"Nitride" 검색결과 201-220 / 481건

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  금속재료 실험

  .2)침탄법(carburizing)침탄법은 강의 표면에 탄소을 침투시킨 다음 담금질하여 표면을 경화시키는 방법으로 고체 침탄법 액체 침탄법 가스 침탄법 등으로 분류된다.3)질화법(Nitriding

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.01.20

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  재료의 선정

  nitride Cast Al alloy age-hardning Wrought Al alloy ▶ Melting Point Aluminum nitride age-hardning Wrought ... . - Price (Aluminum nitride Cast Al alloy age-hardning Wrought Al alloy ) ok!! ... .▶ Thermal conductivity Aluminum nitride age-hardning Wrought Al alloy Cast Al alloy ▶ Price Aluminum

  리포트 | 29페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.11.04

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  반도체제작공정-박막증착공정

  deposition by LPCVD Active area mask and etching Boron implant Thermal oxidation Remove nitride and ... Processing LaboratoryMOCVD박막 증착 공정Materials Processing LaboratoryNMOS transistor반도체제작공정 예Thermal oxidation Nitride

  리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.09.09

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  기계재료요약

  질화에 사용되는 강을 질화강(nitriding steel)이라 하며 C: 0.3~0.4%, Mn: 0.4~0.7%, Cr: 1.2~1.8%, Al: 0.6~1.5%, Mo: 0.15 ... 석출되어 γ 철 중에 고용(固溶)된다.예를 들면CH4 → C + 2H2γFe + CH4 → (γFe + C) + 2H2로 되어 C가 γ철 중에 고용(固溶)된다(2) 질화법(窒化法; nitriding

  리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.03.10 | 수정일 2022.08.14

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  왕복엔진의 구성품의 종류와 역할

  균형추와 댐퍼, 프로펠러축으로 구성된다.①주 저널 : 베어링에 의해 지지되고 회전하는 크랭크축의 일부분이기 때문에 주 베어링 저널이라고도 불리며, 마모를 줄이기 위해 질화물 처리(nitriding

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.09.24 | 수정일 2015.10.14

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  Amino acid on Graphene

  Temperature Etc.. journal Maurizio Canepa Au(110) Room Temperature ~10 -10 [ Torr ] L- Cysteine Boron nitride

  리포트 | 31페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.12.04

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  PN 다이오드공정설계

  thick=0.25 div = 5etch nitride p1.x=0.5 leftetch nitride p1.x=9.5 rightetch oxide p1.x=0.5 leftetch ... 그리고 Oxide 절연층이 생길 부분의 Nitride와 Oxide Pad를 식각하고 RIE(reatii 기판까지 식각한다.식각시 손상된 epi층 때문에 얇은 Oxide층을 Themal ... 에칭해서 Oxide 층의 깊이를 두껍게 만드는 방법이 있는데 이를 Trench Isolation 이라한다.LOCOS 공정과 같이 Epi층위에 Oxide Pad를 접착제로 이용하고 Nitride를

  리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2009.08.12 | 수정일 2015.07.13

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  [반도체공정설계] Silvaco사의 T-CAD를 이용한 LDD NMOS설계 (LDD N-MOS)

  doping 후에 etchingdeposit nitride thick=0.4 div=4etch nitride thick=0.4tonyplot5) 스페이서 만든후에 high dopingimplant ... tilt=0 rot=0diffuse time=5 temp=1000 nitrostruc outfile=doping1.strtonyplot doping1.str4) 스페이서 만들기 위해 nitride

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.12

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  금속 산화물 및 질화물 합성 (예비)

  )과 못하고 있는 실정이다.▷ 질화알루미늄(AIumimum nitride)질화알루미늄은 본질적으로 내열성과 내식성으로 특징 되는 비산화물로서 연구가 개시되었다. ... 합성법 중에서 공업적으로 많이 사용되고 있는 합성법은 다음의 두 가지이다 : 금속알루미늄을 고온에서 질소 혹은 암모니아 기체와 직접적으로 질화 반응시키는 직접질화법(direct nitridation

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.04

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  금속 산화물 및 질화물 합성 (예비)

  )과 알루미나와 탄소와 혼합물을 질소분위기에서 고온 반응시키는 열탄소환원질화법(carbothemal reduction and nitridation)이다. ... 합성분말의 합성법 중에서 공업적으로 많이 사용되고 있는 합성법은 다음의 두 가지이다: 금속알루미늄을 고온에서 질소 혹은 암모니아 기체와 직접적으로 질화반응시키는 직접질화법(direct nitridation

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.04.04

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  발광다이오드

  Eg가 크면 클수록 단파장의 광이 방사된다.단색 LED는 위와 같은 발광원리로 발광하나, 백색 LED는 GaN(Gallium Nitride)계 청색 LED와 형광체의 조합에 의해 백색광을 ... AluminumArsenide)를 대신하여 근래에 GaAlInP(Gallium Aluminum IndiumPhosphide)를 이용한 칩에서는 적색부터 황색 LED를, GaInP(Gallium Indium Nitride

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.09.21

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  아동간호학 Acute bronchitis

  급성염증Platelet249140-400Routine Urinalysiscolorstraw담황색TurbidityclearSG≥1.0301.005-1.030pH5.05.0-8.5protein--glucose--Nitride

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.10.29 | 수정일 2015.11.03

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  금속 산화물 및 질화물 합성 (예비)

  질화알루미늄(Aluminum nitride)질화알루미늄은 본질적으로는 내열성과 내식성으로 특징 되는 비산화물로서 연구가 개시되었다. ... 분말의 합성법 중에서 공업적으로 많이 사용되고 있는 합성법은 다음의 두 가지이다: 금속알루미늄을 고온에서 질소 혹은 암모니아 기체와 직접적으로 질화반응시키는 직접질화법(direct nitridation

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.04

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  EL(Electoroluminescence)의 원리

  and Green laser 1)In 1995 Shuji Nakamura at Nichia Chemical Industry Make the LEDs based on gallium nitride

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.01

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  [일반화학]【A+】원자, 분자, 이온

  포타슘 (potassium iodide) CaS Ca 2+ , S 2- 황화 칼슘 (calcium sulfide) Li 3 N Li + , N 3- 질산화 리튬 (lithium nitride ... 베릴륨 (beryllium) O 2- 산화 (oxide) Mg 2+ 마그네슘 (magnesium) S 2- 황화 (sulfide) Ca 2+ 칼슘 (calcium) N 3- 질화 (nitride

  리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.15

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  NMOS공정설계

  thick=0.25 div = 5etch nitride p1.x=0.05 leftetch nitride p1.x=13.45 rightimplant boron dose= 5e16 energy ... silicon c.boron=1.0e15 twostruc outfile=mash.str#LOCOS startdeposit oxide thick=0.02 div = 4deposit nitride ... =1 tilt=0 rot=0diffuse time=10 temp = 1300 wetetch nitride all#Creat channel in depletion TRdeposit photoresist

  리포트 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2009.08.12 | 수정일 2015.07.13

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  금속 산화물 및 질화물 합성 (예비)

  )과 알루미나와 탄소와 혼합물을 질소분위기에서 고온 반응시키는 열탄소환원질화법(carbothemal reduction and nitridation)이다. ... 합성분말의 합성법 중에서 공업적으로 많이 사용되고 있는 합성법은 다음의 두 가지이다: 금속알루미늄을 고온에서 질소 혹은 암모니아 기체와 직접적으로 질화반응시키는 직접질화법(direct nitridation

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.04.04

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  6주차 결과 전자전기컴퓨터설계실험3(2014.04.04.)

  doped silicon 은 electric conduction 성질을 가진다(13) doping 과정은 3족 Boron, Indium, Al , 5족 Phospor, Alsenide, Nitride

  리포트 | 18페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.07.01 | 수정일 2020.08.21

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  반도체공정-유전체증착

  -IC 에서 device isolation 에 사용되는 local-oxidation 공정에서 block oxidation 을 위한 mask 로 질화규소 (Silicon Nitride ... interconnection 으로부터 poly-Si 를 isolate 하는 데 SiO 2 를 사용할 때 . - 완성된 IC 위에 마지막 passivating layer( 보호층 ) 으로 plasma nitride

  리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.05.19

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  Materials for MEMS

  Silicon Compounds - Silicon Nitride Silicon nitride (Si 3 N 4 ) has many superior properties that are ... Silicon Compounds - Silicon Nitride Table 5. ... Selected properties of silicon nitride Properties LPCVD PECVD Depositionon.

  리포트 | 48페이지 | 4,000원 | 등록일 2008.03.29

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