"비정질실리콘 층" 검색결과 201-220 / 223건

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  thin film process와 핵생성과정

  예를 들어 비정질상태의 붕소는 다음 반응에 의해 기질강화를 위한 텅스텐 선이 형성되어진다.3/2H2(g) + BCll들은 모든 방향으로 튀어나간다. ... 산란되는 이온의 비율은 이온의 에너지, 이온 질량 mi에 대한 target 원자의 질량 mt의 비에 의하여 좌우된다. mt/mi의 비가 1에서 10으로 증가함에 따라 fraction은 ... 때때로 바람직함에도 불구하고 기상침전은 silane으로부터 적층 실리콘의 증착처럼 일반적으로 바람직하지 않다.

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.12.09

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  [재료공학] TFT의 특성 및 제작과 LCD에의 활용

  Jang 등에 의해 누설전류가 작고 안정성이 높은, Cl이 함유된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터가 보고되었다. 표 1 에 TFT의 개발 역사가 요약되어 있다.2.2. ... AMLCD에서는 박막트랜지스터(TFT:Thin Film Transistor) 하나에 의해 화소 하나의 전압을 조절하여 화소의 투과도를 변화시킨다.최근 산업계에서는 비정질 실리콘을 능동층으로 ... 1978년 Lipton 등에 의한 MOSFET 1.75형, 30625화소 LCD와 Brody와 Luo에 의한 CdSe TFT LCD가 개발되었다. 1979년에 LeComber 등이 비정질

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.11.03

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  [반도체공학] pn반도체의 활용과 그 예제

  이 것은 비정질 실리콘 및 금속 전극에 다수의 미소한 구멍을 균일하게 설계한 것으로 채광성이나 투시 성을 가진 새로운 개념의 태양전지 이다.- 플렉시블 태양전지플라스틱 기판 위에 비정질 ... 실리콘을 형성한 초경한 태양전지이다. ... 정공으로 되지만 전자 -와 정공 +의 조합에 전계의 힘이 작용하여 -전자는 +쪽 그리고 +정공은 -쪽으로 뿔뿔이 흩어져 움직인다.PN 포토다이오드의 P층과 N층 사이에 I층이란 층을

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.11.28

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  [마이크로 일렉트로닉스] 마이크로 일렉트로닉 개요

  다른 방향 하나는 현재 사용되는 단결정 실리콘 대신에 특정응용분야에 비정질 실리콘을 사용하는 것이다. ... SiO2층은 실리콘 표면에 강하게 부착되며 마스크로서도 사용될 수 있다. ... 그후, 아주 깊 게 비소원자들을 이온주입법으로 주입하는데, 이 비소 원자들은 p-우물의 얇은 옥사이드 층으로만 덮여져 있는 영역을 관통할 만큼 깊게 주입되어야 한다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.07.02

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  [반도체] 플라즈마에칭

  Si 화⇒비정질 Si층이 F, Cl 원자에 의해 식각∵ 비정질 Si 층이 SiO2에 비해 F, Cl Atom과 더 쉽게 반응한다.그림 2. ... Silicon or Poly-Silicon Etching(1). ... 불소에 의한 실리콘 식각② 산소의 첨가가 미치는 영향산소가 불포화종과 반응하여 불소원자가 증가하게 되고 폴리머 형성이 억제되 식각률이 증가하게 되고 그로 인해 선택비가 증가된다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.13

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  LCD

  비정질 실리콘 TFT-LCD는 액정 TV에서 노트북 PC, 워크스테이션에 이르기까지 다용도로 이용된다. ... 따라서 대비비 100:1 이상을 가질 수 있다.여러가지 능동행렬 기술들이 개발되었음에도 불구하고, 오늘날 가장 많이 사용되고 유력시되는 디스플레이는 비정질 실리콘 TFT와 저온 다결정 ... 따라서 13″이상의 모니터용 광시야각 TFT-LCD는 제 4세대 액정 디스플레이로 분류할 수 있다.액티브 매트릭스 LCD 제작에 사용되는 TFT는 대부분 비정질 실리콘 TFT이고,

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2001.06.13 | 수정일 2015.03.05

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  [반도체] si 반도체

  이용할 수 있고,③ 광회로 칩에 광섬유를 부착할 때 또는 다른 광소자들을 광회로 칩에 hybrid 집적할 때 Si의 비등방성 V-groove 식각을 이용한 정밀 가공을 할 수 있다 ... 비교GeSiGeAsSiO2원자량72.628.09144.6360.08(원자, 분자) /cm24.42x10225.00x10222.21x10222.3x1022결정구조다이아몬드다이아몬드징크블렌드비정질유닛셀당 ... 0항복전장83035600선형 열팽창 계수5.8x10-62.5x10-65.9x10-60.5x10-61-2 기판으로 Si를 사용할 경우의 장점① Si 전자소자를 집적할 수 있고,② Si 산화막을 도파로 바닥 층으로

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.31

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  [재료] LCD

  각 픽셀마다 트랜지스터를 가지고 ucter) FET의 일종으로 유리기판위에 Amorphous-Silicon(비정질실리콘) 등의 반도체박막을 형성시켜 여기에 FET구조를 만든것을 말한다 ... 형성기술은 수백옹스트롬내지 수천옹스트롬의 얇은 막을 절연기판상에 진공증착(Vapor Deposition)에 의해 형성하는 기술로서 처음엔 박막 재료로 CdS등이 사용되었으나 지금은 비정질실리콘막이 ... 아모퍼스실리콘 TFT의 드레인(drain)과 소스(source)층은 고농도의 아모퍼스실리콘으로 형성, 절연층은 CVD(Chemical Vapor Deposition)기법에 의해 형성된다

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.06.23

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  TFT-LCD 제작공정

  반도체막으로는 활성층을 이루는 비정질 실리콘(a-Si:H)과 접촉 저항층을 이루는 도핑된 비정질 실리콘막(n+ a-Si:H)이 있다.Sputtering은 RF power나 DC power에 ... 매우 얇으며, 층 내 에서의 분자 배열은 장축 방향이고 층의 면은 평행 이다. ... TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)는 TFT(Thin Film Transistor)소자의 종류에 따라 a-Si(amorpho us silicon

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.06.01

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  [반도체공정] Photoresist 및 OF

  TOPAS Cyclic-Olefin Copolymers (COC): Ticona Corp.라는 회사에서 합성한 물질로서(TOPAS는 상품명이다) 회사 홈페이지의 원문을 해석해보면, 비정질에 ... 특히 HfO2는 poly-silicon gate metal을 사용할 수 있다고 알려져 있기 때문에 다른 물질에 비해서 많은 관심과 연구가 진행되는 물질이다.http://gong.snu.ac.kr ... 이 층을 PSG라고 한다.

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.19

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  [태양전지] 태양전지의 현상태와 전망

  현재 이런 방법으로 비정질 실리콘 태양전 지의 효율은 약 12%이상 그리고 모듈(module, 1평방 피트) 로서는 10% 이상의 고효율을 기록하고 있다.CuInSe2태양전지(CIS ... 깨짐으로써 전압차(potential drop)가 생기고 이 때 p-n접합 다이오드의 양극단에 발생된 기전력을 외부 회로에 연결하면 태양전지로서 작용하게 된다.5.발전시스템태양전지는 비.눈 ... 설치비용 : 804,000천원- 송전형태 : 24시간 전원공급국외일본 교세라 본사빌딩 적용 214kW급 태양광발전시스템1m^2의 면적을 갖는 태양전지 모듈을 옥상에 504매, 3층이상의

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.03.07

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  [화학, 정보통신, 신소재]정보통신 신소재-광섬유, 액정, 기록용유기재료

  현재 사용되는 대부분의 제품은 비정질 실리콘 박막트랜지스터를 이용한 LCD이고 향후 다결정질 실리콘 박막트랜지스터로의 전환이 예상된다.2. ... 또한 박막트랜지스터의 활성층(active layer)의 종류에 따라 비정질 실리콘(a-Si:H) TFT-LCD, 다결정질 실리콘(poly-Si) TFT-LCD, Cd-Se TFT-LCD등으로 ... 색소 및 보호막 (UV lacquer)등으로 구분되지만, 기록층용 유기재료에 중점을 두어 알아보고자 한다.1.

  리포트 | 46페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.07.19

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  [반도체] 반도체 제조 공정

  이 집적회로의 실리콘 기판은 불순물이 첨가된 p형(또는 n형) 반도체로서 보통 그 위에 n형(또는 p형)의 실리콘 박막층을 부착시켜 그곳에 p형(또는 n형) 영역을 형성시켜 이들 p형과 ... 대부분은 결정체(結晶體)를 이루고 있으나 비정질(非晶質:amorphous)의 것도 주목을 받고 있다.반도체는 흔히 단어 그대로 전기가 반쯤 통하는 물질로 알려져 있지만 실제로는 좀더 ... 이 단결정의 박막층을 에피(epitaxial)층이라 한다.

  리포트 | 71페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.06.03

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  [재료공학] LCD 제조공정

  실리콘으로 제작된 pixel array에 single crystal silicon으로 제작된 구동 LSI를 TAB등의 방법으로 연결하여 구동한다. ... TAB 은, driver IC를 carrier tape 위에 장착함으로써 이 문제를 해결한 방법이다.현재 노트북 컴퓨터 등에 널리 사용되고 있는 TFT-LCD는, 일반적으로 비정질 ... Rein nematic 상과 동일하지만 위 아래 층에 대해서 꼬인 방향의 director를 갖는 구조를 형성하게 한다.

  리포트 | 27페이지 | 2,500원 | 등록일 2003.04.18

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  [반도체공정] NMOS 공정

  Torr 25% SiH4/H2, 기압 : 0.3~1 Torr☞ 560ºC 이하에서는 실제 사용하기에는 너무 느린 증착률( 50 Å /min) 이 나타날 뿐만 아니라, 다결정이 아닌 비정질형태의 ... (Si)과 O2가 결합하여 실리콘 산화막인 SiO2층이 형성되며 이 산화막은 약 40Å 정도로 키운다.SiO2P-SiThermal OxidationBase Oxidation웨이퍼 위에 ... 초기에는 제조하기가 쉽다는 점에서 N형 실리콘을 기판으로 사용하는 PMOS형이 사용되었으나 NMOS형이 채용되기 시작하였다. 이것은 P형 실리콘을 기판으로 사용한다.

  리포트 | 30페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.11.11

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  반도체특성(결과)

  특히 근래에 와서는 다결정 실리콘이나 비정질 실리콘을 이용한 태양전지의 개발과 실용화가 크게 각광을 받고 있다.2. ... n형층으로부터 주입된 양공(陽孔:양전하의 캐리어)과 전자는 중앙의 영역 내에서 외부로부터의 자기장(이 책자의 면에 수직된 방향)이 충분히 강하게 되면 그 행로가 구부러져서 재결합면(층) ... 이 용량값, 즉 커패시턴스는 이 역방향의 바이어스 전압 Vp에 따라 변하는데, 일반적으로 그들 관계는 비직선적이다. 즉, 용량은 Vp에 비례하지는 않는다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.03.30

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  [전지] 태양(광)전지

  - crystalline silicon solar cell )비정질 실리콘 태양전지 ( amorphous silicon solar cell )화합물 반도체 태양전지 ( compound ... 태양전지 ( silicon solar cell )단결정 실리콘 태양전지 ( single - crystalline silicon solar cell )다결정 실리콘 태양전지 ( poly ... 독점판매 추진 (예 : 국내의 PCS사 중 일개 회사, 일본 Sony, Panasonic사 중 일개 회사 선택) 개발된 제품을 휴대폰의 사은품으로 제공 시에 위크맨을 사용하는 젊은 층과

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.10.22

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  [재료금속공학] FED정의 및 원리와 제작방법

  또한 탄소 나노 튜브는 전자방출 특성이 기존의 Mo, 다이아몬드 박막이나 비정질 탄소에 비해 전지전도도 및 열전도도 등이 우수하다.또한, Emitter의 반경을 줄이고, gate hole의 ... 이러한 성질의 탄소 나노 튜브는 전자 방출원으로 크게 각광 받고 있으며, 튜브의 직경이 수 나노 미터에서 수십 나노 미터이며 탄소 층이 튜브형태로 말린 1차원적 형상을 띠고 있다, ... 들고 수율 및 생산성이 높아야 한다.이상과 같은 점들을 고려하여 현재까지 사용되어 온 전계 방출 재료들을 살펴보면, 금속으로는 몰리브덴및 텅스텐 등이 있고, 반도체로서는 단결정 실리콘이

  리포트 | 29페이지 | 4,000원 | 등록일 2005.01.10 | 수정일 2021.08.20

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  [재료과학 세라믹] 화장품과 세라믹 나노기술

  열분석에 의하면 800℃ 정도까지는 매우 단조로운 곡선을 나타내지만 850℃정도에서부터는 결정수가 탈수되고 분해되어 엔스테타이트와 비정질의 실리카로 변한다. 1,100∼1,300℃에서 ... 소결하게 되면 비정질의 실리카는 크리스토발라이트로 변한다...PAGE:11고운 입자 속의 아름다움의 비밀활석은 앞서 설명한 여러 광물학적 특성 때문에 다양한 등급에 따라 특정한 상업적 ... 상당량의 세라믹스를 함유화장품의 기술동향-기능성 화장품 개발에 집약적Ex) 미백화장품, 주름방지 화장품, 자외선차단 화장품고운 입자 속의 아름다움의 비밀화장품의 기원은 이집트의 고위층

  리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.10.01

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  미래의 에너지

  그러나 비정질계의 경우 장시간 사용시에는 점차 퇴화가 빨라져서 효율이 감소한다는 단점이 있다.일반적인 태양전지의 구조와 원리를 살펴보면 단결정실리콘 태양전지의 경우에는 실리콘에 5가의 ... 풍력에너지풍력에너지는 기원전부터 인류에 이바지한 에너지로서 물을 퍼내거나 곡식을 찧거나 또는 배를 움직이게 하는 등 근세에까지도 에너지원으로서 큰 비중을 차지하고 있다.바람은 대기층이나

  리포트 | 41페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.07.05

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