"웨이퍼 가공 공정" 검색결과 241-260 / 722건

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  Alq3의 발광 박막의 제조

  (Thin firm) 기계가공으로는 실현 불가능한 두께 μ m 이하의 엷은 막 성 질 물리적 · 화학적 성질이 크게 변함 . ... 발광 박막의 제조목차 목적 이론 실험 방법 실험 결과 고찰목적 발광 특성이 있는 물질을 사용한 간단한 발광 박막의 제조를 통하여 박막 재료 제조 공정의 이해를 돕는다 .이 론 박막 ... 빛의 간섭에 의해 착색 현상 발생이 론 박막제조공정 ( Thin film process) thin film deposition( 증착 ) 과 photolithography( 사진식각

  리포트 | 16페이지 | 4,000원 | 등록일 2011.05.28

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  이화다이아몬드공업사의 회사 소개 및 경영전략

  핵심인 CMP 공정용 패드 컨디셔너를 중심으로 후공정용 웨이퍼 백그라인딩 휠 , w} ... 가공용 , 전자기재료 절단용 - 비트리 파이드 휠 콤프레샤 부품내면 연마 , Wafer Back Grinding - 레진 휠 Silicon Imgot 외주 , Wafer Back ... - 레진 휠 초경 Ceramic Cermet , 인써드 연마 , 하이스 공구의 플루트 가공등 - Dresser 공작기계 베드 가공용 지석의 가공 , 각종 베어 링 가공용 지석의 가공

  리포트 | 25페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.08.04

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  반도체 제조 공정조사

  반도체 제조 공정 요약 웨이퍼 제조 마스트 제작 회로 설계 웨이퍼 가공 조립 및 검사1.반도체란? ... - 도체와 부도체의 중간적 성질 - 원래는 부도체 - 빛이나 열 불순물을 가해주면 도체 - 전기의 통함을 제어 할 수 있는 물질웨이퍼제작 (Ingot)마스크제작웨이퍼가공 (Fabrication ... 산화막(Oxidized layer) 형성단계이 외에 질화물 등 다른 물질을 앉히기도 하는데 이 막은 종류에 따라서 절연체, 도체로 나눈다.5.웨이퍼 가공2) 감광액(Photoresist

  리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.06.03

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  반도체 결정의 제조공정에 대하여

  다음으로 Si 웨이퍼들은 가공하는 동안 웨이퍼들이 조각날 가능성을 최소화하기 위해 모서리들을 따라 둥글게 만들어 진다. ... 이것은 현대의 집적회로 공정설비에서 많은 프로세싱 도구들과 웨이퍼 조작 로봇들이 웨이퍼 크기에 있어 엄격한 허용오차를 요구하기 때문에 중요하다.이어서, Si 실린더는 다이아몬드가 끝에 ... 반도체공학 #2반도체 결정의 제조공정에 대하여반도체공학담당교수학 과학 번이 름제출일(1) 시작시료Si 결정에 사용되는 천연의 재료는 SiO2 이다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.13 | 수정일 2014.08.28

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  photolithography 공정에 대한 보고서

  기존 반도체 제조공정의 핵심인 lithography 공정은 서로 다른 회로 모양을 층층이 쌓아가며 원하는 구조의 다층회로를 만드는 공정으로서, 금과 같은 고가의 재료를 웨이퍼에 도포한 ... 그 후 현상과정으로 식각 되어야 할 부분의 PR을 제거하고 Hard baking 과정을 통해 silicon wafer 표면에 남아 있는 solvent를 제거 해 줌으로써 Photolithography ... 그 후 PR coating 과정을 거치면서 spin을 통해 웨이퍼 위 PR을 넓고 고르게 펼쳤고 baking 과정을 통해 표면을 건조 시켰다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.19

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  9. 4-point probe

  사진공정-산화-이온주입-식각공정-금속공정-증착공정 순이다.- 다결정 실리콘으로부터 단결정 실리콘을 제조하는 과정을 단결정 성장이라 하며 성장된 단결정을 잘라낸 것이 실리콘 Wafer이다9 ... 접촉점에서 가장 가까운 모서리까지의 거리 4mm이상, 두께 150㎛이상의 것으로 한다.3. 4-point 탐침장치 : 탐침은 초경 합금의 텅스텐 카바이드를 사용하여 원뿔 모양으로 가공하고앞끝 ... 먼저 웨이퍼를 증착시키고 시편을 절단하여 면저항을 측정하는것이다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.24

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  OCI 기업분석과 가치평가

  이 웨이퍼 (Wafer) 를 가공해서 나온 태양광셀 을 수십 개씩 모아 하나의 태양광 발전용 모듈 (Module) 이 만들어진다 . 10태양광발전 산업분석 Value Chain 별 ... 폴리실리콘을 이용해서 원기둥 모양의 2 차 소재인 잉곳 (Ingot) 이라는 실리콘 덩어리가 만들어지고 , 잉곳을 얇게 절단하면 웨이퍼 (Wafer) 라는 반도체의 기초 재료가 되는 ... KUBS Finance MBA 5 조 21SWOT 분석 친환경기업 OCI 소개 S W O T 타 경쟁기업 대비 높은 기술 우위 세계 상위 3 개 기업만이 보유하고 있는 11-NINE 공정을

  리포트 | 50페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.08.11

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  반도체 공학 프로젝트

  ∙ Deposit photoresist over SiN layer SiN : 1200Å LPCVD 공정이용 Form Active Region c SiN PRp-type substrate ... 뒷면을 가공하지 않아도 됨 N-type Implantation 2Temperature : 1100℃ Po : 3.7x10 20 /cm 3 D2 : 2.96x10 -13 cm 2 / ... dopants (Phosphorus) Remove photoresist n+ 부분을 픽업 이라 하고 이것은 Substrate 에 전압을 공급 을 하기 위한 것이고 이것을 윗쪽에 배치하여 웨이퍼

  리포트 | 30페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.03.15

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  wet etching

  해결 식각액을 wafer위에 뿌려주는 분사 방식을 이용하거나, wafer를 식각액에 담글 경우에도 계속 흔들어 주어 기포가 발생하지 않도록 한다.PR swelling PR을 Mask막질로 ... Layer를 제거하는 공정 Wet Etching 과 Dry Etching이 있다Pattern의 식각 형태가 등방성(Isotropic etch). ... Wet etghing 정의 Wet etghing 원리 Wet etghing 문제 및 해결 참고문헌Etching : Chemical 이나 Gas를 사용 Photo공정에서 형성된 Pattern으로

  리포트 | 22페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.01 | 수정일 2013.12.18

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  반도체 공정

  높음 선택성 저하, 불순물에 의한 오염, X선 등에 의한 손상 가능Etch 공정PR의 패턴대로 하부막을 가공하는 공정PR 제거(Ashing) 공정Etch 또는 이온주입공정 후 임무가 ... 형성)평탄화 공정(Planarization)웨이퍼 위에 막 성장, Photo-Etch 공정을 반복하면 웨이퍼 위는 기하학적 요철이 발생 노광 공정에서 사용되는 빛은 분해능 향상을 ... 공정(PR 도포)PR도포 전, PR과 웨이퍼의 접착도를 증가시키기 위해 HMDS용액을 웨이퍼 위에 도포 Spin Coating을 이용 마스크 수명 단축됨 현재 업체에서 사용하지

  리포트 | 50페이지 | 5,500원 | 등록일 2011.03.31

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  15.삼성전자 국제화조직

  노무라연구소는 1993년 9월〈DRAM생산에서 정상에 선 한국의 반도체산업>이란 보고서를 통해 한국이 8인치 웨이퍼 가공기술과 클린룸기술, 수율, 설비활용률 등에서 이미 일본을 앞서고 ... 전체 309가지 생산공정 가운데 대부분은 트랜지스터 생산기술을 응용해서 해결할 수 있었으나 핵심적인 “미세가공"을 비롯한 8가지 공정은 좀처럼 해결할 수가 없었다. ... 공정개발을 마친 개발팀은 드디어 1983년 10월 6일 생산라인에 웨이퍼를 투입했다. 그로부터 한달만인 11월 7일 마침내 정상적으로 작동하는 64K DRAM이 탄생했다.

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.10.09

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  프로브 니들설계

  프로브 니들은 프로브 카드에 장착되어 웨이퍼를 접촉하면서 전기를 보내고, 그때 돌아오는 신호에 따라 불량 반도체 칩을 선별하는 역할이다.프로브카드는 반도체 전공정 마지막 단계에서 반도체 ... 109,5um로 나왔다.삼각형구조의 텅스텐-레늄 변형률 최소값은 22um, 텅스텐은 24um, 베릴륨-구리는 75um, 니켈은 47um로 나왔다.5 소재 및 구조 결정텅스텐의 경우에는 가공성이 ... 생산하고 있다. 200mm 웨이퍼를 도입한 나가사키 TEC 제1공장의 생산량은 올해 3월 이후 더 이상 늘리지 않는다.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.02.22 | 수정일 2016.11.29

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  xilinx

  조립 , Package 축적된 경험 고정거래선 1 2 3 4 제 조 형 태 에 따 른 분 류 Wafer 가공 , IC 제조 초기설비투자 큼 적정생산규모 유지 수율 관리 설계 , 가공 ... 가공 능력을 확보하는 동시에 최첨단 반도체제조공정을 활용하여 제품을 생산할 수 있었다 .Q A{nameOfApplication=Show} ... 년부터 IBM 을 새 파트너로 맞아 ‘ 듀얼팹 ’ 을 운영해 위험부담을 줄임 이 전략을 통해 시장상황에 구애 받지 않는 다양한 제품소스를 제공하고 , 고객요구 충족을 위해 필요한 웨이퍼

  리포트 | 13페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.01.28

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  시스템 반도체 분야의 현재 상황 및 특징

  자가충전 전원모듈기반 EPMIC8. 32nm/300mm급 반도체 후공정용 웨이퍼 가공장비9. 300mm급 반도체 후공정용 패키징장비10. ... 현상 공정에서 마스크를 Wafer위에 얹은 다음 강한 자외선을 비추면 유리 위에 그려진 회로가 Wafer에도 똑같이 그려진다. 사진의 현상과 비슷하다.??6. ... 웨이퍼 절단 (Sawing)?웨이퍼에 그려진 하나하나의 Chip들을 떼어내기 위해??wafer를 손톱만한 크기로 계속 잘라낸다.?절단에는 다이아몬드 톱이 사용된다.?

  리포트 | 14페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.04.27

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  삼성전자 반도체산업 연혁, 삼성전자 반도체산업 요인, 삼성전자 반도체산업 메모리제품, 삼성전자 반도체산업 연구개발, 삼성전자 반도체산업 쟁점, 향후 삼성전자 반도체산업 개선 과제

  그러나 외국인 투자업체나 국내업체 모두 반도체 생산의 최종공정인 단순조립에만 머물러 설계, 웨이퍼의 가공 등 반도체산업의 前工程에 대한 기술축적기반을 마련하지는 못했다. ... 웨이퍼가공체제로의 이행Ⅲ. 삼성전자 반도체산업의 요인Ⅳ. 삼성전자 반도체산업의 메모리제품Ⅴ. 삼성전자 반도체산업의 연구개발Ⅵ. 삼성전자 반도체산업의 쟁점Ⅶ. ... 특히 국내 VLSI생산공장과의 긴밀한 유대관계를 통해 양산화가 가능한 제품만을 우선 개발하고, 응용파급효과가 큰 공정기술개발에 주력하여 VLSI제품개발 및 공정기술개발의 견인차 역할을

  리포트 | 14페이지 | 6,500원 | 등록일 2013.07.22

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  의용초음파 초음파 트랜스듀서의 종류

  미세가공은 실리콘, 유리, 사파이어, 세라믹 기판이나 웨이퍼 위에서 행해진다. ... 두 가지 형태의 미세가공이 있는데 하나는 벌크(bulk) 미세가공으로 웨이퍼와 기판의 많은 부분의 두께를 깎아 조각하는 방법과 다른 하나는 표면 미세가공으로 표면만을 조각하는 방법이다 ... 최근 표준과학연구원도 cMUT 개발 연구를 시작, 현재 cMUT 소자 제작공정을 완성하고 특성 평가와 성능 개선에 대한 연구를 진행하고 있다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.27

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  삼성반도체와 백혈병 책 요약

  넣는다.2.웨이퍼 가공(1)웨이퍼를 세척한 다음 800~1200도씨의 고온에서 산소나 수증기를 실리콘 삼성 이메일과 이름, 전화번호가 적혀 있는 걸 보고 그 사람이 삼성반도체 총무부 ... *기타 : 반도체 제조 공정반도체는 일반적으로 다음과 같은 공정을 거쳐서 만든다.1.웨이퍼 제조 및 회로 설계(1)모래에서 규소(si)를 채취하여 잘 정제한 다음 규소봉(지름 10~ ... 30cm)이라는 반도체의 주원료를 만든다.(2)규소봉을 가로로 얇게 잘라내는데, 이를 웨이퍼라 한다.(3)웨이퍼의 한쪽 면을 거울처럼 매근하게 연마한 다음 회로 패턴을 설계하여 새겨

  리포트 | 13페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.05.21 | 수정일 2019.04.09

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  물리화학적 특성(Polymorphism, Solid dispersions, Supercritical fluids, Eutectic mixture, Liquid crystals)들에 따른 약학적 응용과 그 사례

  .※ 약학적 응용의 의미(중요성)제형상의 이유로 물성을 변화시켜야 할 때(ex : 고체물질을 연고제로 가공 시) 첨가제를 섞지 않고도 두 가지 물질을 단순히 섞는 것만으로도 물성을 ... Polymorphism※ 관련사례카카오버터 : 여러 가지 물성을 가지는 형태 중 실온에서는 녹지 않으나 체온에서는 녹는 형태로 약을 가공다이아몬드 : 흑연과 동질이상을 가지므로 열과 ... 표면장력의 문제는 없으나 밀도가 낮아 불순물의 용해능력이 현저히 떨어진다.반면 기체의 장점인 빠른 확산속도와 낮은 표면장력 및 액체의 장점인 용해능력을 결합한 초임계유체가 반도체 웨이퍼

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.07.12

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  CMOS 집적회로 제작공정

  잉곳은 선반 같은 도구로 일정한 지름을 갖도록 가공됨.(산화로, CVD로, 확산로 공정에 적합하게 만들기)? ... 3장 CMOS 집적회로 제작공정전체개요■ 웨이퍼제작■ CMOS 집적회로 제작에 사용되는 공정1) 세정2) 산화3) 에피택시4) 증착5) 이온주입6) 확산7) 에칭8) 금속화9) 사진식각술 ... 마무리 공정 및 테스트1) 합금 및 아닐링2) 보호막 증착3) 뒷면 처리4) 웨이퍼 테스트5) 다이 분리6) 패키징① 다이 부착② 도선 본딩③ 몰딩7) 최종 테스트■ 웨이퍼제작?

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.19

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  빅막의 식각 및 PR제거 예비보고서

  극도로 평평한 wafer를 만들기 위해 가공된다. ... 웨이퍼 가공(Fabrication)6) 산화(Oxidation) 공정고온(600℃~1200℃)에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼표면과 호학반응시켜 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO2 ... 이때 감광제의 형태(음각/양각)에 따라 달라진다.6단계 단계 3에서 5까지의 과정은 wafer 위의 3차원 IC 구조를 형성하기위해 모든 공정이 완료 될 때 까지 20~30회 반복된다

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.11.26

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