"화학기상증착법" 검색결과 321-340 / 564건

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  박막의증착

  형성은 PVD법에 비하여 고속입자의 기여가 적기 때문에 기판 표면의 손상이 적은 잇점 이 있으므로 주목되고 있으며, 국제적으로 기술 개발을 서두르고 있는 분야이기도 하다.CVD(화학기상증착 ... 화학기상증착은 반응기체의 유입하에서 가열된 substrate 표면에 화학반응에 의해 고체 박막이 형성되는 것을 일컫는다. ... 이어서 기상의 부산물들은 reaction chamber를 빠져나간다.박막은 여러가지 방법으로 제조될 수 있는데, 그 중에서 무엇보다도 화학기상증착이 가장 널리 쓰이고 있다.

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.26

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  화합물 반도체

  이송된 기체들은 가열된 기판 위에서 화학반응을 일으키며 증착이 이루어진다.VPE법은 Halide법과 Hydride법으로 나뉘어진다. ... Hg1-xCdxTe의 경우에 n type dopant로는 In p type dopant 로는 As이 사용된다.3.3 VPE법에 의한 박막 성장VPE법은 화학증착법의 일종으로 볼 수 ... CdS셀은 보통 소결법에 의하여 제작되는데 전극으로는 Al, In, Sn등을 진공증착한다.

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.02

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  Epitaxial growth

  ClassificationCVD ( chemical vapor deposition, 화학기상증착 ) MBE ( molecular beam epitaxy, 분자선에피택시 ) LPE ( ... 이용하여 기판위에 박막을 증착시키는 방법ClassificationCVDLPCVD정확한 화학 조성 조절이 가능 고온 및 고온에너지가 필요없기 때문에 단가가 낮음 저압으로 막의 질을 ... liquid phase epitaxy, 액상에피택시 ) VPE ( vapor phase epitaxy, 기상에피택시 ) SPE ( solid phase epitaxy, 고체상태에피택시

  리포트 | 34페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.09.12

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  건식도금

  화학적 수송과정에서 물질의 이동은 보통 반응물과 역반응의 반응생성물의 기상확산에 의해 발생한다. ... MOCVD(또는 OM CVD), HVD등 원료명을 붙인 CVD법의 명명도 이러한 사정을 반영하고 있다.3 온도(기상, 기재, 로벽, 노즐)기상온도, 기재온도는 성막속도나 입자생성속도에 ... 화학반응을 일으키기 위해서는 에너지가 필요한데, 가하는 에너지에 따라 다음과 같이 분류한다.막의 종류생 성 막형 성 방 법반 응 가 스절 연 막SiO2열CVDSiH4, O2SiH4

  리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.12.13

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  [공학기술]반도체증착기술

  (1) CVD(화학 기상 증착법)공정의 개요외부와 차단된 반응실 안에 Substate(기판)를 넣고 Gas를 공급하여 열, 플라즈마, 빛(UV or LASER), 또는 임의의 에너지에 ... *저압 화학 기상 증착 (LPCVD)은 다음과 같은 이점을 갖고 있다.1 Wafer 처리 용량이 증가한다. (100 ~ 200장 동시 공정 가능)2 사용되는 Gas량의 감소1) LPCVD ... Sputtering 법은 고융점 금속의 박막 형성에는 가장적당한 방법이며, 진공 증착법 처럼 가열 증발되기 어려운 재료에 적용되었지만, Al 및 Al의 합금에 대해서는 Sputtering

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.07.19

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  반도체공정순서 및 박막 증착법

  에피탁시란 고온에서 단결정 실리콘위에 수증기로부터 단결정 실리콘 층을 성장시키는 것이죠, 3가 염화물 혹은 4가 염화물(SiCl4)과 기상 증착에 의하여 CVD에서 비슷한 반응기에 ... 성장을 하기 위해 SC용액(과산화수소(H2O2)와 염화수소산)으로 새로운 자연 산화물을 완전히 제거합니다.Wafer Epitaxial Processing에피탁시는 특별한 종류의 박막 증착법입니다 ... 산화되는 물질은 실리콘과의 경계면에서 반응하여 SiO2를 형성하는데 화학반응식으로 표현하의 노출된 산성의 포토레지스트는 기본 용액으로 제거됩니다.

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.09.25

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  ZnO박막의특성

  졸 - 겔법 b. 화학기상증착법 c. 스퍼터링법 d. Pulse laser 증착법 (PLD)I. 실험 a. 실험목적 . ... 증착변수로 하여 박막증착 d. ... 기판온도가 증가시 비저항이 감소 400’C 에서 증착한 박막의 경우 가장 낮은 비저항 값 Hall 이동도는 기판온도가 증가시 증가 400C 에서 증착한 박막의 경우에는 Hall 이동도가

  리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.16

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  epitaxy 공정

  에피택시(VPE : vapor phase epitaxy), 금속 유기물 화학 기상 증착(MOCVD : metal-organic chemical vapour deposition), ... 물리적 증착 기술 즉, PVD 기술의 하나이다.- 이러한 성장 방법들에 의해 Si과 GaAs를 포함하는 광범위한 반도체 박막 결정들이 키워지고 있다. ... -사용와가 실리콘 표면에서 화학반응을 일으켜 실리콘 에피층을 만들고 HCl은 기체로 배출된다.

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.21

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  타소 나노튜브(CNTs)의 구조, 추출방법, 분류방법

  그 예로서 전기방전법에서는 전이금속을 사용하지 않으면 다중벽 탄소나노튜브가 합성되고, 전이금속을 사용하면 단중벽 탄소나노튜브가 합성되며 화학기상증착법에서는 전이금속의 종류에 따라서 ... 직류전원사용2.20~40V 의 전압범위에서 50~100A 정도일때 전기방전이 잘 일어납니다.3.일반적으로 MWNT가 많이 합성됨*1995년에 미국 라이스대학의 Smalley 그룹은 레이저 증착법에 ... 그림 14는 Smalley 그룹에서 사용한 레이저 증착장치입니다. 1200 ℃의 오븐 안에 있는 그래파이트 타케트에 레이저를 조사하여 그래파이트를 기화시킵니다.

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.06

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  화학기상응축(Chemical Vapor Condensation, CVC)공정을 통한 TiO2의 합성

  이러한 요구특성을 만족하는 나노분말재료의 최적의 제조공정으로 기상합성법이 보고되고 있다. 기상합성법은 기상에서 균질 핵생성 및 응축과정을 통해 나노분말을 제조하는 공정이다. ... 화학기상응축(Chemical Vapor Condensation, CVC)공정을 통한 TiO2의 합성(1) CVC 공정분말재료에 요구되는 특성은 고순도, 균일한 크기, 서로 응집되지 ... CVC 기술은 금속 유기물 전구체를 기상에서 열분해와 화학 반응시켜 분말을 제조하는 공정으로, 단일 성분 뿐 만 아니라 코팅형 혹은 도핑형과 같은 복합계 세라믹이나 금속분말을 제조할

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.07.03

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  반도체식각실험 예비보고서(공업화학실험)

  이용하면 전압을 상승시키지 않고 높은 밀도의 플라즈마를 생성시킬 수 있다.④ 플라즈마 이용 분야● 신소재 합성기존에 초고압, 고온에서 얻어지던 인조 다이아몬드를 플라즈마를 이용한 기상증착법에 ... 플라즈마를 이용한 증착법을 쓴 경우에는 부착력이 좋고, 증착 온도가 낮아질 수 있어서 종래의 방법에서와 같이 증착하는 경우 기판의 고온 가열이 필요하게 되어, 이에 수반되는 모재의 ... 식각 기구의 측면에서 보면 화학 반응을 이용한 화학식각, 가속시킨 이온을 기판에 충돌시켜 스퍼터 현상에 의한 물리식각으로 나눌 수 있다.

  리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.04.01

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  PVD의 정의 및 공정

  PVD의 정의기상증착법 (Vapor Deposition)은 크게 두 가지로 분류된다.하나는 PVD (Physical Vapor Deposition)이고 다른 하나는 CVD (Chemical ... 이때 일단 기판에 붙은 물질의 화학적 조성은 기판에 도착한 기체상태의 물질의 조성과 같다. ... PVD의 종류① 이온을 이용하지 않는 진공증착(evaporation)금속은 진공중에서 가열하면 가스로서 증발하는데, 이 원리를 응용한 방법이 진공증착법(眞空蒸着法, evaporation

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.18 | 수정일 2018.06.02

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  [탄소나노튜브]탄소나노튜브란

  대한 연구가 활발하게 시도되고 있음 종 류 전기 방전법, 레이저 증착법, 플라즈마 화학 기상 증착법, 열 화학 기상 증착법, 기상합성법 등탄소를 태우는 과정을 통해 CNT를 만들어냄탄소나노튜브의 ... 제조방법성장하고 있는 CNT(전기방전법)탄소나노튜브의 제조방법전기 방전법탄소나노튜브의 제조방법레이저 증착법탄소나노튜브의 제조방법플라즈마 화학 기상 증착탄소나노튜브의 제조방법열 화학 ... 기상증착탄소나노튜브의 제조방법기상합성법응용분야..응용분야..일반사항 CNT에 전기를 흘리면 LED(발광다이오드)보다 효율이 100배 이상 높은 빛을 냄 열전도율은 자연계에서 가장

  리포트 | 34페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.06.04

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  Thermal evaporation system

  환경이 필요한 것이다.둘째는 적절한 환경 제공이다.예를 들어 sputtering을 이용할 때는 수 m torr의 기압이 필요하나 CVD(chemical vapor depositon:화학기상증착법 ... 저항가열식 진공증착법 증착진공층착법은 1857년에 Faraday가 처음으로 행한 방법으로 이 방법은 박막제조법중에서 널리 보급된 방법이라 할 수 있다. ... (e-beam 증착), sputtering, CVD(화학증착), MOCVD, MBE 등이 있다.

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.16

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  표면처리기술의 이해와 종류,레이저의 개념

  기상코팅의 하나인 방법으로의 CVD는 Chemical Vapor Depo sition의 약자로 기상에서 고 상을 석출하는 과정으로 화학적 증착법이라고 불리는 방법이며, 진공증착, 스파터링 ... 대표적인 화학반응을 나타내었다. ... , 이온프 레팅등의 물리적 증착법(PVD: Physical Vapor Deposition)과 구별해서 제안된 명칭이다.이 기술은 로안에서 가열된 처리품에 피막성분을 함유하는 원료의

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.02.18

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  [공학기술]박막증착 기술보고서<스퍼터링&CVD>

  CVDCVD(화학기상증착)는 기체 상태의 화합물을 가열된 모재표면에서 화학적 반응을 통하여 생성물을 모재표면에 증착 시키는 방법으로 APCVD, LPCVD, UHVCVD, RTCVD ... 이러한 화학 증착법 중 현재 저온 코팅이 가능하고 단차피복성이 좋으며 소량의 전구체로 다량의 피처리물을 코팅할 수 있는 PECVD(플라즈마 화학증착법)이 많이 사용되고 있다. ... Sputtering스퍼터링(Sputtering)은 PVD에 해당하는 증착법 중의 하나이다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.14

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  ITO 투명전극

  ※ITO 재료 및 타겟ITO(indium-tin oxide)는 파우더형태로 제조됩니다.분말 제조 방법은 크게 액상법과 기상법이 많이 응용되어지고 있습니다. ... ITO 투명전극 조사목 차●ITO의 정의●ITO 재료 및 타겟●스퍼터링 법으로 인한 최적의 타겟●고주파 마그네트론 스퍼터링 법을 사용하여 상온에서 증착시간을 변화 시켜서 결정 화된 ... 음이온 주위에 배위된 양이온의 수는 총 4개가 되고 화학식은 아래 식과 같게 된다.fluorite 화학식:AX2 여기서 A는 양이온 X는 음이온2성분계 화합물 중에서 양이온의 크기가

  리포트 | 15페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.09.29

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  [공학]CVD

  대신 상압에서도 증착이 가능하다.간단하게 말하면, CVD법은 기판에 증착될 때 원료물질들이 PVD처럼 들러붙는다기 보다는 화학반응을 일으켜서 고체 상태로 변화하는 것이다.PVD와 CVD ... CVD법으로 증착할 때 물질에 따로 다소 저온도 가능하지만 이 저온이란 것도 CVD에서는 500도 정도를 저온이라고 지칭한다. ... CVDCVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.17

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  노광공정 및 식각공정

  화학 기상 증착법을 이용하여 얇은 실리콘질소(SiN2)층을 형성하며, 이 층은 게이트와 실리콘 사이에서 절연체 역할을 함. ... 화학 기상 증착법 또는 스퍼터링 을 이용해 전도성 폴리실리콘 층을 형성하며, 이 영역은 트랜지스터의 게이트가 됨.전통적인 리소그래피 - 트랜지스터6. ... 적층 성장(Epitaxy) 화학 기상 증착법을 이용해 순도가 매우 높은 실리콘 결정층을 웨이퍼 위에 성장시키는 것 웨이퍼 두께의 약 3% 그림에서 짙은 색깔 부분이 적층 성장된 층임

  리포트 | 29페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.05.09

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  cvd 와 pvd의 특징과 비교

  CVD의 개요* CVD(화학 기상 증착법)공정의 개요외부와 차단된 반응실 안에 Substate(기판)를 넣고 Gas를 공급하여 열, 플라즈마, 빛(UV or LASER), 또는 임의의 ... 박막은 물리기상증착(Physical Vapor Deposition)과 화학기상증착(Chamical Vapor Deposition)등의 다양한 방법으로 성장되며, 일단 형성된 박막은 ... 1.introduction기상증착법 (Vapor Deposition)들은 아시다시피 크게 두 가지로 분류됩니다.하나는 PVD (Physical Vapor Deposition)이고 다른

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.14

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