"pecvd" 검색결과 301-320 / 395건

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  반도체 제조공정

  플라즈마 화학기상증착(PECVD)PECVD는 전기적 방전을 통해 기체 내에 화학 반응을 일으켜 화학기상증착물을 형성시키는 기술이다. ... 이러한 기술은 플라즈마 열역학에 의한 두 가지 부류로 나뉠 수 있다.PECVD는 열CVD에 비해 비교적 낮은 기판 온도에서 막을 증착 할 수 있고 또 적정한 온도에서는 종래의 열 플라즈마보다 ... 복잡한 화학공정으로 방전 과정 중에 다양한 화학물질, 자유기, 전자 이온들이 생성되며, 또한 생성되는 막의 표면에 화학적 변화가 일어날 수 있다.모델링은 별로 가치가 없다.일반적으로 PECVD는

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.10.12

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  [전자공학]Solar Cell, 태양전지

  비정질 실리콘 태양전지vSiH4등의 기체를 진공상에서방전 (200~300˚C)v투명전극의 기판위에 증착 (PECVD 방식)v SiH4 + B2H6 => p typev SiH4 + PH3

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.06

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  [공학]LCD제작 공정 , 저가격을 위한 방안

  Deposition : Spttreing, PECVD.. etc.2-1 PR Coating 2-2 Soft-Baking 2-3 Alinging PhtolitograpyMaskLight3

  리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.31

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  박막 증착의 방법

  기판만을 필요한 온도까지 가열하고 챔버 wall은 상온으로 유지시킴 Chamber wall에서의 증착과 Homogeneous reaction을 막기위해 사용 기판에서부터 온도가 불균일PECVD

  리포트 | 19페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.11.09

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  금속재료실험 과제물

  (b) PVD와 CVD의 박막 증착 방법의 각각 세 가지 예를 들어라.PVD: 진공증착법, 스퍼터링, Ion PlantingCVD: 분무법, PECVD, Dipping#참고문헌: 재료실험2

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.02.12

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  플라즈마에 관하여

  이와 같은 특성을 이용한 것이 PECVD(Plasma Enhanced CVD)와 RIE(Reactive Ion Etching)등이다.4)Plasma진동→Plasma 내부에 전하가 약간이라도

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.01

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  [반도체] 단결정 성장 방법

  또한 비정질층의 이온주입후 재성장을 위해서는 SPE 방법이 사용되고 있다.PECVD(plasma enchanced chemical vapor deposition)PECVD의 개요1) ... 되는 가스를 공급하여 열 및 플라즈마를 이용하여 화학적 반응을 통한 박막을 형성하는 기법을 plasma enchanced chemical vapor deposition 이라 한다.PECVD는

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.02

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  TFT와 FET 그리고 둘의 차이점

  가하여 분해시킨 후에 후속 화학 반응에 의하여 기판 위에 박막을 증착하는 CVD는 반도체막이나 절연막의 형성에 사용되며, 기체 화합물의 분리를 위하여 플라즈마 Source를 사용하는 PECVD는

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.04.06

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  LCD의 원리와 제조

  공정은 1,000℃ 정도의 공정온도를 갖는 반면 TFT 공정은 유리기판을 사용하기 때문에 300 ~ 500℃의 공정온도를 유지해야 하므로 오히려 반도체보다 까다로운 기술이다.(1) PECVD

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.18

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  박막재료의 표면처리 및 식각실험

  이 때 증착반응은 일반적으로 기판에 유지되는 온도 및 그에 따른 열적에너지에 의해 진행되나, 때로는 전기장에 의한 플라즈마(PECVD) 또는 자외선에 의한 빛 에너지(PVD)등의 상승작용에

  리포트 | 22페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.05.27

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  반도체공정 (Deposition & Evaluation)

  Voids during depositionof high-aspect ratio gap(>3:1) with PECVD SiO2.A.

  리포트 | 39페이지 | 4,500원 | 등록일 2007.01.27

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  [물리학 실험] 플라즈마

  플라즈마 상태라고 하면 이해하기가 쉬울 것이다.이중 공업적으로 이용이 활발한 플라즈마는 저온 글로우 방전 플라즈마로서 반도체 공정에서 플라즈마 식각(Plasma Etch) 및 증착(PECVD

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.22

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  [박막공학] MOCVD,CVD.VPE

  ) Direct, Remote PECVD - Laser CVD (LCVD) - Microwave CVD - Photo CVDChonnam National UniversityPhotonic ... Temperature CVD ( 500 ℃) Mid Temperature CVD ( 500-900 ℃) High Temperature CVD ( 900 ℃) - Plasma CVD (PECVD

  리포트 | 34페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.11.02

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  디스플레이 공학실험 TFT-LCD 제조실험

  TFT-Arrary 공정현재 대부분의 LCD 제조업체에서는 제조공정이 상대적으로 쉽고 별도의 TFT 광차단막 형성이 필요 없는터 보호하기 위하여 고투과율과 내습, 내구성이 있는 SiNx를 PECVD에

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.12.04

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  박막 재료의 표면처리 및 PR 제거

  ※참고 : cold palsma = low temperature p서 플라즈마 식각(plasma etch) 및 증착 (PECVD : Plasma Enhanceed Chemical Vapor

  리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.05.27

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  [공학]플라즈마 (PLASMA)

  플라즈마의 환경 기술 : 플라즈마의 고온 / 고활성을 이용하여 폐기물 분해 / 유리화 ex) 공장 배기 가스 중 Nox, Sox를 제거하는 건식 처리 기술 ■ 저온 플라즈마 ● PECVD

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.07.07

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  재료의 산화실험

  SiO2박막은 또한 저압(~100mTorr)화학 기상증착(LPCVD)이나 PECVD(plasma enhanced CVD)에 의해 형성될수 있다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.26

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  반도체 용어 정리

  반응실의 압력에 따라 LPCVD(저압화학기상증착), APCVD(상압화학기상증착), HPCVD(고압화학기상증착)으로 나뉘며, PECVD등도 있다.* MOCVD로 증착시킨 Ⅲ-Ⅴ족 GaN의

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.23

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  [반도체]CVD

  Vapor Deposition)PECVD플라즈마를 이용해서 CVD 공정을 행하는 것. ... CVD공정의 종류PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) PACVD (Photo-CVD) MOCVD (Metal Organic Chemical

  리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2003.04.19

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  [재료공학실험] CVD와 PVD

  PECVD2.2.1. PECVD 장비의 설비 구성반도체 산업에서 저온기술에서 증착된 실리콘 질화 막은 금속 공정후의 마무리보호막 층으로 주목 받고있다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.17

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