"npn 트랜지스터" 검색결과 281-300 / 1,508건

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  Latch up in CMOS report

  latch up은 p-n junction에 갑작스럽게 forward bias가 걸려 발생한다.Fig.1 Cross section of CMOS invertor Fig.2 Lateral NPN ... 않게 하는 등의 해결책이 있다.먼저 LOCOS, Trench Isolation, Selective Epitaxy, Wafer Bonding, SIMOX 등의 소자의 절연에 의해 두 트랜지스터에

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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  (A+/이론/예상결과/고찰) 아주대 전자회로실험 결과보고서7

  오차는 BJT의 내부에 존재하는 트랜지스터에 의한 내부저항의 차이로 설명할 수 있다. 트랜지스터의 전류는 시뮬레이션 값의 1/2정도로 나왔다. ... 전압을 낮춰서 saturation되는 모습을 관찰하였다.다음으로 Class-B Output stage는 NPN BJT와 PNP BJT를 상보대칭형으로 구성한 증폭기이다. ... 효율이 매우 높으며(최대 효율 78.5%), 입력신호가 없으면 소비전력도 없지만 트랜지스터의 turn on 전압으로 인해 Crossover distortion이라 하는 왜곡이 발생한다

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.10.24

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  [반도체회로]실험보고서7(공통에미터회로의특성)

  트랜지스터가 npn이든지 pnp이든지 관계없이 CE증폭기는 입력과 출력이 180도 위상차를 갖는다.● 실험순서① 그림 7-1회로를 구성하라. ... 트랜지스터 : 2SC735 또는 2SC18258.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.10.10 | 수정일 2022.12.21

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  아날로그 및 디지털회로설계실습- 실습3(스텝 모터 구동기) 결과보고서

  트랜지스터를 이용한 스텝 모터 구동기3-4-1의 마지막에서 측정한 것처럼 미약한 전력으로 인해 스텝 모터가 구동하지 않는데 이를 해결하기 위하여 ULN2003AN을 사용한다. ... 출력전압)출력이 존재하는 output1, output2에서는 약 20mV의 전압이 출력되었고 출력이 존재하는 output3, output4에서는 0V의 전압이 출력되었다.3-4-2 NPN

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.24

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  조선대 메카트로닉스설계 아두이노 코드 실습

  트랜지스터의 베이스 전압에 5V 인가하면 Vc=0V, 0V 인가하면 Vc=5V//부하저항은=1키로옴, 베이스저항=40키로옴(베이스저항 임의로 키우면 그래프 위치 더 올라가)void ... 아예 안돌리면 시리얼창에 0 표시됨멀티미터 사용해서 가변저항 1핀, 3핀 연결해보면절반 돌렸을 때 전압=2.5Vfull로 돌렸을 때 전압=5V안돌리면 전압=0V//BJT 스위칭-NPN

  리포트 | 13페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.12.25

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  전기및디지털회로실험 실험6 예비보고서

  실험기기테스터 / 직류전원장치 / 함수발생기 / 오실로스코프 / 만능기판 / 만능기판용 전선 / 스트리퍼 / ON,OFF 스위치 4개 / 트랜지스터(NPN) 3개 / LED 3개 / ... 실험 순서(*실험 2에서와 같이 실험과정은 스위치를 사용하고 출력은 트랜지스터에 의해 구동되는 led로 표시되도록 한다.)(1) 예비보고서 1항의 회로를 결선하고 원래의 진리표와 일치하는지

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.06.30

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  광전자공학 1주차 보고서_광센서의 종류와 원리

  일반적인 트랜지스터와 동일하게 PNP(Si)와 NPN(Ge)구조가 있으며, NPN을 기준으로 N형 기판 위에 P형 베이스 / N형 이미터 영역이 만들어져 있다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.03.08

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  ATmega128을 이용한 전자피아노(메트로놈, 자동노래재생 기능 추가)

  사마륨 8Ω 0.5W 스피커 28파이KW10-LF로 피아노 건반을 누를 때 피아노 음이 출력되는 스피커이다.스피커에 npn트랜지스터(2SC1815)를 연결하여 소리가 증폭될 수 있도록 ... 트랜지스터)- 4핀 택트스위치(버튼용 스위치)- KW10-LF(건반용 스위치)- 3461CSR(4자리 7세그먼트)- 3A4SCA-8(LED)- 1602 LCD? ... PCB기판- 330Ω 저항- 4.7kΩ 저항- 10kΩ 가변저항- 7805 레귤레이터 & 방열판- 사마륨 8Ω 0.5W 스피커 28파이- SM-1205C(부저)- 2SC1815(npn

  리포트 | 33페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.01.14 | 수정일 2023.08.24

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  전자회로실험 결과보고서 BJT 특성

  베이스에 흐르는 전압이 이미터에 흐르는 전압보다 낮아져서 npn 트랜지스터가 cut off mode로 동작하여 전류가 거의 흐르지 않는다.6. 2N3904에 대한 실험적인 ... 목적1) BJT 소자의 문턱 전압(threshold voltage)을 측정한다.2)I _{B}의 변화가I _{C}에 미치는 영향을 측정한다.3)beta 를 측정 및 결정한다.4) npn형

  리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.10.03

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  전자회로실험1 5주차예보

  분석하는 경우, 대신호 모델로 AC신호를 포함하는 소신호에 대한 출력 특성 동작을 분석하는 경우는 소신호 모델로 대치한다.4.얼리효과(Early Effect)- 실험 4에서 측정한 npn형 ... over {V _{T}} (I _{S} `exp( {V _{BE}} over {V _{T}} ))`=` {I _{C}} over {V _{T}}3.대신호/소신호 모델- 그림 5-3은 npn형 ... 다시 수정할수 있다.I _{C} `=`I _{S} `exp( {V _{BE}} over {V _{T}} )`(1+ {V _{CE}} over {V _{A}} )- 얼리효과를 고려한 npn형

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.07.29

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  실험 06_공통 이미터 증폭기 예비 보고서

  Q2N4401(npn 형 BJT) (1개)6. 저항7. ... BJT의 소신호 등가회로에 대해서 설명하고,g _{m}과r _{eqalign{o#}}는 컬렉터 전류와 어떤 관계인지 유도 하시오.- 증폭기를 포함한 전자 회로는 많은 수의 트랜지스터를 ... 쪽에 DC 전압을 변화시키면서, 출력 쪽에 흘러 들어가는 DC 전류를 측정한다.실험절차 7을 위한 회로도[표 6-7] 실험회로 2의 입력 저항과 출력 저항5 예비 보고 사항(1) npn형

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.01.25

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  전기및디지털회로실험 실험3 예비보고서

  실험기기테스터 / 직류전원장치 / 오실로스코프 / 만능기판 / 만능기판용 전선 / 스트리퍼 / ON,OFF 스위치 4개 / 트랜지스터(NPN) 1개 / LED 1개 / 2입력 NAND

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.06.30

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  전기전자공학기초실험--전류원 및 전류 미러 회로

  표시 가능.VB = (R2/R1+R2)*(-10V)VE = VB-0.7V=> IE = (VE-(-10V))/RE ~~ IL(2) 전류 mirror 회로Current mirror는 NPN트랜지스터를 ... 사용하느냐, PNP트랜지스터를 사용하느냐에 따라, 부하저항의 위치에 따라 전류 싱크형과 전류 소스형으로 나누어진다.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.09.02

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  전자회로실험 예비보고서 - BJT의 동작 대신호, 소신호 동작 ( A+ 퀄리티 보장 )

  바이폴러 트랜지스터에서, 이미터-베이스 간 전압을 일정하게 유지한 상태에서 컬렉터-베이스 간 전압을 증가하면 베이스 층이 얇아져서 이미터 전류가 증가한다. ... 실험 4에서 측정한 npn형 BJT의 컬렉터 증가함으로써, 베이스 내부 전하 개요의 기울기가 증가하여 컬렉터 전류I _{C}를 증가한다는 물리적 현상으로 설명될 수 있다. ... 다음과 같은 수식으로 수정되어야 한다.I _{C} =I _{S} exp( {V _{BE}} over {V _{T}} )(1+ {V _{CE}} over {V _{A}} )아래 그림은 npn형

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.03

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  BJT DC 특성

  기판은 P형 으로 도핑되어 주변의 트랜지스터와 전기적인 격리를 해준다. ... 실험이론1) BJT 구조BJT는 NPN형과 PNP형으로 나누어진다. 에미터 아래의 부분이 BJT의 기본 동작이 일어나는 부분이다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.06.16

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  트랜지스터 증폭기 실험 (실험리포트)

  트랜지스터 증폭기 실험1. ... 포화영역에서 동작하게 된다).6. feed-back 2단 증폭기 설계그림 9. feed-back 2단 증폭기 (Voltage-series feddback 증폭기)주어진 그림의 회로는 npn ... VCE는 0~VCC만큼 걸릴수 있는데 해당 트랜지스터의 VCE-IC 특성 그래프상에 y축의I _{C} = {V _{CC}} over {R _{C}}인 점과 x축의V _{CE} =V

  리포트 | 14페이지 | 4,000원 | 등록일 2021.10.13

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  [A+] 건국대 전기전자기초실험1 9주차 예비보고서 및 결과보고서

  LTspice를 이용하여 위의 회로를 구성하시오.회로의 Q1과 Q2는 각각 라이브러리의 PNP(2N2907), NPN(2N2222) 트랜지스터를 사용하시오.Q2에 회로와 같이 사각파

  리포트 | 21페이지 | 7,500원 | 등록일 2024.05.21

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  BJT (이미터 저항있는)CE 증폭회로

  이론 배경 : 이미터 저항을 가지는 회로로서 CE 증폭회로의 바이패스가 있는 경우와 없는 경우로 나누어 해석해본다.h 정수를 사용하여 트랜지스터 소신호 증폭기의A _{v},A _{i ... PNP, NPN 각각 3가지로 증폭회로 설계V _{CC} [V]V _{CE} [V]I _{CQ} [mA]R _{1} [kΩ]R _{2} [kΩ]R _{3} (R _{C} ) [kΩ]

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.20 | 수정일 2020.03.25

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  전자회로실험1 5주차 결보

  20mV0.040.16450mV0.10.242.4100mV0.20.321.6200mV0.40.481.2500mV10.880.881V21.680.841.2V2.42.080.871.5V32.720.9072V441[표5-3] 증폭 선형성 측정표 5-3 실험과정V _{CE} -I _{C} 특성곡선V _{CE} -I _{C} 특성곡선토의수식을 이용한 파라미터의 검출첫 번째 실험은 npn형 ... 0V00.2820.0300.6900.040.411.1020.031V1.010.2820.240.940.6890.610.991.1020.242V2.000.2820.251.940.6890.641.981.1020.253V2.930.2820.262.930.6890.682.941.1030.264V3.990.2820.283.930.6890.713.971.1030.285V4.950.2830.304.930.6890.774.961.1030.306V5.780.2830.355.910.6890.885.851.1030.357V6.890.6891.126.871.1040.436.820.2840.438V7.980.2840.67.840.6881.657.731.1050.69V8.80.2821.78.620.6854.048.381.1041.610V8.55014.78.411.10212.511V8.450.27423.88.500.68224.98.381.10123.412V8.450.27433.88.480.68234.48.361.10033.3[표5-1] 트랜지스터 ... 196.8u1V117.7m270.4u8.823m92.61m694.5u9.074m81.75m1.119m9.183m2V158.5m265.9u18.42m125.5m690.2u18.75m112.4m1.115m18.88m3V199.9m263.1u28.0m152.0m687.4u28.48m137.0m1.112m28.63m4V356.3m261.4u36.44m176.5m685.3u38.24m159.0m1.11m38.41m5V1.306261.2u36.94m201.0m683.5u47.99m179.8m1.108m48.2m6V2.258261.2u37.42m227.7m682.2u57.72m200.2m1.107m58.0m7V3.211261.2u37.89m262.2m681.0u67.38m220.9m1.106m67.79m8V4.164261.2u38.36m425.6m680.0u75.74m242.8m1.104m77.57m9V5.117261.2u38.83m1.330680.0u76.70m267.4m1.103m87.33m10V6.07261.2u39.31m2.237680.0u77.63m299.8m1.103m97.0m11V7.022261.2u39.78m3.144680.0u78.56m426.6m1.102m105.7m12V7.975261.2u40.25m4.056802m107.1m[표5-1] 트랜지스터

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.07.29

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  Collector Curve of BJT 실험보고서

  (PSpice에는 2N2102가 없어 같은 npn bipolar transistor인 2N2222를 이용하였다.) ... (실험에서 사용한 트랜지스터는 2N2102A 이다.)2)V_BB를 2V로 설정하고V_CC를 0.5V로 설정하고I_E,I_C를 멀티미터로 이용해 측정한다.3)V_CC를 0.5V씩 높이면서

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.11.08

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