"MOCVD 공정" 검색결과 201-220 / 224건

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  [반도체공정] Photoresist 및 OF

  metal을 사용할 수 있다고 알려져 있기 때문에 다른 물질에 비해서 많은 관심과 연구가 진행되는 물질이다.http://gong.snu.ac.kr/~dtflab/kor/hfo2_mocvd.htm ... 248 nm 의 KrF 포토레지스트가 사용65 nm 선폭 공정에 193 nm 의 ArF 포토레지스트가 사용60 nm 이하의 선폭 공정에 F2 (157 nm) 가 사용될 것으로 예상나 ... ＊졸업 논문＊제목 : Photoresist 공정 및 OTFT관련 유전물질목차- 서론 -- 본론 -1. LITHOGRAPHY2.

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.19

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  [태양전지]태양전지

  Sublimation, CSS), 진 공증착법, 전착법, screen printing, spray pyrolysis, metallorganic chemical vapor deposition(MOCVD ... CIS층은 진공증착 또는 금속막을 증착한 후 selenization공정을 거치는 2단계 방법 등으 로 만들어진다. ... 기존의 박막 제조공정을 이용할 경우 보다 값싼 방법으로 태양전지의 대량생산이 가능 큰 단점은 가격이 매우 비싸다는 점이다.

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.07.19

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  NANO코팅

  .[9] MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)이 CVD법에 해당된다. ... 가스를 공급하여 열, 플라즈마, 빛(UV or LASER), 또는 임의의 에너지에 의하여 열분해를 일으켜 기판의 성질을 변화 시키지 않고 solid Deposition를 이루는 합성공정이다

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.11.22

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  건식도금(pvd, cvd)

  유기 금속 등의 가스 종을 변화시킴에 따라 조성을 자유로이 설계할 수 있는 것이 나왔으며(MOCVD), 대면적에 균질한 박막의 제작이 보증된다.PVD박막 구성원자의 증발, 기판 표면으로 ... 공정이 저진공상태에서 수행되므로 다른 불순물에 의한 오염 가능성.(3) 이온 도금- 이온도금은 고체물질을 가열 혹은 입자를 충돌시켜 원자, 분자로 분해하고 다시이것을 D.C나 R.F전원으로

  리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.10.17

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  [반도체공학] 반도체기초과정

  CVD(5) 반응 기체의 종류에 의한 분류- CONVENTIONAL CVD : SiH4 등 NONORGANIC METALLIC SOURCE- MOCVD (METAL ORGANIC CVD ... (Development)공정식각(Etching)공정화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)공정금속배선(Metallization)공정웨이퍼 자동선별(EDS ... 몰딩공정

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.04.21 | 수정일 2021.03.30

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  [공학]반도체, LED용 특수재료가스 산업 현황

  주요 특수 가스암모니아(NH3)수요처실리콘반도체 질화막 재료, LCD 분야 개척(TFT 절연질화막형성재료)고휘도 청색 LED용 질화갈륨(GaN)용 MOCVD재료.주요 업체 : 쇼와정공과 ... 반도체 재료의 종류와 생산업체구분종류용도생산업체기능재료웨이퍼칩의 기판LG실트론, MEMC공정재료포토마스크석영유리판에 회로를 묘화한 회로도CC ... ), 수소(H2) 등 보통의 산업용가스와 달리 특수한 목적으로 사용되는 가스를 말함.특수가스의 시장 특성 및 현황일반 제조업종에서 사용처가 확장되고 있으며, 새로운 산업, 새로운 공정이

  리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2006.08.03

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  [물리화학]태양열전지

  ENERGing)기술 개발에 주력, 기존보다 생산성은 5배 높은 반면 원가는 50% 절감할 수 있는 새로운 공정기술을 개발하는 데 성공했다.문 박사팀은 “최근 CCCC공정에 관한 국내 ... 박막CuInSe2전on, CSS), 진 공증착법, 전착법, screen printing, spray pyrolysis, metallorganic chemical vapor deposition(MOCVD ... CdTe전지 기술은 소위 "superstrate" 구조가 제안되고 마지막으로 화학적 용액 성장법으 로 CdS를 입히는 공정이 제안되었을 때 각각 전지의 효율이 획기적으로 증가되었다.

  리포트 | 11페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.05.06

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  [박막] 박막(thin film)

  높은에너지의 공정이므로 밀착 강도가 높다. ... CVD 공정은 여러가지 방법으로 분류될 수 있는데, 사용가능하다. ... 또 film상의 이온에 손상이 없고 증착할 부분을 선택하여 증착할 수 있다.③ MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)MOCVD법은 극박막을

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.27

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  [Chemical Vapor Deposition ] CVD

  WHAT'S MOCVD?? ... 다른 많은 박막제조공정과 비교해 볼 때, CVD는 다양성, 적용성, 제품의 품질, 단순성, 재활용성, 생산성, 가격문제 등에서 매우 큰 장점을 가지고 있다. ... CVD 공정은 여러가지 방법으로 분류될 수 있는데, 먼저 사용되는 반응의 활성화 에너지원에 따라 thermally-activated CVD , plasma-enhatrides의 증착은

  리포트 | 26페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.11.21

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  [반도체 공정, 반도체 기본, 반도체, CVD, P] 반도체 예비레포트

  MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) : 실리콘 유기화합물(TEOS)의 열분해를 통해 산화막을 증착시킨다. ... 이중 막의 성질은 산화막의 형성 방법에 따라 결정된다.1.1.1 산화막의 형성공정① 200℃이하 공정? ... (산화모델을 들어 설명)1.1 산화공정실리콘 산화막은 반도체 표면을 보호하고 유전체로 사용되며, 사진 식각공정을 통해 선택확산을 할 때 마스크 역할을 한다.

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.10.04

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  [디스플레이]디스플레이 - LED

  LED 소자 제작 공정[그림 ] top-emitting방식 LED[그림 ] Chip 상태에서의 청색 전계 발광MOCVD 방법 성장된 wafer를 이용한 실제 LED 소자를 구현하는 ... LED 소자 제작 공정 --------------------------------------(6~7p)6. ... 소자 제작 공정을 살펴보면 가장 먼저, photolithography 법을 이용하여 wafer 위에 소자 영역을 정의한다.

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.03.25

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  [바이오센서 시장조사]바이오 센서의 이해

  Photolithography가공기술- UV-lithography - E-beam lithography내 용- 열확산, 이온주입Doping- 화학진공증착(CVD):LPCVD, PECVD, MOCVD ... 제작 단결정 실리콘의 완전 탄성체인 기계적 특성을 이용 압저항식: 저항체를 불순물 주입에 의한 확산공정으로 제작 정전용량형: 전극간 정전용량변화 측정변환기능에 따른 센서의 원리물리현상을 ... 변위를 전기신호로 변환, 기본적으로는 기계식과 동일 정전용량형, 가평형식반도체식압력을 왜응력으로 변환하는 다이어프램과 다이어프램의 동력을 전기적신호로 변환 다이어프램은 반도체 사진식각공정으로

  리포트 | 66페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.06.10

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  [신소재공학] LED

  질화물계 반도체를 이용한 LED 구조는 주로 유기금속 화학 기상 증착법(metalorganic chemical vapor depoon, MOCVD)을 사용하여 성장한다. ... 전극으로 사용할 금속들의 증착이 끝난 후 금속과 반도체간의 계면 특성 및 전기적 특성을 향상 시키기 위해 급속 열처리 공정 (Rapid thermal annealing process ... Chip 상태에서의 청색 전계 발광위와 같은 공정을 거쳐 제작된 청색 또는 UV LED chip을 그림 7.에 나타내었으며, 그림 8.의 n-bondpad와 p-bondpad에 전압을

  리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2005.01.27

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  [반도체] 반도체 동향과 새로운 기술의 개발

  Vapor Deposition)에서 CVD(Chemical Vapor Deposition) 그리고 EP(ElectroPlating)로 변하고 있다.이런 변화를 바탕으로 현재 Cu MOCVD와 ... 1번 문제 새로운 공정 및 재료의 도입⊙새로운 공정- 제조가격을 10분의 1로 낮추는 공정개선된 공정에는 사용되는 도구 구조의 클러스터와 가스 및 액체들의 재사용 등이 포함된다. ... ⊙새로운 배선 공정- metalization기존의 금속 배선 공정에 사용되었던 sputtering이나 CVD(chemical vapor deposition)는 step coverage가

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.13

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  [자연과학]박막과 MEMS

  CVD는 IC(집적회로)등의 제조공정에서 기판 위에 실리콘 등의 박막을 만드는 공업적 수법으로서 실리콘 산화막, 실리콘 질소막, 아모르퍼스 실리콘 박막 등을 만드는데 쓰인다. ... 첫째, MOCVD(Metal-Organic CVD)로 있는데 이것은 박막이 얼마나 잘 고르게 분포되었는가를 나타내는 척도로서 높은 수록 박막이 잘 만들어지니 것이라고 할 수 있다.

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.11

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  [강유전체] FRAM재료

  FRAM에 사용되는 주요 재료로서 PZT 막은 대부분 "Sol-Gel"이라는 간단한 제조공정을 사용하여 입히고 있다. ... 이러한 방법들 중에서 특히 넓은 면적의 증착과 층덮힘, 그리고 치밀한 구조를 갖는 박막의 제조가 가능한 MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition ... 그러나 DRAM 수준의 집적도와 양산성을 이루기 위해서는 본 실험실에서 연구하는 공정인 유기금속화학증착법을 이용하여 PZT를 제조해야 할 것으로 예상된다.2.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.12.01

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  LED-발광다이오드

  질화물계 반도체를 이용한 LED 구조는 주로 유기금속 화학 기상 증착법(metalorganic chemical vapor depoon, MOCVD)을 사용하여 성장한다. ... 에칭 공정이 끝난 후 p형 GaN 박막의 Mg acceptor를 전기적으로 활성화시키기 위하여 850℃에서 열처리를 실시한다. ... 전극으로 사용할 금속들의 증착이 끝난 후 금속과 반도체간의 계면 특성 및 전기적 특성을 향상시키기 위해 급속 열처리 공정 (Rapid thermal annealing process)

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.21

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  [전기전자] 반도체제작법

  기본공정 및 장치2.1 기본공정MOVPE는 PartⅠ에서hamber반응 chamber는 실제의 결정성장이 행하여지는 곳으로 dead space나 turbulance를 극소화시키어 가스가 ... 반도체 전자소자를 만드는데에 이용되고 있다.MOVPE는 이 성장법의 고안자인 Manasevit에 의하여 Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.07.13

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  [재료공학] OTFT관련 유전체종류

  고집적 반도체 공정에 이용되려면, step cov물이다. ... metal을 사용할 수 있다고 알려져 있기 때문에 다른 물질에 비해서 많은 관심과 연구가 진행되는 물질이다.http://gong.snu.ac.kr/~dtflab/kor/hfo2_mocvd.htm ... 고온에서 유동성이 강하며 높은 step 간격차를 메워 줄수 있으므로 금속 공정에서 step coverage를 보상해주는 효과를 갖는다.◎ PSG (Phospho-Silicate Glass

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.07.18

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  [재료] MR헤드 및 센서

  제조공정CMR 소자는 대개 에피탁시 박막의 형태로 제조되고 있는데 이는 에피탁시 박막의 물성이 워낙 뛰어나기 때문이다. ... 이외에 ion beam deposition, magnetron 및 RF sputtering, MBE, solid source MOCVD 등의 진공 증착법 외에 졸-겔 공법을 이용한 ... 그 이유는 산소의 비 화학량이 자기저항 물성에 큰 영향을 미치기 때문으로 추정되는데, 명확한 메카니즘은 아직 규명되어 있지 않다고 한다.초거대 자기저항 박막의 제조 공정에서 한가지

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.12.19

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