"mosfet parameter" 검색결과 201-213 / 213건

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  [RF공학] Low Noise Amplifier Design

  LNA 설계 (1)1) 설계 전에 미리 알아야 할 제반사항 (Specification:Spec) 사용할 Transistor,BJT, JFET,MOSFET, HBT, LDMOS, HEMT ... 일반적으로 Transistor의 Data Sheet (Technical Data)를 살펴보면, S – Parameter외 에도, 3 개의 Noise Parameter 값을 제시하고 ... 에서 주어진 'S-Parameter, Noise- Parameter' 등 주어진 값들을 가지고 설계를 시작.Stablity 고려Matching 관련은 예제를 풀어보면서 알아보겠습니다

  리포트 | 26페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.05.16

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  이력서, 자기소개서 (한글, 영문)

  구조 연구Medici (2D Simulation Program) 를 이용하여 SOI-MOSFET 최적의 Parameter를 찾는 연구Operating EquipmentProcesses ... temperatureand piezoelectric properties of Pb(Al,Nb)O3Pb(Zr,Ti)O3 ceramics2007. 03. 20 ~ 현재 : 시물레이션을 이용한 SOI -MOSFET

  자기소개서 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.06.28

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  [전자회로] PS-SPICE 의 소개 및 사용법

  etc)MOSFET>> .Model MNAME NMOS(or PMOS)(kP=??? Vt0=??? ... 값을 입력해주어야 한다.Model 의 Parameter values 의 입력 SyntaxDiode >> .Model MNAME D(IS=???? ... NB NE NS MNAME AREAMOSFETMxxxxxxxND NG NS NB MNAME L W- MNAME 은 model name 에 참조되는 명칭으로서 특정 Divice의 Parameter

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.04.20

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  [회로설계] CMOS 회로설계

  parameter of a signal MOSFET orbeta _3 + beta _4 = 2beta_pn-channel MOSFETsL_1 + L_2 = 2L_nthe transconductance ... We can writeW_3 + W_4 = 2W_PThe transconductance parameters can also be combined intothe transconductance ... 와 바이폴라 트랜지스터로 나눠진다.ⅰ) MOSFET소자에 흐르는 전류의 성분이 정공이냐 전자냐에 따라 pMOS와 nMOSpMOS 소자전류의 구성 성분이 정공인데 정공의 이동속도가

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2002.12.10

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  [전자공학 디지털공학] spice에 대하여

  Parameter 변경으로 새로운 모델 생성 가능? ... 사용 가능한 Device 종류- Diode, Transistor, JFET, MOSFET, OP-Amp, Compactor, Regulator, Reference, Core, IGBTStimulus ... 직류 해석(DC Sweep)전원, 모델의 parameter 혹은 온도를 변화시키면서 회로의 전압, 전류, 디지털 회로의 상태등을 계산한다.전압에 대한 전류 특성 곡선을 나타내거나,

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.10.08

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  [공학기술]연산증폭기(OP AMP) 특성

  Av = ∞° 입력저항이 무한대 : Rin = ∞° 출력저항이 “0” : Rout = 0° 대역폭이 무한대 : Bw = ∞° offset 전압과 전류가 “0”° 온도에 따른 소자 parameter ... 가능하다.가산기로 사용된 연산 증폭기- 능동부하 (Active load)° 동일 chip상에서 저항보다 transistor를 제조하기가 쉽고,저가이기 때문에 집적회로에 많이 이용° MOSFET는

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.07.16 | 수정일 2015.02.04

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  [정보저장기기]자성박막기술의 정보저장기기 응용

  기억용량을 높이면 MOSFET의 저항이 균일하지 않기 때문에 기록/재생 시간을 줄일 수가 없다. ... 또한 MOSFET의 저항이 고르지 못한 데서 오는 전압의 변동을 몇 십mV정도로 하려면 고 MR비가 필요하다.3. ... possible material physics solutions to some of these limitations will be presented in terms of measurable parameters

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.12.29

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  [Hspice] hspice

  diode RS Bipolar transistor RE and RC JFET RD and RS MOSFET RD and RSSet RELV, RELI, RELMOS Then set ... VIN 3 0 PULSE (-1 1 2ns 2ns 2ns 50ns 100ns) V1 99 0 PU 1v hiv tdlay tris tfall tpw tper Pulse Value parameters ... Conductance Values Diode Resistance Error Tolerances.OPTION LIST OPTS NODESeries Resistance .Model parameters

  리포트 | 170페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.06.16

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  [Pspice]Pspice 사용법

  BJT, MOSFET 등 상용 소자 : eval.slb이와 같이 소자를 work sheet (schematic 화면)에 놓은 후에는 이를 wire로 연결해 주어야 하며 wire는 Pspice ... AC, transient analysis에서는 각각 다음과 같은 장비가 사용된다.표 A-1 Analysis에 따른 측정 장비{Analysis측정 장비DCSemiconductor Parameter

  리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2004.10.30

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  [전자회로] 모스캐패시터

  관련 지식관련 parameters : Tox NA, ND, VFB, VT, Qf(Nf), Qm(Nm), Qit(Nit)MOS capacitorC-V 장치Metal-oxide-P type ... 단자수에서 같이 3단자 소자인 BJT와는 달리 MOSFET에서는 다수캐리어에 의해 전류가 조절되며, 하나의 캐리어만을 쓰게 되어 단극성(unipolar) 소자라고도 한다. ... 그리고 MOSFET은 제어전압(Gate voltage)이 기판의 종류가 p-type인 경우에는 순방향 전압으로 n-type인 경우에는 역방향 전압으로 쓰이며, 전도상태와 비전도상태

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.11.02

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  전자실험

  이 모델은 간단하고 반복하지 않는 제어변수(control parameter)에 대한 최적의 선택방법을 제공한다.Fig.1 Functional Diagram of an Active BoostPower ... 스위칭 손실MOSFET 스위칭 손실 {P_S는 MOSFET의 turn-on rise-time과 turn-off fall-time 사이의 에너지 손실을 적분함으로써 계산 할 수 있다 ... 그럼으로, MOSFET 스위칭손실과 자기 철손[8] 계산에 사용될 회로의 등가 스위칭 주파수를 얻는다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2000.10.20

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  무선전력전송(전기과 졸작)

  Simulation 19[그림 4.12] 병렬 공진 S-Parameter Simulation 20[그림 4.13] Quality factor 이론 20[그림 4.14] 제작한 인덕터 ... 실제 모습 16[그림 4.8] 인덕터와 커패시터 17[그림 4.9] 직렬 공진회로의 임피던스 특성 18[그림 4.10] 인덕터와 커패시터의 이론 18[그림 4.11] 직렬 공진 S-Parameter ... 두 개의 MOSFET의 드레인 부분을 1번 2번에 프로브를 놓고 측정을 해본 결과, 반파의 전력이 나오는 것을 확인할 수 있었고, LC 병렬 공진회로인 3실이다.

  논문 | 41페이지 | 9,000원 | 등록일 2017.01.21 | 수정일 2022.04.06

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  ATF34143(MOSFET)을 이용한 LNA(저잡음증폭기)

  졸 업 논 문제 목 : ATF34143(MOSFET)을 이용한 2.1GHz대역에서 동작하는 LNA 설계지도교수 :2 0 1 7 년 11 월 29 일학 번 : 성 명 :졸업논문 제출 ... 및 승인서제 목 : ATF34143(MOSFET)을 이용한 2.1GHz대역에서 동작하는 LNA 설계대 학 : 학 과 :학 번 : 성 명 :이 논문을 제출하오니 승인하여 주시기 바랍니다 ... 다음 식 4c와 식4d에서 S-parameter는 주어진 frequency에서 정해지는 transistor의 특성 이므로 위의 조건을 만족하기 위해서GAMMA _{s} `와` GAMMA

  논문 | 25페이지 | 5,000원 | 등록일 2018.07.09

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