의 단점을 보완하고, 효율을 높여 상품화시키기 (영어발표자료)

  long-life, critical devices, such as cardiac pacemakers(Cardiac means relating to the heart) and other implantable ... They are usually more expensive.Li-ion chemistry is not safe as such, and a Li-ion cell requires several ... application of safe, nonflammable lithium ion batteries.

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.02.09

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  [PPT]HA coating(코팅) 임플란트

  ▶Ha coating의 목적 ▶Ha의 골유착성 ▶Ha coating implant의 장단점 ▶임플란트의 전망과 그 속에서 Ha coating implant의 입지 ▶ Ha coating의 ... 보완 된 다면 앞으로 더욱 임플란트는 인간생활에 깊숙이 들어 올 것이다.Ha coating의 입지▶Ha coated Implant는 초기에는 골유착이 어떤 임플란트 보다 더 높게 ... spraying방법, sputter coating방법, immersion coating방법, hot isostatic pressing and pulsed laser deposition방법, ion

  리포트 | 22페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.07.14

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  이온빔스퍼터링 or 스퍼터링

  이를 응용하여 플라즈마 이온주입(Plasma source ion implantation , PSII)을 PVD와 조합할 수도 있다. ... 이온 빔 스퍼터링 Ion Beam SputteringContents이온 빔 스퍼터링스퍼터링이온 플레이팅요약 및 결론스퍼터 증착 공정스퍼터링 공정 ;강력한 투사입자들의 충격에 의해 고체 ... 효과입자충돌에 의해 영향받는 구역 표면 ,표면 영역 ,표층영역 , 심층영역PAPVD 소개이온빔을 타겟 표면에 조사함으로써 스퍼터링 현상을 유도할 수 있으며, 이온빔의 가속전압과 이온유속(Ion

  리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.04.08

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  재료공학실험 ( 재료의 산화실험( SiO2 ) )

  반도체 공정중 Oxidation 사용분야- 반도체의 단 위공정광학처리(photo-lithography), 산화막형성(Oxidation), 불순물주입(Ion implantation),

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.07.01

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  [공학]기초 반도체 공정

  Implant의 특징 불순물 주입량 조절 분포모양 조절 측면 퍼짐 감소 저온공정 균일성 간편한 불순물 공급원 . . . ◎ 불순물 주입량 조절 Implant 된 total dose양 ... , x=Rp일 때 Rp : standard deviation 혹은 straggle Q, implanted dose Implant가 완전히 silicon 내에 있는 경우, dose는 ... ◇ Impurity dose : Q [ions/cm2] range: 1010 ∼ 1017 (ions/cm2)LSS theory : Lindhrad, Scharff, Schiott에

  리포트 | 161페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.30

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  반도체 제조공정

  implant Metal deposition Copper deposition Chemical Vapor deposition 반도체 공정1. ... preparation Ashing Develop bake Acid atch Spin Rinse dry Wire bonding Probe test Die cut Metal etch Ion

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.05.02

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  반도체PPT

  implantation → CVD → Metallization Package 공정 EDS test → Sawing →Die Bonding → Wire Bonding →Molding ... Oxidation process → Photo Resist Coating → Exposure Process→ Development Process → Etching Process → Ion

  리포트 | 31페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.09.07

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  반도체 물리

  이온 주입기(ion implanter)의 구성. ... - Ⅲ족 자리 차지하면 도너, Ⅴ족 자리 차지하면 억셉터▷ 선별적 도핑(selective doping) 기술- 선별적 확산 (selective diffusion)- 이온 주입 (ion ... implantation)▶반도체의 특성을 부분적으로 바꾸는 기술▶반도체 소자나 집적회로(IC, integrated circuit)제작의 기초선별적 확산 (selective diffusion

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.04.18

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  N type - CMOS Process

  N type - CMOS ProcessN 타입의 CMOS 제작공정

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.27 | 수정일 2015.02.04

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  CMOS 기술

  P/R coat, soft bake Align, Exposure Develop, CD check •Hard bake 31) N+ S/D implantation Ion species ... Bipolar spoiling① Retarding field를 조성 (by ion implantation for minority carriers). - high base Gummel ... Shallow implantation adjusts the threshold voltages of both n- and p-channel transistors.Double implanted

  리포트 | 66페이지 | 4,000원 | 등록일 2007.03.02

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  PN 다이오드공정설계

  1000 c.phosphor=1ME=10 TEMP=1180 c.phosphor =1.0E15 DIVISIONS=30# Trench Isolation with RIE(Reactive ion ... thick=0.7 div = 4etch oxide start x=6 y=-10etch cont x=6 y=1etch cont x=7.5 y=1etch done x=7.5 y=-10implant ... thick=0.7 div = 4etch oxide start x=2.5 y=-10etch cont x=2.5 y=1etch cont x=4 y=1etch done x=4 y=-10implant

  리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2009.08.12 | 수정일 2015.07.13

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  반도체 제조 공정

  이온주입(Ion Implantation)불순물 원자는 웨이퍼 표면으로 들어가 불순물 원자로 채워진 부분을 형성한다. ... 전기 소자의 특성을 만들어 준다.이온 주입(ion implantation)은 전기장을 이용하여 주입하고자 하는 이온들을 높은 운동에너지를 갖도록 가속시켜 고체 상태인 타깃(target ... 변화시키지 않으면서 표면 특성만을 향상시킬 수 있는 ssian distribution)를 따른다고 알려져 있고, 높은 dose에서는 스퍼터링(sputtering)과 원자들의 이동(ion

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.04.19

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  반도체 클림룸의 청정화 기술

  클린룸 내에서의 제조 공정 오염물질의 생성3.Doping공정공정 설명 : 도핑공정은 크게 확산(Diffusion)과 이온주입(Ion Implantation)공정으로 나뉨.오염 물질

  리포트 | 20페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.06.06

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  [반도체공학] 반도체 공정 및 스퍼터링

  이온주입(Ion Implantation)공정 원자 이온에 목표물(target)인 고체 표면을 뚫고 들어갈 만큼의 큰 에너지를 공급하여 이온을 고체 내에 주입하는 것 반도체 소자 제작시

  리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.05

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  ZnO의 성장 및 열처리 조건이 물질 특성에 미치는 영향

  또, 이온주입(Ion Implantation)공정에서는 불순물가스를 이온화시켜 직접 투입시키기 때문에 Wafer의 결정구조가 깨질 수 있는데, 열처리(Annealing) 과정을 통해

  리포트 | 48페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.12.18

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  스피넬 구조의 모든 것.

  세부내용② NTC Thermistor③ 고온용 스피넬 안료④ 인공치관용 스피넬/지르코니아-유리 복합체(임플란트)⑤ 스피넬 페라이트 복합재4) 스피넬의 활용분야- * -LiMn2O4에 ... 1/2 octahedral site A2+ ion 1/8 tetrahedral site2. ... FCC 최밀충진을 하고 1/2 octahedral site와 1/8 tetrahedral site의 일부를 양이온이 채우는 구조.Normal spinel 구조: AB2O4 B3+ ion

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.02.02

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  Poly-Si 결정화 방법

  큰 grain의 다결정 실리콘을 얻기 위하여 때때로 Si ion 또는 Ge ion implantation을 하여 막을 amorphization 시킨후 600℃ 이하에서 장시간 annealing한다 ... 최근에는 이러한 RTP공정이 a-Si의 결정화에 쓰이기 보다는 PECVD로 a-Si증착한 후 Hydrogen을 제거하는 Dehydrogenation 공정이나 ion doping 후

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.02

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  photolithography

  또, 다른 이유 중의 하나는 Etching이나 Ion Implantation 등의 강한 공정 조건에서 쉽게 탄화되거나 분해해서는 안되기 때문이다.③ Adhesion? ... 형성된 Photoresist Pattern은 Etching이나 Ion Implantation 등의 공정에서 Masking재로 사용되는데, 이때의 가혹한 조건을 견디게 하기 위해 Photoreist

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.13

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  [반도체공학] pn접합의 제작

  Ion Implantation(이온 주입법)고온확산에 대한 유용한 대안으로써 반도체 속으로 강력한 이온의 직접적인 주 입이 있다.

  리포트 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2002.10.25

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