"si wafer" 검색결과 201-220 / 559건

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  Al2O3 절연체 두께에 따른 MOS Capacitor의 전기적 특성 분석

  I-V characteristics did not show any tendency. ... Measure the electrical propertiesRCA Cleaning Step of removing impurities of the Si wafer Ammonium hydroxide ... current  Tunneling I Vd I-V curve 1.

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.12.30

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  [예비보고서] 결정질 실리콘 태양전지용 기판의 텍스쳐링

  태양전지의 효율곡선(light I-V curve, efficiency, Voc, Jsc, FF, Rs, Rsh)에 대한 조사 및 텍스쳐링에 의한 상승요소 찾기1)Light I-V curve태양전지는 ... 실리콘은 굴절율이 약 3.8로서 웨이퍼 자체 반사율은 약 30% 이상의 높은 값을 갖는다. ... I. 결정질 실리콘 태양전지용 기판의 텍스쳐링신소재공학부0. 실험 예비 문제a.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.07.21

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  반도체 산업에서 사용하는 용어

  Dummy Wafer(더미 웨이퍼): 실제Wafer를 대신하여 사용하는 Wafer. ... (=Mirror Wafer: 미러 웨이퍼)70Emergency Switch(이머전시 스위치)비상 시 전원을 완전히 차단시킬 수 있는 비상 스위치.71Finger Cots(핑거 코트) ... (씨.씨.엔)Change Control Notice(체인지 컨트롤 노티스)의 줄임 말로써 QC(품질 검사원)에게 샘플과 함께 C.C.S. 양식을 작성하여 의뢰 시, C.C.S.

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.11.22

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  NMOS 트랜지스터 공정

  n-Channel(p-type si)로 구성되어 있는 MOSFET. ... Si₃N₄ 마스크는 구부러지고, 원래 Si₃N₄ 마스크 가장자리에서 내부 쪽으로 ΔW 만큼 새부리(bird's beak) 형태로 필드 산화층이 확장되어 들어오는 모양을 갖게 됨. ... 공핍형과 증가형 MOSFET 두종류가 있음.산화물 격리 영역 형성게이트 산화막 성장, 문턱 전압 조절게이트 형성소스와 드레인 형성금속 배선 공정100 방향의 연마된 P형 실리콘 웨이퍼를

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.06.07

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  20160712-COAVIS영업

  태양광 원/부재료 구매 - 웨이퍼, 브로큰 스크랩(마루베니상사, 웅진실리콘) 및 도가니/와이어 - 양산 부품 관리 - 제품 단가 관리, 자체 개발 및 소싱 관리 - 구매팀 감사 대응 ... 관리 - 구매 전략 분석 리포팅Cover letterObjectiveWe, kdac (currently erae Automotive), were experienced GM SOY.I ... 전사 습관화 - 3정5S를 통해 작업자의 품질마인드를 고취 - FMEA를 기반으로 불량모드를 분석 및 지속적인 개선 ㈜성일엔케어, 구매팀, 주임 기간 : 2010. 10 ~ 2012

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.11.09

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  XRD를 통한 시료 분석 보고서

  :lambda= 1.54 A위의 식과 파장값, 실험값을 통해 아래의 결과값을 얻을 수 있었다.2thetad-valueIntensityI/I _{ 0}20.90004.2468465021d ... 분석하는데 사용·colloidal 실리카 - 제지 및 코팅의 첨가제, 섬유산업의 조제, 유리섬유가 공, 요업재료, 내화 제품 및 절연물질, 단열재의 결합재, 촉매제조의 원료, 반도체 웨이퍼 ... Cu튜브를 이용한 Cuka선 흡수 장치임을 알고 초기조건이 셋팅되면 안전을 위하여 문을 폐쇠하여 실험에 임하도록 한다.2.실험결과 및 분석2d sin θ = n λ ----- (1)

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.06.22

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  액정 셀 만들기

  P.I 순서 ITO-glass 위에 벨 측정장치를 접촉시켰을 때 소리나는 부분을 위로가게 한다 . ... 스핀코터 사용 방법 - 스핀코터는 평평한 웨이퍼나 평판에 얇게 막을 형성하는 것으로 박막 공정의 기본장비입니다 . ... 액정 주입 액정의 주입 방법 - 액정 주입시 sample 밑부분에 나란하게 퍼질수 있도록 한방울씩 나란하게 넣어 줘야 한다 .

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.12.03 | 수정일 2015.12.09

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  [발광디스플레이 실험] Photolithography

  D.I. water로 세척 후, N2 gas가 연결된 Air gun으로 sample을 말려준다.1. ... D.I. water로 세척 후, N2 gas가 연결된 Air gun으로 sample을 말려준다.3. 130℃ Oven에서 10분 동안 hard baking 한다. : PR이 없는 쪽의 ... Puddle 방식은 현상 초기에 느린 속도로 웨이퍼를 spin하며 약간의 현상액을 뿌려 현상 초기에 제거된 부위를 씻어낸 후 정지 상태에서 웨이퍼 위에 developer를 표면 장력으로

  리포트 | 10페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.12.28

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  반도체제조공정 및 개요

  제조 웨이퍼 : 반도체 회로의 원재료로 사용되는 실리콘 ( si = 규소 ) 단결정으로 된 원판 모양의 기판Wafer 제조 단결정 성장 (= Single crystal) 반도체 원료로 ... 규소봉의 지름에 따라 웨이퍼의 크기가 결정된다 . 3 인치 , 4 인치 , 5 인치 , 6 인치 (150mm), 8 인치 (200mm), 12 인치 (300mm)Wafer 제조 웨이퍼 ... 막대를 식히면 규소봉 (Ingot) 이 만들어 집니다 .Wafer 제조Wafer 제조 grinding 규소봉을 원하는 크기의 원기둥을 만들기 위해 다이아몬드 연삭기로 깍아낸다 .Wafer

  리포트 | 31페이지 | 3,500원 | 등록일 2012.06.19 | 수정일 2015.12.14

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  LED의 발광원리, LED제조공정, LED 광효율, 조명용어 설명, LED조명 시장, 국가별 정책 전망

  lm/sr(예) 태양 2.8 x 1027 (cd), 3파장형광램프(32w) 310 (cd)-LED 제조는 Wafer(기판) 공정에서 시작된다. ... )과 거의 같으며 1 Candela의 점 광원에서는 총 4π(≒12.57) Lumen의 빛을 발한다.광도(I) =광속(F) / 광속을 포함하는 입체각(ω) 즉,1 cd = 1 ... Wafer는 경쟁력 확보를 위해 현재의 높은 원가를 낮추는 저가형 재료 개발에 몰두하고 있다.

  리포트 | 84페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.12.04 | 수정일 2018.02.19

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  화공기실 MEMS 예비보고서 - 5조

  주의 사항H.참고 자료I. 참고 문헌서론현대의 기술은 무서운 속도로 발전하고 있다. ... 그 다음 뒷면에 붙어있는 PDMS 를 떼어낸다.5) Wafer가 깨지지 않게하기 위해서 돌려가면서wafer 와 PDMS를 분리한다. ... Δh기판현상Etching접촉되는 부분을 화학적으로 녹여 제거하는 공정Etching에 쓸 염소분자를 chamber에서 플라스마 상태로 만든 후,가속 시켜 wafer 표면에 접촉시킴.Wafer

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.10.22 | 수정일 2015.06.15

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  히타치그룹 마케팅

  (리튬이온전지용 극소재 및 액정디스플레이용 재료의 사진과 히타치 케미컬의 로고.출처는 http://sci-tech.jugem.jp/? ... 이 세 회사는 히타치이익을 자랑하고 있다.히타치 화성은 디스플레이용 회로 연결 필름, 반도체 웨이퍼 연마제, 자동차 관련 제품을 생산하고 있다. ... 출처는 히타치제작소 화력발전 공식 홈페이지)http://www.hitachi.co.jp/products/power/thermal/products/ffp/st/fortpp.html발전기

  리포트 | 10페이지 | 1,600원 | 등록일 2017.04.26

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  [공학]【A+】반도체공정기술[단위공정]

  X-ray, E-beam or Ion beam 등)을 이용하여어떤 형상을 특정 기판 상에 재현시키는 기술. ① 미세형상이 수록된 감광 원판 제작 (mask plate making)② 웨이퍼 ... -Dry or Wet oxidation· 3단계 ; wafer를 석영관에서 꺼내는 과정.③ 표면 검사 (surface inspection)· 산화막의 균일도, 오염 여부 조사· 육안 ... · wafer가 착상된 회전판(spinner)에 감광 용액을 떨어뜨려 회전력으로균일한 두께로 도포- 회전수(RPM)에 따라, 감광 용액의 점도에 따라, 두께 다름.d) 연화 건조 (

  리포트 | 28페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.15

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  Ideal 반도체 설계

  (I-V)의 모양이 선형적이고 대칭으로 나타는 접합이고 낮은 저항에서 안정한 접합이 일어나며 회로의 특징이 잘 일어나게 되고 전류가 양쪽으로 흐를 수 있다. schottky접합은 ... Metal 종류의 선택과 선택 이유metal과 semiconductor의 접합 방법을 알아보면 크게 ohmic접합과 schottky 접합이 있다. ohmic접합은 current-voltage ... 금속별 일함수물질일함수(eV)Na2.27Mg3.46Al3.74Ti4.09Cr4.51Mn3.95Fe4.36Co4.18Ni4.84Cu4.47Zn3.74Se4.72Ag4.28Cd3.92sn4.11W4.50Au4.58Ab4.022

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.03

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  MOS소자 형성 및 c-V특성 평가

  이 공정도 완료되면 Si wafer를 D.I water로 헹구어 준 후 질소를 이용하여 물기를 제거하여 준다.3) Cleaning이 제대로 되었는지 알아 보려면 D.I.Water에 ... 친수성이 되어 수분이 많이 남아있게 되고, HF + D.I water 용액에 담구어 두게 되면 Si wafer가 소수성이 되어 수분이 남지 않게 된다. ... + O₂(g) → SiO₂(s) 가 된다.습식산화의 경우 수증기를 이용해서 산화 시키는 방법으로Si(s) + 2H₂O(v) → SiO₂(s) + 2H₂↑(g)가 된다.건식산화의 경우

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.05.17

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  [기초재료및실험]면저항측정기의 이해

  면저항값은 Wafer, LCD, 태양전지(Solar cell), 연료전지, OLED 등의 벌크 및 박막의 전도성을 검사하기 위하여 쓰인다.V/I = ohmohm × C.F = ohm ... 전도성을 검사하기 위하여 쓰인다.V/I = ohmOhm × C.F(보정계수) = ohm/sq참고문헌- 참고 서적William D. ... 소모품- 증착된 웨이퍼, 커터기, CMT-SR1000N실험 결과Ni 20n 증착시킨 웨이퍼P-Type 실리콘 웨이퍼 (B)면저항10.45446 Ω/sq128.07826 Ω/sq비저항0.00002

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.05.31

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  반도체 p-n 접합의 전기적 특성 측정

  probe to wafer diameter and on the ratio of wafer thickness to probe separationHall measurementy방향으로의 ... voltageI= the source currentt= the sample thicknessk= a correction factor based on the ratio of the ... 부피비저항은 다음과 같다.rho = omega overln2 TIMES V over I times t times krho=volume resistivityV= the measured

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.08.25 | 수정일 2016.09.04

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  실용X선회절학

  시편 표면에 평행한 결정면을 모두 가지고 있기 때문에 각각의 결정면들의 회절선이 나타나게 된다.(2) 단결정 시편Si wafer와 같은 단결정 시편은 시편 표면에 평행한 결정면을 ... 여기서 μ는 선형흡수계수(Linear absorption coefficient), x는 시료의 두께이다.그림 6 조사된 시료에서 나타낸 물성물질의 밀도를 ρ 라고 하면,Ix = I0 ... 6에서와 같이 x cm 통과한 곳의 X선 강도 Ix가 dx cm 통과한 후 약해진 X선 강도를 dI라고 하면-dI =μIxdx (5)가 되며, 경계조건을 고려하여 적분하면Ix = I0e-μx

  리포트 | 49페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.06.07

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  30PHOTOLITHOGRAPHY (2)

  Aligner로 노광 한 다음 110도로 굽는 것으로서 목적은 g선이나 i선 포토레지스트를 노광할 때, 정재파의 영 향으로 포토 레지스트 패턴의 가장자리가 매끄럽지 못한 것을 제거하기 ... 이 과정은 이후 과정인 etching이나 implantation로 넘어가기 전에 defective wafer를 찾아서 제거하기 위해서이다. ... ② 결함Soft BakeBake 장비① Soft bake를 하는 이유 ② Soft bake를 하지 않았을 때 발생되는 문제점Alignment and Exposure마스크의 상을 웨이퍼

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  신재생에너지발전설비기사(태양광) 필기요약

  저압계통 접지방식 : TT, TN-C, TN-S, TN-C-S, IT? ... 제조가 감축을 위해 웨이퍼두께를 줄이면 개방전압 감소 : 캐터링, 표면 패시베이션으로 해결? 고주파변압기 절연방식태양전지 ? 고주파인버터 ? 고주파변압기 ? 인버터 ? 공진회로? ... H`=`0.24{I}^{2}Rt? 직렬저항 증가 영향요소 : 충진률감소 / 누설전류 감소 / 단락전류 감소 / 개방전압 증가?

  시험자료 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.03.08

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