"diode vt" 검색결과 181-200 / 251건

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  전자회로실험2 BJT DC 특성 예비보고서

  B만 없으면 C와 E는 상대적으로 다이오드 구조와 유사하여 전류가 흐를 것이다. ... 식2.6)으로 표현된 BJT의 콜렉터 전류는 Early 효과를 무시할 경우 다음 식과 같이 베이스-에미터 전압의 지수 함수로 표시된다.여기서 IS는 순방향 포화 전류이며, NF 및 VT는

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.24

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  [의용전자실험] 실험12. 파형 발생기 [사전보고서]

  준비물(1) CAD 프로그램을 이용한 회로 시뮬레이션 결과(2) 오실로스코프(3) 멀티미터(4) 직류 전원장치(5) 파형발생기(6) Op amp, 스위칭 다이오드, 저항 및 커패시터2 ... =±VsatR3/(R3+R2)이다.=±13*10000/(26000)=±5V이다.V가 무한대로 갈 때 Vsat이 되고, V0=-VT이다. ... V1=+VT참고로, T/2 = R1Cfo=1/T=이다.fo=1/(1.62R1C)R3/R2=0.859fo=1/2R1C -->>주파수가 R1C에값에 의존한다.=3164.56Hz참고로,

  리포트 | 7페이지 | 3,500원 | 등록일 2009.11.09

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  전자회로실험 실험7 결과

  (Hz)(f0) 이론값(Hz)1026.513.7513.25476.45004.726.56.86.227510001063.81526.52119.875333333.3결과 분석 및 토의(VT ... 이는 R과 C가 시정수(τ)를 조절하기 때문이다.마지막으로 진폭은 opamp의 최대포화 전압에 의해 제한되지만, 더 작은 진폭을 얻고자 하는 경우 피드백회로에 특정다이오드를 추가해줌으로써

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.11

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  [전자회로실험] BJT(Bipolar Junction Transistor)의 특성 예비보고서

  VT는 열전압으로 상온에서 약 26mV인 상수이다. ... 곡선군을 관측한다.배경지식① BJT (Bipolar Junction Transistor)바이폴라 접합 트랜지스터(이하 BJT)는 PN 접합의 실리콘(Si) 또는 게르마늄(Ge) 다이오드에

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.10.05

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  [공학]LED, LD, PD의 특성 실험

  0565044.05㏁300VT904LType 0565088.010㏁300VT904Type 05650110.020㏁300VT912LType ㎃(VO)full light ＝ Vb. ... (Å)Resistance(㏀)Minimum darkresistanceMaximumVoltageVT901Type 056504.3500㏀100VT902Type 056508.0750㏀100VT903HType ... 실험기기 및 부품디지털 멀티미터직류전원오실로스코프발광다이오드(적색, 황색, 녹색, 청색)적외선발광다이오드( SE4325)포토 트랜지스터 (MFOD300)다이오드 (1N914 )저항(

  리포트 | 27페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.04.20

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  [의용전자실험] 실험12. 파형 발생기 [결과보고서]

  즉, 다이오드와 저항을 이용하여 gain을 안정화 시키게 되어서 sin wave를 발생시키게 된다. ... 즉, 다이오드와 저항을 이용하여 gain을 안정화 시키게 되어서 sin wave를 발생시키게 된다. ... V1 = +VT참고로, T/2 = R1C, 주기이 나온다. 10nF일때도 마찬가지로 위의 식을 이용해서 풀면 위에서 계산한 것과 같은 값이 나오게 된다.트랜지스터 또는 진공관의 2단

  리포트 | 16페이지 | 4,500원 | 등록일 2009.11.09

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  Diode 원리와 응용 예비

  진공형 정류기 대신 널리 쓰이는 고체 정류기도 다이오드라고 한다.▶ Diode의 종류1. 발광 Diode (LED : Light Emitting Diode)2. ... 전류는 p형 쪽에서 건너가는 정공에 의한(n형 쪽에서는 소수 캐리어임) 것이다.I＝IS[exp(V/ηVT)－1]●정류회로에 관하여 조사한다.▶ 정류 회로란 교류로부터 직류를 얻어내는 ... 다이오드를 사용하여 교류의 +, - 어느 반 사이클에 대해서도 정류를 하고, 부하에 직류 전류를 흘리도록 한 회로이다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.26

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  CMOS IC로 제작 가능한 OP Amp., CMOS IC로 제작 가능한 Differential Amp.를 설계

  드레인 전류는 다이오드 결선 트랜지스터을 통해 따라 흐르게 될 것이고,와이 병렬로 연결된 곳으로 흐르게 될 것이다.따라서이 될 것이다. ... Device parameters Table 6.1 이용ParameterNMOSPMOStox(nm)99Cox(fF/μ)3.83.8μ(㎠/V·s)500180μCox(μA/)19068Vt0

  리포트 | 29페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.06.28

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  [기초전기회로실험]클리핑 회로 [결과]

  REPORT과 목:기초전기회로실험(예비)학 과:클리핑 회로학 번:이 름:담당교수:담당조교:6) 결과1)문턱전압VT(Si)=0.7V ,VT(Ge)=0.3V2)병렬 클리퍼a. ... 즉, 다이오드 전압이 0.7V 정도이고 다이오드 저항 또한 무시할 수 없는 양이기 때문이다.오실로 스코프로 실험결과를 관찰할 때 입력신호 스위치를 DC에 놓고 실험하도록 해야 올바른 ... 이는 다이오드의 문턱 전압때문이라고 생각한다.그리고 클리퍼된 부분이 완전히 직선적으로 되어있지 않다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.26

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  [예비] Propagation of microwave along lines

  기구 및 장치(1) 마이크로파 송신기 : 건 다이오드(gunn diode)를 사용하는 본 장치는 약 15mW의 출력을 낸다. ... 전파속도의 비에 대해 반대로 성립하는 경향이 있어 역사적으로 빛이 파동의 성질을 가지고 있는 증거가 되기도 하였다.입사각을 θi, 반사각을, 굴절각을라 하고 파가 속도 vi인 매질에서 vt인 ... 건 다이오드는 공명상자속에서 마이크로파에 대한 비선형의 저항체로서의 역할을 하여 출력은 다이오드의 축방향으로 선형편광되어 있다.

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.03

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  Physics and  Operation of ESD Protection Circuit Elements

  IV-CharacteristicsTypical diode ESD Protection Scheme4.3 Diode Device Physics::ESD Protection Circuit ... ,It1: Avalanche Breakdown ⊙ VSP : Parasitic Bipolar에 bias ⊙ Vt2 : Self Heating에 의한 Thermal Failure4.6 ... characteristics for NMOSDrain CurrentBreakdown VoltageESD Protection Circuit Physics and Operation⊙ Vt1

  리포트 | 29페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.09.10 | 수정일 2015.01.28

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  Class AB Output Stage

  다이오드 1N914§ 이론요약1. ... re1 = VT / i2re2 = VT / i2Rout = Vt/i1 // VT/i2 =§ 실험순서1. 그림 13-3과 같은 회로를 결선한다.2. ... AB급 회로의 바이어싱에는 다이오드를 사용한 바이어싱과 VBE 배율기를 이용한 바이어싱이 있다.3.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.23

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  예비 MOSFET증폭기

  게이트 소스 전압이 임계 전압 Vt를 넘기 전에는 드레인 전류가 흐르지 않고 양전압이 임계 전압 Vt 이상에서 드레인 전류를 증가시키게 되는데 이때의 임계 전압 Vt를 문턱전압이라고 ... 그러므로 소자측면에서 봤을 때 애노드를 맞댄 두 다이오드가 직렬로 연결된 것을 볼 수 있으며 이는 드레인과 소스 사이에 매우 큰 저항(약)을 가짐을 의미한다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.10

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  가변성 온도체계에 사용되는 vortex tube와 magic angle spinning NMR 저온의 온도 측정

  전형적으로 열전지 같은 도구나 다이오드는 이 같은 적용의 타입으로 사용되어져 왔다. ... Low temperature VT apparatus5. ... 이 배열은 효과적으로 단열과 기계적(자동적)으로 정확한 경로로 고정자에 VT가스를 제공한다.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.04

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  [기초전기실험] PN접합 다이오드의 정특성과 스위칭 특성 (결과)

  기울기(10.68) 은 log e/ NVt의 값이므로 Vt는 열전압 상수로서 25.2mV로 하면 N의 값은 1.613이 된다. ... 스위칭 다이오드는 보통의 다이오드 보다 축적시간이 매우 짧다.차이가 나는 이유는? ... 이런 점에서 트랜지스터의 콜렉터와 베이스를 단락시켜 다이오드의 P전극, 이미터를 N극으로 하여 만든 다이오드는 보통의 다이오드와 비슷한 작용을 하지만 내부의 축전기효과는 많이 줄어

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.03.23

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  [전자회로실험]사전4_5-7.클리핑,클램핑회로, 발광다이오드 및 제어다이오드

  -역방향 바이어스Vo=-13.1uV(다이오드가 open상태가 되어 거의 0V가 출력된다)클램퍼 (R, C, diode 조합)ab-Vi=+4VVc=4 – 0.5239 = 3.4761VVo ... 클리퍼ab-순방향 바이어스Vo=4V-역방향 바이어스V다이오등의 첨두전압만 큼 걸리게 됨)-순방향 바이어스Vo=4(입력신호만큼 출력)-역방향 바이어스Vo=-2.097mV(-(Vdc+VT ... 클리핑,클램핑 회로,발광 다이오드 및 제너 다이오드사전보고서제출일전공조학번조원이름이름1.

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.01

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  lab4

  저항계는 극성을 갖고 있으므로 일단 다이오드에 적용하여 저항계의 극성을 확인하는 것이 좋다. ... PN 다이오드에서 띠가 둘러진 쪽이 음극(n type, cathode)에 해당됨을 상기하라. ... 다음의 방정식을 이용하여 위의 결과 값을 가지고 n과 IS를 계산하라.이 식에 양변에 로그를 취하면이때의 VT 값은 실온에서 약 25mV 이다.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.12.07

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  [워드2003]전자회로실험_사전4_5-7.클리핑,클램핑회로, 발광다이오드 및 제어다이오드

  -역방향 바이어스Vo=-13.1uV(다이오드가 open상태가 되어 거의 0V가 출력된다)클램퍼 (R, C, diode 조합)ab-Vi=+4VVc=4 – 0.5239 = 3.4761VVo ... 병렬 클리퍼ab-순방향 바이어스Vo=4V-역방향 Ge다이오등의 첨두전압만 큼 걸리게 됨)-순방향 바이어스Vo=4(입력신호만큼 출력)-역방향 바이어스Vo=-2.097mV(-(Vdc+VT ... 클리핑,클램핑 회로,발광 다이오드 및 제너 다이오드사전보고서제출일전공조학번조원이름이름1.

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.01

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  마이크로웨이브 예비레포트

  (gunn diode)를 사용하는 본 장치는 약 15mW의 출력을 낸다. ... 건 다이오드는 공명상자속에서 마이크로파에 대한 비선형의 저항체로서의 역할을 하여 출력은 다이오드의 축방향으로 선형편광되어 있다. ... 대해 반대로 성립하는 경향이 있어 역사적으로 빛이 파동의 성질을 가지고 있는 증거가 되기도 하였다.입사각을 θi, 반사각을 θr, 굴절각을 t라 하고 파가 속도 vi인 매질에서 vt인

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.27

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  실험5 PN 접합 다이오드의 정특성과 스위칭 특성

  여기서 Vt는 열전압 상수로서 25.2mV로 주어져 있다. log e/ NVt = 10.684459에서 우리는 N의 값을 구할 수 있다. ... 스위칭 다이오드의 축적시간이 보통의 다이오드보다 현저히 짧다. ... 토의사항트랜지스터로 만든 다이오드와 보통의 다이오드에서 축적시간이 차이가 나는가?

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.04.24

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