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"BJT MOSFET" 검색결과 321-340 / 622건

  • 저잡음증폭기
    할 만한 것 같다는 자신감도 붙고 BJT에 대해서도 많이 배우고 LNA뿐만 아니라 단순 증폭기에 대해서도 조금씩은 깨닳은 계기가 되었다. ... .* 고찰전자회로에서 mosfet까지만 배운 나로썬 도저히 어떻게 이 프로젝트를 시작해야할지 난감했지만 이리저리 발로 뛰어다니며 도서관에서 원서까지 빌려가며 하나둘씩 해나가다보니 의외로
    리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.22
  • 실험02 MOSFET Digital Logic Gate(예비)
    관련된 기초이론[NAND GATE][NOR GATE][MOSFET NAND Gate][MOSFET NOR Gate][CMOS NAND Gate]디지털 논리회로는 BJTMOSFET을 ... BJT를 기초로 한 게이트들 (TTL, ECL)등은 MOSFET Gate들과 비교해 볼 때 스위칭 시간이 더 빠르다는 이점을 가진다.그림 1과 2는 MOSFET NAND Gate와 ... P-MOSFET가 포화 영역일 때 N-MOSFET는 선형 영역이고, N-MOSFET가 포화 영역일 때 P-MOSFET는 선형 영역이다.
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.12.11
  • 트랜지스터 컬렉터 특성
    트랜지스터 컬렉터 특성 실험11471263유재원1. 목적트랜지스터에서 I _{eqalign{C#}}및 V _{eqalign{CE#}}와의 상관관계를 실험적으로 측정하여 컬렉터 특성곡선군을 결정한다.2. 예비지식2.1 컬렉터 특성컬렉터 특성곡선 트랜지스터 회로와 동작영역..
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.05.03
  • T_CAD NMOS_구조 설계
    식은가 된다. λ는 Channel length modulation parameter 라 하며, 포화영역에서 전류가 유효채널길이에 얼마나 변하는지를 나타낸다. ( 원인은 틀리지만, BJT ... 일반적으로 Ehancement MOSFET 을 사용하며, Depletion MOSFET 을 사용하는 것은 본 적이 없다.( MOSFET? 기호 )?일반적으로 MOSFET 은? ... 전위가 가장 낮으므로, ESD 나 Latch-UP 등으로 부터 보호하기 위해서이다.( N - Channal MOSFET )?MOSFET 은?
    리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.12.05 | 수정일 2018.06.21
  • (주)KEC 입사 자소서작성 성공패턴 기출면접시험 입사시험경향
    1) 주제 : (주)KEC의 업무와 상업 서비스를 분류하고 업무 성격을 설명하세요.2) 주제 : (주)KEC의 주력 제품인 MOSFET, BJT, DIODE, IC, Automotive
    자기소개서 | 236페이지 | 9,900원 | 등록일 2016.07.15 | 수정일 2019.04.25
  • MOSFET_03
    동작 측면에서 BJT 증폭기와 유사하다. ... BJT 증폭기에 비해 입력저항이 매우 커서, 증폭단 사이 신호전달이 보다 효율적이다. ... Post-Lab Report- Title: Lab#10_MOSFET_03-담당 교수담당 조교실 험 일학 번이 름목 차1. Introduction (실험에 대한 소개)가.
    리포트 | 27페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.04.06 | 수정일 2017.03.08
  • [대충] 예비 MOSFET Digital Logic Gate
    반면에 BJT를 기초로 한 게이트들(TTL, ECL 등)은 MOSFET 게이트들과 비교할 때 스위칭 시간이 더 빠르다는 이점을 가진다.그림 1과 2는 MOSFET NAND 게이트와 ... 이 회로는 Active Load로 p-MOSFET을 Driver로n-MOSFET을 사용하였다. 각각의 입력 신호는 n-channel과 p-channel MOSFET으로 연결된다. ... 전자회로실험2(예비보고서)실험 : MOSFET Digital Logic Gate1. 실험 목적디지털 로직 게이트를 기초로 하여 MOSFET의 동작을 이해한다.2.
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.01.17
  • 실험 3예비 BJT 공통 에미터(CE) 증폭기 특성
    CE 증폭기는 CB,CC 증폭기에 비해서 소신호 이득은 큰 편이며, 주파수 대역폭은 비교적 낮은 편이다.1) BJT CE 증폭기 DC 바이어스 해석다른 BJT 혹은 MOSFET 회로와 ... BJT 공통 에미터(CE) 증폭기 특성실험 목적커패시터 결합 BJT 공통 에미터 증폭기의 소신호 이득, 입력 저항 및 출력 저항을 측정한다.실험 이론보통의 BJT CE (공통 에미터 ... DC 바이어스 회로는 BJT Q1, 저항 RB, RC, 그리고 DC 전원 VBB, VCC로 구성된다.
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.09.30
  • 트랜지스터 기본 소자 실험(결과)
    우리는 i_C와 v_CE 그래프로부터 Output resist의 특성 실험실험 회로위의 의 회로에서 BJTMOSFET 2n7000으로 변경한 후 (Common Source Configuration으로 ... 이러한 과정을 통하여 BJT의 기본적인 전류 전압 특성 들을 직접 눈으로 살펴볼 수 있었으며, 각각의 단자에 걸리는 바이어스 전압을 통해 결정되는 BJT의 동작모드 Cut-off, ... (Cut-off Mode, Triode Mode, Saturation Mode)MOSFET의 동작영역은 Cut-off Mode, Triode Mode, Saturation Mode의
    리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.08
  • 아주대학교 전자회로실험 CMOS 증폭단 설계 결과
    실험 이론(1) MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)MOSFET은 같은 3개의 단자를 가진 반도체 소자 BJT보다 ... MOSFET은 크게 n-MOS와 p-MOS가 있고 표기법은 아래의 그림과 같다.MOSFET의 단자는 위의 과 같이 Source, Gate, Drain으로 구성되어 있다. p-type ... 결론 및 고찰- 이번 실험의 목적은 MOSFET의 특성을 알아보고 실제 MOSFET을 이용하여 주어진 설계사양을 만족하는 CMOS 증폭단을 설계해보는 것이었다.
    리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.06.15
  • 아주대 전자회로실험 설계 예비보고서 2. CMOS 증폭단 설계
    실험 이론* MOSFET- MOSFET의 경우 기존 BJT와 다르게 절연체로 인해 gate current가 0이기 때문에 R _{IN}=INF 이고 saturation region에서 ... 증폭기로써 MOSFET의 동작을 확인하고 그 다음 입력신호의 증가에 따른 출력 파형의 왜곡을 확인하였다. ... 시뮬레이션 결과 MOSFET 회로는 이론적인 GAIN값은 시뮬레이션 결과값과 차이가 났다. 이와 같이 오차가 난 원인으로는 PSPICE 소자의 기본적인 설정값 때문이다.
    리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.10.06
  • (실험보고서) MOSFET 전압 전류 특성 실험 및 시뮬레이션
    전류를 조절하게 된다.MOSFETBJT의 큰 차이점은 BJT의 Base에는 전류가 흐르는 반면에 MOSFET의 Gate에는 전류가 흐르지 않는다는 것이다. ... 이런 BJT와 대응되는 Transistor가 MOSFET으로 BJT의 Emitter, base, collector 단자에 대응되는 Source, Gate, Drain 단자가 있다. ... 따라서 BJT에서 Base를 이용하여 Emitter와 Collector간에 흐르는 전류의 크기를 조절하듯이 MOSFET에서는 Gate를 이용하여 Drain과 Source사이에 흐르는
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.11
  • 전자회로설계 및 실험 - 예비보고서, 결과보고서
    미리보기를 참고해주세요.
    리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2017.12.13
  • 경북대학교 전자공학실험2 올A+ 예비보고서 3장 (복사실 판메제안 받은자료)
    MOSFET증폭기의 주파수 응답실험3. MOSFET 증폭기의 주파수 응답1. ... 잡음이 BJT보다 적으므로 특히 신호레벨이 낮은 초단증폭기에 적당하다. (JFET)4. 전압가변저항, 전류원으로 유용하다. (모터제어, SMPS제어등)5. ... BJT보다 특성이 온도에 덜 예민하고 열폭주가 안 일어난다.6. 스위칭소자로서 사용할 때 오프셋전압이 없고 또 그라운드에서 플로팅 시켜서 사용할 수도 있다.4.
    리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.11.03 | 수정일 2022.03.28
  • Common Emitter BJT Amplifier 설계
    이것은 MOSFET에서는 볼 수 없었던 BJT특성상 나타나는 결과로 보인다. 혹은 커패시터나 기생커패시터 혹은 인덕터에 의한 것일 수도 있겠다. ... BJT Amplifier Design전자정보시스템공학 15조종합이득특성이 20이 되는 BJT 증폭기를 설계한다.전류거울 회로를 통해 입력 bias를 주입하는 회로를 설계하여 안정성을 ... 모든 BJT소자는 2N2222A/ZTX NPN BJT로 BF =100, VAF=100의 특성값을 입력하였다.current mirror circuit 좌측 : 우측 = 1:1 로 하였다.Vo이제
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.01.11
  • [전자회로설계및실습A+] Common source Amplifier 설계 결과 레포트 입니다
    접합형 트랜지스터(BJT)와 전계효과 트랜지스터(FET)로 구분된다. ... 이 이유는 같은 종류의 MOSFET일지라도 , 의 값이 조금씩 달라서 생기는 것이라고 생각된다.4.3 진폭을 일정한 값으로 고정하고 출력전압이 입력과 같아지는 주파수까지 주파수를 바꾸어
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.10.06
  • Audio Amplifier 설계 및 제작, 특성분석
    과제 개요전자회로1 수업시간에 배우는 MOSFET의 특성을 이용한 오디오 증폭기를 실제로 설계 및 제작해보고 특성을 분석함으로써 기존의 지식을 확인하고자 함.또한 보고서에 대한 인식을 ... 의문에 봉착하게 된다.일반 가정의 32평형 아파트의 거실을 기준으로 생각해 볼 때 어느 정도 소리가 크다고 느낄 때의 출력은 5~10W정도이다.지금 전자회로1 수업시간에 배우고 있는 BJT
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.12.29
  • 전자회로실험I - 실험 11. MOSFET CS, CG, CD 증폭기 예비보고서
    실험 목적MOSFETBJT와 마찬가지로 개의 단자(Gate, Source, Drain)을 가지고 있기 때문에 이 3개의 단자를 입, 출력으로 사용하는 총 6개의 증폭기를 구성할 ... MOSFET CS, CG, CD 증폭기조3조1. ... CS AmplifierCD amplifier는 과 같이 입력 ac 전압을 MOS의 gate에 연결하고 출력은 MOSFET의 drain에 연결한다.
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.04.02
  • 울산대 예비전자 15장.전류원 및 전류 미러 회로
    JFET 또는 MOSFET로 구성될 수 있으며, 그림은 JFET를 이용한 직렬회로입니다. ... {DS} =V _{DD} +V _{SS} -I _{D} (R _{D} +R _{S} ),V _{S} =-V _{SS} +I _{D} R _{S}로 정리 할 수 있습니다.기본적으로 BJT직렬회로는 ... 그리고 좀 더 나아가 FET와 BJT 증폭단을 조합하면 큰 전압이득과 큰 입력 임피던스를 얻을 수 있습니다.출처 - 전자회로 제 10판Rovert L.Boylestad,Louis Nashelsky3
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.10.30
  • 아주대 전자회로실험 설계 결과보고서 2. C측정회로
    이 부분을 확실히 이해하기 위해 BJT회로를 통해 설명해보고자 한다.아래 회로는 환경의 변화로 인해 회로가 민감하게 변한 그림이다.BJT에는 온도등 환경에 변화에 의해서beta 값이 ... MOSFET특성 측정a) CMOS array를 사용하여 그림 12-3과 같이 회로를 연결한다. ... Simulation 부분과 실제 실험과의 약간의 차이는 역시 MOSFET특성에 따라 다르게 나온 값으로 추정된다.
    리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.10.06 | 수정일 2015.10.31
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2024년 09월 03일 화요일
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- 작별인사 독후감
방송통신대학 관련 적절한 예)
- 국내의 사물인터넷 상용화 사례를 찾아보고, 앞으로 기업에 사물인터넷이 어떤 영향을 미칠지 기술하시오
5글자 이하 주제 부적절한 예)
- 정형외과, 아동학대