"MOCVD" 검색결과 181-200 / 327건

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  나노 재료의 주요 합성방법(졸겔법,침전법,전기방전법,레이저증착법, 스파터링법, 기상합성법,화학기상 성장법)

  특히 발전된 무기합성화학 지식을 토대로 하여 다양한 금속-유기계 전구체를 제조할 수 있는 가능성 때문에 MOCVD가 최근의 연구 대상으로서 크게 주목받고 있다.MOCVD의 장점과 단점 ... 현재 위와같은 배경에 의해 Cu MOCVD (metal-organic chemical vapor deposition)이 중요한 금속화공정 기술로서 인식되어지고 있으며 기술 개발을 위한 ... ◎ 장점: 1)극박막을 성장시킬 수 있다.2)균일층의 성장이 가능하다.3)양산성이 우수하다.4)원료를 교환함으로써 각종의 결정을 만들 수 있다.이와 같은 장점을 가지고 있는 MOCVD법은

  리포트 | 21페이지 | 5,000원 | 등록일 2007.10.17

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  태양전지 report

  이러한 손실을 최소화하기 위해 2세대 태양전지는 광 흡수 대역이 서로 다른 단일 접합 태양전지를 적층함으로써 광 흡수 대역을 넓힐 수 있다.2세대 태양전지는 MOCVD와 MBE 같은

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.03.08

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  박막제조

  시간으로 두께를 조절할 수 있는 CVD법에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor ... 대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.30

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  염료 감응형 태양전지(DSSC)의 에너지 효율 증대 방안 연구

  [Fig-16] temperature modulated MOCVD 기술을 이용하여 순차적으로 G ... [Fig-16] Ga이 적층된 ZnO의 표면 사진3.2.1 실험 방법성장하는 ZnO nanorod와 GZO films은 수직 방향의 흐름에서 회전하는 디스크인 MOCVD 반응기에서

  리포트 | 33페이지 | 4,000원 | 등록일 2009.12.27 | 수정일 2020.06.05

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  쏠리드 vs 주성엔지니어링 기업분석 (재무분석,회계자료,swot분석,경영분석) (2008년~2010년)ppt

  . - Oxide TFT MOCVD 장비와 반도체용 SDPCVD 장비를 개발하여 주고객과 테스트를 시작, 양산성 확보 시, 외형 회복에 기여할 듯.

  리포트 | 22페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.05.03

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  녹색인증제의 개념 및 정의, 장단점, 선진국(선진녹색국가)과 정책 비교분석, 녹색인증제 활성화 방안, 제안

  ‘녹색인증’을 받기 위한 요구 기술 수준 및 설명그린IT분야의 차세대 LED 제조장비핵심(요소)기술기술수준MOCVD 에피성장 장비기술- 6"(5매 이상), 4"(10매 이상)웨이퍼레벨

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.12

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  LCD, Laser Diode, LED의 원리와 특징

  주로MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)방법이 가장 많이 사용되는데 MOCVD란 가스 상태의 원하는 원료를 고온에서 화학반응을 통해 박막

  리포트 | 27페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.11.08

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  [기업분석] 주성엔지니어링 vs 쏠리드 재무제표분석 (2008~2010)

  . - Oxide TFT MOCVD 장비와 반도체용 SDPCVD 장비를 개발하여 주고객과 테스트를 시작, 양산성 확보 시, 외형 회복에 기여할 듯.쏠리드- 전망- 무선 데이터 트래픽

  리포트 | 35페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.05.03

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  LED의 원리와 특성

  EPI공정은 MOCVD (Metal Organic Vapor Deposition) 방식을 통해서 이루어진다.3) Chi 제조: Fab 공정Fabrication공정은 Epitaxy layer위에

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.08.13

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  진공과 진공펌프에 대해서~

  대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 D법은 기판에 증착될 ... 중간에 다른 기체 분자들과 부딪혀서 기판에 닿지 못하거나 중간에 열을 잃어버려서 고체로 변해버리는 문제를 막기 위해 진공 환경에서 실험해야 하는 것이다.CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD ... LP-CVD (Low presure CVD), AP-CVD (Atmospheric presure)여기 에너지: Thermal, Plasma, Photon, Laser CVD반응 재료: MOCVD

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.08.17

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  84화합물 반도체 공정 [2조] 성장기술 (HVPE,LPE)

  LPE ) 분자선 에피택시 (molecular beam epitaxy; MBE ) 금속 유기물 화학 증착법 (Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD

  리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  CVD Chemical Vapor Deposition

  CVDW (WSix*)Al(CH3)3 AlCl3Plasma CVDAl(CH3)3열 CVDAl도 체 막(CH3)3Ga, AsH3 (CH3)3Al, AsH3 (C2H5)3In, PH3MOCVD화합물반도체 ... CVD) 레이져 (Laser Induced CVD)열활성화 CVD-Thermal Activated CVD 정상압 CVD (APCVD) HTCVD-고온도CVD LTCVD-저온도CVD MOCVD-유기금속CVD

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20

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  [전기전자] 반도체제작법

  반도체 전자소자를 만드는데에 이용되고 있다.MOVPE는 이 성장법의 고안자인 Manasevit에 의하여 Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.07.13

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  [발광디스플레이 실험] CNT소자의 제작과 특성평가

  PE CVD(Plasma Enhanced CVD), Photo CVD- 공정압력-AP CVD(Atmospheric CVD), LP CVD(Low Pressure CVD)- 원료물질-MOCVD

  리포트 | 16페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.12.28

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  박막증착

  비록 MOCVD가 더 빠른 과정이지만 ALD의 표면반응 성질(가스상 성분없이)은 뛰어난 단계의 범위를 제공하고 박막 일관성을 유지할 수 있다.ALD는 특히 홈이나 바이어스(bias)

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.05 | 수정일 2013.12.01

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  연소 화학 기상 증착법(Combustion Chemical Vapor Deposition)

  CVD (5) 반응 기체의 종류에 의한 분류 - CONVENTIONAL CVD : SiH4등 NONORGANIC METALLIC SOURCE - MOCVD (METAL ORGANIC ... TaN,ZrN,CrN,BN, SiN4,InN탄화물TiC,ZrC,HfC,NbC,TaC,SiC합금AlCr,ArNi,NiCr,DiamondCVDThermal CVDThermal CVD MOCVD

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.17

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  LED

  질화물계 LED 성장을 위한 MOCVD 반응 메카니즘- 기판과 에피층의 물리적 성질이 다름에도 불구하고 질화물계 LED의 기술혁신이 일어난 것은 저온 버퍼층 성장기술임.. ... MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)방법은 III족의 MO 가스와 V족의 hydride 가스가 고온에서 반응하여 III-V 고체상태의

  리포트 | 51페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.29

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  반도체 레이저 다이오드 (대학원 발표자료)

  0.78µm GaAlAs 1µm band InGaAsP Low noise High coherence 1990-1995 0.6 µm AlGaInP 0.4 µm UV/blue InGaN MOCVD

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.08

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  LED란

  -52-41.8-3.19.7-19.4*VPE:기상성장법, LPE:액상성장법, MOCVD:유기금속기상성장법LED의 종류와 특징1 GaP:ZnO 적색 LEDGaP 적색 LED는 1970년경부터 ... 0.30.150.140.36-0.720.7-1.050.78Ga0.65Al0.35As(DH)(DH)GaAsGaAlAsLPELPE빨강빨강6606602-45-90.84-1.602.0-3.6GaN사파이어MOCVD파랑초록4705203

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.30

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  CVD 공정

  에너지를 반응기체 분해 및 박막 증착할 때 이용하는 방법 공정 압력 AP CVD Atmospheric Pressure CVD LP CVD Low Pressure CVD 원료 물질 MOCVD

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.31 | 수정일 2018.09.28

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