"EUV기술" 검색결과 201-220 / 234건

• 

  기술개발사업과 나노핵심기반기술, 디자인기반기술, 기술개발사업과 산업디자인기술, 민군겸용기술, 기술개발사업과 환경기술, 환경기술실증화사업, 기술개발사업과 우주개발사업, 평가관리

  공정기술, 미래형 나노 리소그래피 기술, 나노 바이오센서 기술, 나노재료의 표면/계면 구조 제어기술, EUV? ... 기술개발사업과 나노핵심기반기술, 디자인기반기술, 기술개발사업과 산업디자인기술, 민군겸용기술, 기술개발사업과 환경기술, 환경기술실증화사업, 기술개발사업과 우주개발사업, 평가관리 분석Ⅰ ... 기술개발사업과 나노핵심기반기술1. 나노핵심기술개발사업1) 사업목적 및 성격2) 지원내용3) 사업 추진방법4) 지원대상기술2.

  리포트 | 14페이지 | 6,500원 | 등록일 2013.04.12

  다운로드 장바구니
• 

  NANO과학이란?

  현재 기업들의 동향을 보자면 이 두가지 중에서 EUV쪽으로 약간 기운듯 하다. ... EUV방식보다 더 미세한 패터닝을 할수 있는 장점이 있지만 아직 양산에 어려움이 있고, 비용도 만만치 않은 단점이 있습니다.Bell Lab. ... 2기의 근본적 과제라고 한다면, 다음 3기에서의 과제는 "양자eam Lithography라고 한다.① EUV(Extream Ultraviolet)리소그래피말그대로 Exposure공정에

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.01.18

  다운로드 장바구니
• 

  nanotechnology

  Memory)를 기준으로, 2005년에는 16Gbit-0.1㎛ 즉,100nm의 시대 예상 - 현재의 리소그래피 [전자선(E-beam), 극자외선(Extreme Ultra Violet : EUV ... 나노 공정 및 제조기술 7. 참고문헌나노 기술에 사용되는 핵심 도구1. ... 개론, 삼성전기 교재 핵심기술 단기과정 양성(2001) 주병권, 이윤희,나노 기술um의 벽을 허물다, 월간전자기술,p141,(2001) 주병권, 나노테크놀리지,전기전자재료,4(2002

  리포트 | 20페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.06.23

  다운로드 장바구니
• 

  [재료공학]리소그래피

  한 예로 Extreme Ultraviolet사는 초자외선(EUV) 리소그래피 공정 기술 개발에 상당한 진전을 보이고 있으며, 최근 제조 장비 개발도 착수했다. ... 한편, 로렌스 국립 연구소에서 EUV 기술을 개발하고 있는 PD Chuck Gwyn씨는 2002년까지 시험 개발이 완료될 것이며, 2005년에는 시장에 출시될 예정이라고 한다. ... EUV와 같은 차세대 리소그래피 기술이 없다면, AMD사나 인텔사는 더 이상의 고속 칩 개발이 불가능하다고 한다.Extreme Ultraviolet사의 공정 장비 개발 계획에는 로렌스

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.06

  다운로드 장바구니
• 

  [기계공학]노광기

  다층막 코팅기술이 요구된다.③ EUV 광은 거의 모든 물질에 흡수된다.- 물질의 표면에서 20 ∼ 50 nm안에서 EUV광이 흡수되기 때문에 일반적으로 반도체 IC 제작에 필요한 ... EUVL 의 원리 및 시스템의 구성특징:-파장 13.4 nm EUV 이용-EUV는 렌즈를 통과할 수 없으므로 거울의 반사를 이용하여 상을 축소-EUV 반사율을 극대화하기 위하여 모든 ... EUVL의 단점① EUV 시스템에 들어가는 거울(Mirror)을 제작하기 어렵다.- 무결함 표면이 필요하고, 허용 오차가 매우 작다.② EUV 용 마스크 제작이 매우 어렵다.- 무결함

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.05.26

  다운로드 장바구니
• 

  반도체 공정과 리소그래피 개요

  EUV가 물질에 흡수) 진공상태에서 동작, 집광렌즈를 통해 빔으로 형성 거울의 제작과 측정이 어려워 고도의 기술 요Electron beamNon-Optical Lithography원하는 ... 집적회로 제조과정에서 마스크(mask) 상의 회로 패턴을 웨이퍼(wafer) 위에 옮기를 공정석판화 기술, 인쇄 기술 : litho(돌) + graphy(그림, 글자)반도체 공정에서의 ... VioletOptical lithographyλ=13.5nm의 플라즈마 레이져 사용 10~30nm 소자 양산에 적용 가능 굴절 광학계로 쓸 수 없어 반사경 광학계로 사용 (∵13.5nm의 EUV영역에서는

  리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.01.18

  다운로드 장바구니
• 

  SiO2 박막의 식각 및 PR 제거

  이와 같은 문제를 해결하기 위해 개발된 기술이 건식 식각이라 하겠다.건식 식각은 웨이퍼 ... SCALPEL의 마스크는 4X 마스크로서 복잡한 분해능 개선 기술이 필요치도 않고 비싼 렌즈가 필요한 시스템도 아니다. ... 최근 연구 활동은 50㎚의 선 폭을 인쇄하기 위해서 248㎚DUB광원, 화학 증폭 DUV 레지스트, 그리고 위상시프트 마스크를 사용한다.① Extreme UV(EUV)광학 리소그래피의

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.19

  다운로드 장바구니
• 

  [나노가공] Nano Technalogy(나노공학)

  이용 EUV는 렌즈를 통과할 수 없으므로 거울의 반사를 이용하여 상을 축소 EUV 반사율을 극대화하기 위하여 모든 광학 소자에 다층박막 이용 빛을 사용하는 점에서 광학적 노광의 기술적 ... 표면이 필요하고, 허용 오차가 매우 작다. ② EUV 용 마스크 제작이 매우 어렵다. - 무결함 다층막 코팅기술이 요구된다. ③ EUV 광은 거의 모든 물질에 흡수된다. - 물질의 ... Stamping Embossing Injection Molding 미세액적제어 대면적화기술비접촉식Lithographye-Beam FIB X-Ray Source 기술 EUVLLithographyMoore's

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.10.01

  다운로드 장바구니
• 

  플라즈마 생성과 응용

  강력한 EUV를 내는 광소스는 리소그래피에 사용되며 전자빔, 이온빔과 같은 전하입자 빔은 핵융합, 환경산업 등에 사용되고 있으며, 또한 기존의 플라즈마 소스의 약점을 극복하여 새로운 ... 개념의 플라즈마 소스로 대체하는 기술입니다. ... 정의 지금까지 설명된 플라즈마 발생 기술이외에 신개념 저온 플라즈마 발생 시스템 및 차세대 신기술에 사용될 수 있는 플라즈마를 이용한 시스템을 의미한다. -.

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.09.29

  다운로드 장바구니
• 

  신소재개론 기말

  정밀도도 높고 particle도 튀지 않아 정밀한 작업이 가능Photo Lithography- 빛을 이용한 전통적인 리소그래피- ‘50nm 장벽’을 극복하기 위한 리소그래피- 종류 : EUV ... 공에 나타내는 기술이 나왔는데, 그런 것은 현재의 기술로는 당연히 불가능하다고 생각한다. ... - 미세가공 기술의 극한을 추구 - 분자 나노 기술의 개념 추구원자나 분자를 자유자재로 조작하여원하는 기능, 구조체를 형성하는 기술- 반도체의 미세화, micro machine 등이

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.10.29

  다운로드 장바구니
• 

  sams (Self-Assembled Monolayers )

  EUV(Extreme Ultraviolet)공정에 의한 최서 패턴 크기(20nm)에 버금가는 정밀도 4.연속 공정 개념을 적용 5. ... 하지만 이를 이용하여 기판과 tip에 존재하는 분자들의 화학적 결합을 통하여 기판에 self-assembly 하는 기술이 DPN 기술이다.DPN 기술의 장점은 다음과 같다. ... 기술적으로는 매우 단순한데, 요철을 만드는 방법과 유사한 방법으로, 기판 위에 Nano scale의 구조를 가진 resistor(stamp, 주형)를 얹고 가열하여 녹인다.

  리포트 | 59페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.11

  다운로드 장바구니
• 

  photolithography

  이에 따라 포토마스크 기술도 반도체 공정의 정교함과 복잡성에 발맞춰 획기적인 기술 진보를 거듭하고 있습니다.한편, 반도체 칩에 4분의 1크기로 축소돼 회로 패턴이 그려지는 반도체 공정용 ... 주류를 이루고 있고 이들은 각각 ~80-200 nm, ~65-90 nm 미세 선폭의 구현을 담당하고 있다. 65 nm 이하의 선폭 구현은 F2 (157 nm) 레이저, 원자외선 (EUV ... Negative형반응 형태극성변화형, 해중합형, 가교형, 중합형구성 성분수1성분, 2성분, 3성분광원g-line(436nm), i-line(365nm), KrF(248nm),ArF(193nm), EUV

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.24

  다운로드 장바구니
• 

  [반도체] 반도체 공정

  EUV lithography◎ 장점 :① 기존의 광리소그래피(optical lithography) 개념을 10～14nm 파장까지 연장하는 기술로 현재의 설계 및 요소기술(component ... 용 마스크 제작이 매우 어렵다.- 무결함 다층막 코팅기술이 요구된다.③ EUV 광은 거의 모든 물질에 흡수된다.- 물질의 표면에서 20 ～ 50 nm안에서 EUV광이 흡수되기 때문에 ... 리소그래피에 적용할 수 있다.단점 :① EUV 시스템에 들어가는 거울(Mirror)을 제작하기 어렵다.- 무결함 표면이 필요하고, 허용 오차(～옹스트롱 )가 매우 작다.② EUV

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.01

  다운로드 장바구니
• 

  Lithography 및 PR, etchant

  Negative형반응 형태극성변화형, 해중합형, 가교형, 중합형구성 성분수1성분, 2성분, 3성분광원g-line(436nm), i-line(365nm), KrF(248nm),ArF(193nm), EUV ... 그후 1970년대 중반에는 반도체 대량생산에 획기적인 기여를 하면서 Photo Lithography의 기술개발에 전기를 마련한 Stepper의 시대가 시작되었다. ... 이 기술이 조금 더 발전하여 Mask와 Wafer간의 Gap을 줄여 해상력을 높였는데 Gap의 차이에 따라 Soft Contact, Hard Contact(10∼20㎛ 이하) 그리고

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.11.06

  다운로드 장바구니
• 

  [전자재료, 반도체, 광학]리소그래피

  ), ArF(193nm), F2(157nm)로 구성된 레이저계 노광장치, G-line(436nm), I-line(365nm)로 구성된 램프계 노광장치 그리고 EUV 노광장치로 구분되고 ... 노광 기술이라고도 하며, 포토마스크 기판에 그려진 반도체 회로 패턴을 웨이퍼 상에 전사하는 공정으로, 반도체 제조 공정에 있어서, 회로의 미세화와 집적도를 결정짓는 핵심 공정이다. ... 리소그래피 기술의 분류반도체 제조용 노광 장치는 사용되는 광원의 종류에 따라 광학식 노광장치와 비광학식 노광장치로 구분되며, 광학식 노광장치는 사용되는 광원의 종류에 따라 KrF(248nm

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.08.31

  다운로드 장바구니
• 

  전파의 종류와 용도 EMI/EMF/EMC 전리층 명칭

  현재의 기술로는 거대한 설비가 필요하고 안개나 수증기 등에도 흡수되기 때문에 통신용 전파로 사용하기에는 부적합하다. 현재까지는 미사용 주파수대이다.Ⅱ. ... 관점에서 보면 최고 2,000km까지 확장할 수 있으므로 전리층 영역은 지표면 상공 65km부터 2,000km까지의 공간이라고 할 수 있다.전리층은 태양으로부터 복사되는 극자외선(EUV

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.17

  다운로드 장바구니
• 

  Soft Lithography 와 그의 특징, 종류 및 장․단점,PDMS 물질의 장·단점

  기술이다. ... 즉, 발전된 lithography의 영향으로 인하여 현재, extreme UV(EUV) lithography, soft X-ray lithography, electron beam writing등의 ... 그는 DPN 기술을 이용하여 단분자막을 나노 차원에서 패턴닝 한 결과를 발표하였다.

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.02.21

  다운로드 장바구니
• 

  Soft Lithography

  기술이다. ... Field Size에 무관하며 EUV(Extreme Ultraviolet)공정에 의한 최서 패턴 크기(20nm)에 버금가는 정밀도를 가지고 있으며, Flexography와 같은 연속 ... 그는 DPN 기술을 이용하여 단분자막을 나노 차원에서 패턴닝 한 결과를 발표하였다.

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.02.21

  다운로드 장바구니
• 

  [재료공정] 소프트 리소그라피

  Moore's Law에 따른 트랜지스터 집적도의 변화추이(2) 현재는 100nm이하의 미세구조 제작이 필요- DUV(Deep UV), EUV(Extreme UV), E-Beam 등으로 ... Soft Lithography의 필요성(1) Moore's Law and Limitation of Photolithography- 현재의 전자공학 기술의 발전은 기본적으로 반도체와 ... 100nm이하의 미세구조 patterning이 가능하나 비용 및 기술적 어려움이 발생(3) 새로운 Lithography의 필요성 대두- Havard Univ.의 G.M.

  리포트 | 3페이지 | 무료 | 등록일 2005.04.01

  다운로드 장바구니
• 

  [공학]플라즈마와 투명전극, 투명전극 재료

  강력한 EUV를 내는 광소스는 리소그래피에 사용되며 전자빔, 이온빔과 같은 전하입자 빔은 핵융합, 환경산업 등에 사용되고 있으며, 또한 기존의 플라즈마 소스의 약점을 극복하여 새로운 ... 반도체 기술 분야- 건식 식각 장비기술- 박막 증착 장비기술- 반도체 PR 에싱(ashing) 장비 기술? ... 나노기술 (Nano Technology) 및 바이오 기술 (Bio Technology)분야- ALD(Atomic Layer Deposition) 성장 기술- 탄소나노튜브 성장기술-

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.13

  다운로드 장바구니