"dry etching" 검색결과 261-280 / 417건

• 

  동판화 정의와 기법

  직접 제판법1) 메조틴트(Mezzotint)2) 인그레이빙(Engraving)3) 드라이포인트(Dry Point)2. ... 간접 제판법1) 딮에칭(Deep Etching)2) 아콰틴트(Aquatint)3) 리프트 그라운드(Lift Ground Etching)4) 소프트그라운드(Soft Ground Etching ... )5) 라인 에칭(Line Etching)Ⅳ.

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.05

  다운로드 장바구니
• 

  Photo lithography(포토 리소그래피)

  ㎛ 두께에서도 사용 가능(묽음)Image tone노광된 부분이 고분자화되어 현상액에 녹지 않음노광된 부분이 광변성을 통해 용해도 증가현상액에 녹음sensitivity빠름비교적 느림Dry-etch

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.20

  다운로드 장바구니
• 

  [공학기술]산화공정(Oxidation)

  Etch 방법에는 화학용액을 사용하는 Wet Etch 와 가스나 플리즈마, 이온 빔 등을 이용하는 Dry Etch가 있다.)④ 다시 D.I water로 충분히 헹군다. ... 결과12345평균30min dry88.3191.4399.0194.3589.4592.512hour dry128.88126.56125.78126.25129.35127.364hour dry150.34153.45153.27148.49147.30150.5730min ... ,NH4F:HF=1:6)와 물을 희석한 용액에 넣어 10초동안 식각(etching)한다.

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.05.24

  다운로드 장바구니
• 

  OLED 제작 전처리 공정 문서

  과 Dry Etching 으로 나눌 수 있다.Wet Etching 은 금속 등과 반응하여 부식시키는 산(Acid) 계열의 화학 약품을 이용하여 노출되어 있는 PR을 제거 하는 것을 ... 말하며, Dry Etching 이란 Ion 을 가속시켜 노출 부위의 물질을 떼어냄으로서 Pattern 을 형성하는 것을 말한다.(9) StripStrip 공정은 마지막으로 남은 PR을 ... Hard Bake 는 Soft Bake 에 비해 좀 더 오랜 시간 이루어지게 된다. 30 분에서 1시간 정도의 시간 동안 Hard Bake 과정을 하게 된다.(8) Etching식각

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.03.01

  다운로드 장바구니
• 

  OLED 효율성 향상 방안... 간단한 시장조사..

  etching을 의미하며 dry etching은 플라즈마를 이용한 모든 식각 공 정을 포괄적으로 의미한다. ... Etching은 그 방법에 따라 크게 wet etching과 dry etching으로 나누어지는데 wet etching은 주로 liquid상태의 chemical을 사용하는 모든 종류의 ... OLED의 패턴 공정에서는 wet etching 방식을 사용한다.● Stripping 공정ITO가 etching되고 나면 패턴된 ITO위에 남아있는 PR을 제거해 주어야 한다.

  리포트 | 36페이지 | 4,000원 | 등록일 2007.12.03

  다운로드 장바구니
• 

  Wafer Cleaning & oxidaton

  오염이없는 웨이퍼를 만들고 thermal CVD를 사용하여 원하는두께의 SiO2층을 만든다.3.실험이론WAFER CLEANING예전에는 CHEMICAL용액을 이용하는 공정은 막질을 ETCH하는 ... 방법, O3 수나 ION 수를 사용하는 방법, BRUSH를 이용하여 물리적으로 PARTICLE을 제거하는 SCRUBBER 방법, GAS PLASMA 처리나 UV O3 조사 등의 DRY ... , 이후 BRUSH를 이동하여 WAFER와 일정 거리를 유지하며 접촉시켜, WAFER 중앙부터 가장자리로 움직이며 PARTICLE을 제거하고 마지막으로 WAFER 건조는 SPIN DRY를

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.09.26

  다운로드 장바구니
• 

  [재료공학실험, 반도체]Lithography

  식각 공정은 그 방식에 따라 크게 wet etching과 dry etching으로 구분하는데, wet etching이라 함은 금속 등과 반응하여 부식 시키는 산(acid) 계열의 화학 ... Wet etching에서의 선택적 etching은 특정 물질에만 반응하도록 몇몇 화학약품을 조합하여 etchant를 만들어 사용함으로서 가능하며 dry etching의 경우 특정 물질에만 ... 특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.28

  다운로드 장바구니
• 

  [화학실험]Etching Process(final)

  PR의 Patterning 후 Wafer구조3)Dry Etching-ICP장비를 이용하여 Dry Etching을 한다.{그림 . ... 이해하고, Dry etching과 Wet etching을 각각 실습한다. ... Dry Etching..Dry Etching의 장 단점장점비등방식각이 가능하며 정확한 패턴형성이 가능하다.자동화가 가능하여 수율을 높일 수 있다.진공분위기에서 처리가 되어 깨끗한 공정

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.02.02

  다운로드 장바구니
• 

  플라즈마 공정

  플라즈마 야금 : 플라즈마의 고온, 활성을 이용하여 금속을 정련, 제련고온 플라 즈마응 용 분 야구분저온 플라즈마의 응용Dry etching : 플라즈마에 의해 활성화 된 라디칼, ... 전자 등을 이용하여 etching. ... Sputtering : ion등을 전계로 가속시켜 대상물질에 입사시 키면, 대상물질에서 이온등의 입자가 방출되 고 이것들을 기판에 증착 또는 코팅시킴.저온 플라 즈마응 용 분 야구분플라즈마 식각(etching

  리포트 | 31페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.01.16

  다운로드 장바구니
• 

  OLED 소자 제작공정

  공정 진행 ITO film 을 PR 층의 pattern 을 통해 선택적으로 제거하는 과정 방법 -wet etching 과 dry etching 으로 나뉨 Stripping Patterning ... 산소로부터의 차단이 중요 유기물 막과 금속 capsule 에 의한 봉지가 가장 많이 적용 – glass 인 경우에만 실질적인 적용 가능 수분과 산소에 의한 열화 방지 - 질소 /dry ... Development( 현상 ) - 분자구조가 변환된 PR 을 유기 용매를 이용해 용해시키는 과정 열처리 PR 내부에 미미하게 남아있는 slovent 제거와 세척 후의 완전한 수분제거 목적 Etching

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.12.13

  다운로드 장바구니
• 

  lithography

  Dry Oxygen에 보다 wet Oxygen에 의한 SiO2가 빨리 etching됨. ... etching and (b) dry anisotropic etching in a plasma or reactive-ion etching system.Etch rate : density ... Chemical Etching Buffered oxide etch(BOE of BHF) : solution containing Hydrofluoric acid(HF) etch rate

  리포트 | 33페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.01.18

  다운로드 장바구니
• 

  [의학약학]치과용 접착제(Cement)의 종류

  32%로 15초간 etching한다.③ Wasing하고, 부드럽게 air dry한다.④ AQUA PREP F를 바른다.⑤ 20초간 기다린다.⑥ ONE STEP을 2-3회 도포한다.⑦ ... 5-6초간 air dry하고, 10초간 light cure 한다⑧ Duo link base와 catalyst를 동량으로 mix하여 쓴다.⑨ Margin부위에 흘러나온 cement을 ... 5세대- 4세대에서의 3단계를 2단계로 간소화- Self-etching system : Etching과 primer의 기능을 결합한것 (ex: SE bond)- self-priming

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.14

  다운로드 장바구니
• 

  재료공학실험 ( 재료의 산화실험( SiO2 ) )

  건식산화(dry oxidation)와 습식산화(wet oxidation)의 차이, 장단점- 건식산화 : Si + O2 → SiO2- 습식산화 : Si + 2H2O → SiO2 + 2H2 ... Ion implantation), 불순물확산(Diffusion), 화학증착공정(Chemical vapor deposition),금속층 형성 공정(Metalization), 식각공정(Etching

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.07.01

  다운로드 장바구니
• 

  재료의 미시조직과 경도 발표

  ) → 세척 및 건조 (cle aning drying) → 현미경 관찰실험데이터와 정리결과실험데이터와 정리결과①표면 경도값(kgf/mm2) [마이크로 비커스 경도기, 하중 : 0.1 ... 절단(sectioning) → 마운팅(mounting) → 조연마(ro ugh grinding) → 정밀연마(fine grinding) → 광택연 마(polishing) → 부식(etching

  리포트 | 29페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.02.23

  다운로드 장바구니
• 

  sams (Self-Assembled Monolayers )

  건식 식각(드라이 에칭(Dry etching) : 미세 가공시 웨트 에칭에서 사용되는 화학 약품을 사용하지 않고 기체 플라즈마에 의한 반응을 이용한 에칭 공정)을 위한 마스크 Ⅱ. ... 이런 후, resistor 부분을 반응성 Ion Etching 법(RIE)으로 제거하고, 기판 전체에 금속 증착을 하여. 금속배선을 제작하는 방법을 말한다.[PDMS란?] ... 금형을 기판과 분리. 4. resist에 금형의 나노패턴이 복사되고, 반응성 이온에칭(RIE,ReactiveIon Etching)이라는 작업을 거쳐서 나노임 프린팅 공정을 끝마침.Photolithography

  리포트 | 59페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.11

  다운로드 장바구니
• 

  포토리소그라피(Photolithography)

  (Etching) 반도체 공정중 가장 중요한 단계 웨이퍼를 적정온도의 부식액에 넣어 잔류오염 물질을 제거하는 방법 방식 Wet etching Dry etching7. ... 부식(Etching)부식? ... 부식(Etching)8.

  리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.11.09

  다운로드 장바구니
• 

  반도체공정기술

  반도체 제조 공정 순서 패 턴 공 정Oxidation실리콘 표면 위에 산화막(SiO2) 층을 형성하기 위한 공정 Dry Oxidation 고온의 퍼니스(furnace) 내로 O2가스를 ... 광화학반응을 일으키는 물질로서, 노광 시 폴리머의 구조를 변형시키는 역할 담당EtchingEtching(식각)은 웨이퍼 상의 특정 지역을 물질의 화학 반응을 통해 제거해 내는 공정 Dry ... 반도체 공정Oxidation Photolithography Etching Ion Implantation CVD (Chemical Vapor Deposition ) Metallization

  리포트 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.03.02

  다운로드 장바구니
• 

  제3장 박막 트랜지스터(TFT)

  금속막의 경우 용제를 사용하는 습식 식각 (wet etching), 반도체와 절연체는 플라즈마를 이용하는 건식식각 (dry etching) 을 이용 . ... 식각 (etching) PR 에 의해 가려진 부분 ( 노광공정에서 자외선을 받지 않은 부분 ) 을 제외한 증착막을 제거 . ... ) (bottom gate) ES(etch stopper) Semi-self aligned Fully-self aligned코플라나 (coplanar) 구조 : gate, S-D 전극이

  리포트 | 43페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.10.22

  다운로드 장바구니
• 

  주사전자현미경

  etch▶Dry etch 후 표면의 잔류 물질의 관찰▶Etch된 구조의 크기 및 모양의 명확한 관찰▶CD의 정확한 측정(4)Photo lithograph▶PR(Photo - Resist ... width를 명확히 구분▶Cell의 명확한 미세구조의 관찰(2)METALLIZATION▶Metal의 구조와 명확한 관찰▶Metal과 Metal의 사이의 interface명확한 구분(3)Dry

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.06.24

  다운로드 장바구니
• 

  LCD 시험 예상 문제 자료 및 답

  Etching 하는 방법을 사용한다.3. ... 공정관리 항목이다.TFT Channel 을 형성하는 공정은 별도의 photo 공정없이 TFT 의 Source 와 Drain 전극을 Mask 로 사용하여 Channel 부위의 막을 Dry ... contact라고 하며 반도체 부품의 리드 프레임을 연결할 때에 사용되는 접합이다.Data선과 TFT의 Source와 Drain전극의 형성은 금속 박막의 증착과 Photo 공정 및 Etching

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.08

  다운로드 장바구니