"AL 증착" 검색결과 241-260 / 867건

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  Thermal Evaporation법을 이용한 박막의 제조 결과

  반사의 조건을 동일하게 하기 위해 막의 일부를 없애고, 그 위에 균일하게 얇은 Al 등의 금속막을 증착한다. ... 또 IC구조에서 디바이스 사이의 배선에 이용되는 Al의 증착막을 형성한 후에 그 위로부터 보호막으로 절연막을 형성할 필요가 있는데, 이 경우의 처리온도는 660°이하로 억제하지 않으면 ... 증착 중 잔류가스압력은 증착된 a가의 조성과 성질에 큰 영향을 준다.

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.03.08 | 수정일 2015.06.29

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  태양광 에너지

  그 중 Astrowatt는 실리콘 기판 위에 도금 등의 방법으로 금속 막을 증착한 후 thermal stress를 가해 50μm 두께의 실리콘 박막을 기판에서 분리, 제작하였으며 이를 ... CZTS 태양전지연구가 활발하며 최근 IBM에서 S와 Se를 병용하여 비진공 방식으로 갱신한 11.1%라는 세계 최고 효율이 그 포텐셜을 입증하였으나(2012; Barkhouse et al

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.12.31

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  ITO를 대신할 꿈의 신소재 경진대회

  산화물 층 사이에 metal wire 를 추가하여 전도도와 투과율을 보완한 방법 Metal - Ag, Au, Al, Cu 등 산화물 - Bi 2 O 3 , ZnO , SnO 2 , ... 20nm)/ ITO(50nm)/ PET Type A-1 : AZO(50nm)/ Au(10nm)/ AZO(50nm)/ PET 알루미늄 나노 와이어 그리드 50nm 두께의 비정질 실리콘을 증착한

  리포트 | 12페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.12.11

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  [발광디스플레이실험] 투명전극 특성

  이용하여 spectrum을 측정한다.알파스텝을 이용해 물질의 두께를 구해본다.al-etchant를 이용하여 물질의 한쪽을 지운다. etchant에 담가 10분동안 에칭을 할 경우 ... 발광디스플레이 실험 투명전극 특성실험 목적 : 다른 종류, 다른 두께로 증착 된 투명전극의 각각의 특성을 알게 됨으로써 필요에 따른 소자를 사용할 수 있다.실험 이론 :투명전극가시영역에서 ... 이용되며, 전도도의 캐리어에 따라 n 타입과 p 타입으로 나뉜다.ITOITO는 투명전극의 대표적 물질로써 Indium Tin Oxide의 줄임말이다. 1000~2000A 수준으로 보통 증착시킨다

  리포트 | 6페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.06.14

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  금속 산화물 및 질화물 합성 (예비)

  CVD법에 의해 AlN 박막을 증착할 때, Al의 원료물질로는 TMA (trimethyl aluminum,(CH3)3Al), TIBA(triisobuthylaluminum), AlCl3 ... 이상적인 wurtzite구조는 Al(혹은 N)으로 이루어진 사면체 중심에 N(혹은 Al)이 있다. ... 이 방법이 다른 여타의 박막증착법에 비해 조성조절의 용이성, 넓은 면적의 균일성과 평탄치 않은 기판의 경우에도 우수한 두께균질성을 가지는 박막 증착, 실험실적 규모의 증착에서 공업적

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.04

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  XRD 발표 자료

  면간거리를 이용하여 기준데이터와 비교해본 결과 ， 혼합시료를 구성하는 두 가지 물질은 TiO2 , α-Al2O3 임을 확인할 수 있다 .결정의 배향성 ( ZnO ) 박막의 피크 는 ... 증착된 박막과 이에 사용된 기판의 열팽창 계수의 차이로 발생 열처리 온도의 상승과 열처리되는 시간이 증가함에 따라 피크의 세기는 감소 박막의 평행한 압력과 기판의 수직인 방향으로 발생되는

  리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2018.04.01 | 수정일 2018.11.29

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  Cu film의 전기적 특성분석 실험

  실험 목적전자제품 (반도체, display)에 전기배선 재료로 사용되는 Al이 있다. ... 그 때 떨어진 Cu입자가 클리닝 작업을 거친 SiO2 위에 증착 한다. 이 때 두께를 골고루 하기 위해 Cu를 회전시킨다. 이를 증착 과정이라 한다.3. ... 그러나 제한된 속도로 증착이 진행되며 생성된 막이 타겟의 조성과 반드시 일치하지 않는다는 단점이 있다.3.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.05.12

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  Design project for LED fabrication process-조명 white LED 제작 공정

  xN SQW layer, a 60nm Al0.1Ga0.9N: Mg electron barrier, 200nm GaN:Mg p-contact layer로 구성되어 있다. ... MOCVD는 step coverage가 우수하고 기판이나 결정 표면에 손상이 없으며 비교적 증착속도가 빨라서 공정시간을 단축시킬 수 있다. ... 그러면 grow rate는 10Å/min이 되므로 약 2분간 층을 성장시킨다.⑥ Al0.1Ga0.9N:MgAl source로는 trimethylaluminum(TMA)를, Mg source로는

  리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.03.26

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  화합물반도체의 금속공정(Metallization Process)

  Quartz crystal Lifetime : 약 ~ 10um 내외Ex) Al : 1 Å (=2.77 gm/㎤) 증착 시 quartz crystal Frequency 변화가 2.27Hz ... sensor 보다 증착 두께가 작은 경우3. ... 의 주파수 감소 Crystal Maximum 주파수 Shift - 6MHz 까지 허용 Al 의 Maximum 측정 가능 범위는 52um까지 측정 가능(ideal한 경우) 공정상에

  리포트 | 19페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.11.14

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  [기계공학실험] 마이크로 표면 측정

  표면특성을 실험결과인 contact angle, 친수성/가수성, wettability, adhension 측면에서 고찰하시오.접촉각(contact angle)이 90˚이하인 Si와 Al은 ... 종류를 살펴보면 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔 증착 법(E-beam evaporation), 열 증착 법 (Thermal evaporation), 레이저 분자 빔 증착 법 ... 금속의 증기를 사용하는 증발(evaporation) 증착법과 물질에 물리적인 충격을 주는 방법인 Sputtering 증착 법으로 나뉠 수 있다.

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.09.06

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  sputtering을 통한 metal deposition 및 I-V, C-V 측정

  아르곤 가스를 100sccm 압력으로 흘려주고 450V 80mA의 전력으로 3분동안 증착한다. 80-90nm의 증착 두께를 예상한다.Sputter systemAl증착을 완료한 wafer⑥박막 ... 두께 측정Alpha step을 이용한 박막의 두께 측정852Å으로 의도한 실험값과 거의 동일하다고 볼 수 있다.⑦PR strip-Al증착이 완료된 wafer를 아세톤용액에 넣고 5분간 ... 내화 재료의 증착?절연막의 증착?큰 면적의 target이용 가능?thermal evaporation 같이 spitting이 없다.?

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.21

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  Thermal evaporation system(재료공학 실험)

  방법.Quatz 보트 : TPD도가니 보트 : Alq3텅스텐 보트 : Al , LiF..PAGE:5QCMQuartz Crystal Microbalance : 수정판(quartz crystal ... generator*ㅡㅡㅡㅡ..PAGE:4ChamberThermal evaporation: 고진공 상태에서 전기필라멘트를 이용해 보트를 가열하여 그위에 물질을 녹여 증류시켜 기판에 증착되는 ... Baffle: 수냉각방식으로 응축, 역류방지Cryotrap: 액체질소를 이용하여 기체분자를 응축..PAGE:8SystemThickness, rate moniter: 셔터의 개폐, 증착율과

  리포트 | 10페이지 | 3,500원 | 등록일 2013.01.07

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  77태양전지

  layer Window layer Buffer layer Absorber layer Back contact Substrate(CIGS)절연 소다라임 유리기판MoCdSZnOMgF2Al ... 구조CIGS 박막 태양전지구리(Cu) - 인듐(In) - 갈륨(Ga) - 셀레늄(Se)의 4가지 원소가 결합된 화합물 반도체인 CIGS(CuInGaSe2)를 기판 위에 박막 형태로 증착하여 ... /NiCIGS의 박막기술CIGS 흡수 층 제작→ co-evaporation, sputtering, 유기금속 기상성장법(MOCVD) co-evaporation(동시 증착법) 진공 챔버

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  합금 제조 및 미세조직 관찰

  산세전기 화학적 방법 : 전해 연마, 전해 탈지, 전해 산세수용액으로부터 : 전기 도금, 화학 도금용융 금속으로부터 : 용융 도금, 금속 용사기체로부터 : 각종 기상 도금(진공 증착 ... wt.% Cu의 합금 100 g을 제조하기 위해 8-12 mm 크기의 Al granule 과 1-10 mm 크기의 Cu shot을 각각 90 g, 10 g 준비한다.③ 칭량된 Al ... 그리고 고상선(공정 등온선)을 통과하면서 α+θ(Al2Cu)가 만들어진다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.08.25 | 수정일 2016.09.04

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  Cu 박막 전기적 특성 분석

  실험목적전자제품 (반도체, display)에 전기배선 재료로 사용되는 Al이 있다. ... 하지만 최근의경향이 고집적화, 대면적화로 진행됨에 때라서 대체 재료로 Cu이 각광을 받고 여러방면에서 연구를 진행하고 있다.Cu bulk의 비저항은 1.67μΩ-㎝로서 Al bulk ... 실험은 크게 1x1 SiO₂시편제작, Sputtering증착, 열처리(수평관상로), 비저항 및 박막의 표면 확인으로 구분할 수 있다.Cu 증착을 위해 실험에선 물리적 기상 증착을 이용하는

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.09.21 | 수정일 2015.09.17

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  85화합물 반도체 공정(유전막 증착)

  )진공 증착 장치의 기본구조Vacuum Evaporation(진공 증착)진공 증착이 Al이나 다른 금속 물질의 박막 형성에 많이 사용되는 이유 큰 증착률 가능 ( 0.5 m/min ... for Al ) 0.1eV 정도의 낮은 에너지로 기판 무손상 고진공 (순수 박막) 문제점 정확한 합금 성분 조성이 어렵다. ... 유전막 증착목차123유전막이란?

  리포트 | 43페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  cigs의 개요 원리 구성및특성 박막성장기술 장단점 고효울화방안

  , Ni/Al) : 태양전지표면의 전류 수집 * 면적만큼의 효율 손실요인 CIGS 구조CIGS 구조CIGS 박막성장기술 - 진공증발법 - 스퍼터링 -ETCCIGS 박막성장기술CIGS ... layer( ZnO : n-type) 투명전극으로서의 역할 - 광투과율 , 전기전도성 CIGS 구조반사방지막과 전극 반사방지막 (MgF2) 입사되는 반사손실 감소시 1% 효율향상 전극 (Al ... 증착 ( 스퍼터링 ) * 금속 증착시 사용 * 비금속 , 절연체 , 산화물 증착시 사용Source target Substrate Ar Ar + Electron Thin film Source

  리포트 | 62페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.05.26

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  진공 증착(Coating) 장비의 운영 및 이론 manual

  (10.0)Al2O3 SV-5 MgF2코팅시 Al2O3, SV-5는 산소가 필요한 약품이므로 진공게이지상에 진공도를 확인한다.Al2O3, 코팅시 산소공급 후 진공도 및 AUTO PRESSURE ... SCAN SIZE를 확인 후 COATING을 시작한다.Al2O3 (4.5, 4), SV-5(6, 4), MgF2 (4, 4)RATE 확인Al2O3 (4.0) SV-5(3.5), MgF2 ... 열 증발 진공 증착에서는 열저항이나 전자빔으로 열에너지를 물질에 공급한다.

  리포트 | 57페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.11.14

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  그래핀(Graphene)에 관한 고찰 리포트

  Balandin, et al., NanoLett. 8, 902 (2008)5. ... 최근 주로 연구되고 있는 방법으로는 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD), 탄소 나노튜브 분산법, 에피택시 성장법(Epitaxial Growth ... Nair, et al., Science 320, 1308 (2008)최근 상온에서 이중 층 graphene으로 제조한 FET(field-effect transistor)에 전압을 인가하였을

  리포트 | 10페이지 | 2,700원 (35%↓) 1755원 | 등록일 2016.05.24

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  PVD

  메커니즘이 비교적 단순 박막과 기판 면 사이의 접착이 약함 낮은 증기압 물질에 적용하기 힘듦 박막 중 , 불순물 혼입 Evaporation 6특징 용융점이 낮은 재료 ( 예 : Al ... 높다 다양한 재료 증착가능 multi layer 와 heterogeneous structure 증착 가능 단점 증착 area 가 좁다 Step coverage 좋지 않음 14 펄스 ... ,Cu,Ag,Au 등 ) 의 증착에 유리 증착속도는 filament 에 공급하는 전류량을 조절함으로써 변화시킬 수 있다 .

  리포트 | 77페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.12.24

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