"CE" 검색결과 321-340 / 5,489건

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  [전자회로실험] BJT 이미터 컬렉터 귀환 바이어스 결과보고서(A+)

  } `=` LEFT | {V _{CE(4401)} `-`V _{`CE(3904)}} over {`V _{CE(3904)}} RIGHT | TIMES100%`=`48.185%% TRIANGLEI ... } `=` LEFT | {V _{CE(4401)} `-`V _{`CE(3904)}} over {`V _{CE(3904)}} RIGHT | TIMES100%`=`19.023%% TRIANGLEI ... } `=` LEFT | {V _{CE(4401)} `-`V _{`CE(3904)}} over {`V _{CE(3904)}} RIGHT | TIMES100%`=`28.347%% TRIANGLEI

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.12.13

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  [A+] 진동실 BJT 레포트

  이중 i _{C}와 V _{CE} 사이의 그래프를 나타내면 Figure 1과 같다. ... Table 1에서 볼 수 있듯이 BJT는 i _{C}, i _{B}, i _{E}, V _{CB}, V _{BE}, V _{CE}의 6개 변수를 가진다. ... V _{CE} >V _{gamma}의 경우 B-E 사이에는 순방향, C-B 사이에는 역방향 전압이 걸리게 되고, 이때의 작동 영역을 active-linear라 한다.

  리포트 | 11페이지 | 3,500원 | 등록일 2022.12.16

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  6장 직류바이어스 결과레포트

  ▶ 실험값과의 오차I _{E} =7.16%V _{CE} =28.85%3. ... 2.5324V▶실험값과의 오차V _{B} =3.16%I _{E} =0%V _{CE}=5.7%4. ... 베이스 바이어스 회로그림 1-1▶이론값V _{CE} =V _{CC} -I _{C} R _{C}12V-(17.89*10 ^{-3} *560 ohm )=1.9816VI _{B} = {V

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.05.29 | 수정일 2021.09.05

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  5장 컬렉터 특성 및 트랜지스터 스위치 결과레포트

  }I _{C}V _{CE}I _{C}V _{CE}I _{C}V _{CE}I _{C}0V00V00V00V00.5V1.68mA0.5V4.5mA0.5V6.65mA0.5V6.7mA0.7V1.7mA0.7V4.53mA0.7V7.57mA0.7V9.6mA1V1.71mA1V4.55mA1V7.6mA1V10.6mA2V1.73mA2V4.61mA2V7.7mA2V10.7mA4V1.77mA4V4.74mA4V7.9mA4V10.9mA6V1.82mA6V4.86mA6V8.1mA6V11.3mA8V1.86mA8V4.98mA8V8.3mA8V11.6mA ... 0에서 10V까지 0.01V단위로 변화를 주었고V _{BB}는 0에서 1.5V까지 0.2V씩 DC Sweep하였음그림 1-2▶ 아래쪽 Plot에는I _{B}를 매개변수로 한V _{CE ... }전압과I _{C}의 관계를 표시하였음▶ 위쪽 Plot에는I _{B}를 표시하였음▶ 트랜지스터가 포화영역에 있을 때에 즉,V _{CE}가 0.7V (시뮬레이션 상에서 약 0.721V

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.05.29 | 수정일 2021.09.05

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  전자회로실험 예비보고서 - 트랜지스터의 특성

  } =V _{CC} -I _{C} R _{C} =5V-0=5V이므로V _{CE}는V _{CC}와 같으며V _{CE} =5V이다.V _{CE} =5V일 때 cut off 상태가 되므로 ... {B} =170 TIMES 40 mu A=6.8mA 이므로I _{C} =6.8mA KVL에 의해서,V _{CC} =I _{C} R _{C} +V _{CE}이므로V _{CE} =V _ ... ,I _{B} =0일 때,I _{C} =0이므로V_CE = V_CC가 된다.

  리포트 | 11페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.12.16 | 수정일 2024.02.05

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  BJT의 고정, 전압분배기 그리고 이미터 및 컬렉터 귀환 바이어스

  포화전류I _{C _{sat}}는V _{CE} =0일 때 전류이다.a.V _{cc} -I _{C} R _{C} -V _{CE} -I _{E} R _{E} =0에서V _{CE} =0이므로I ... 6.640[mA]c.V _{cc} -(I _{C} +I _{B} )R _{C} -V _{CE} 5. ... 그 이유는V _{CE}가 전원 전압인V _{CC}보다 적어야 하기 때문이다.I _{C} = beta I _{B}인데 소자에 전류가 흐를 때 열이 많이 발생하여 출력I _{C}가 증가함에

  리포트 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2021.10.12

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  트랜지스터의 특성곡선

  전압10V베이스 전류28muA전압I_C [mA]V_CE [V]전압I_C [mA]V_CE [V]전압I_C [mA]V_CE [V]1V0.30.1111V3.50.2121V6.12.612V0.620.1312V3.80.2222V6.13.393V0.920.1413V4.20.2323V6.14.284V1.240.1514V4.50.2424V6.25.095V1.530.1615V4.90.2625V6.36.016V1.820.1716V5.10.2826V6.36.797V2.180.1717V5.50.3127V6.47.658V2.50.1818V5.80.4128V6.458.509V2.870.1919V6.00.9529V6.59.3710V3.20.2020V6.01.7630V6.510.27 ... 전압6V베이스 전류16muA전압I_C [mA]V_CE [V]전압I_C [mA]V_CE [V]전압I_C [mA]V_CE [V]1V0.30.1311V3.80.6221V4.19.872V0.60.1512V3.91.5422V4.210.793V0.910.1613V3.952.523V4.211.744V1.230.1814V4.03.4124V4.312.655V1.530.1915V4.04.2925V4.313.596V1.850.216V4.025.2226V4.314.567V2.130.2217V4.036.1527V4.315.488V2.50.2318V4.057.1128V4.316.379V2.820.2519V4.088.0629V4.3517.3010V3.20.320V4.18.930V4.418.27베이스 ... 전압8V베이스 전류21.5muA전압I_C [mA]V_CE [V]전압I_C [mA]V_CE [V]전압I_C [mA]V_CE [V]1V0.310.1211V3.40.2421V4.96.052V0.610.1412V3.70.2522V4.956.943V0.910.1513V4.10.2823V4.987.884V1.240.1614V4.40.3424V4.998.775V1.540.1715V4.40.7725V5.09.666V1.850.1816V4.51.6626V5.010.527V2.20.1917V4.62.4727V5.011.418V2.50.218V4.73.4128V5.0512.339V2.830.2119V4.84.3229V5.113.2210V3.10.2220V4.95.1230V5.1514.13베이스

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.04.27

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  활성 모드에서 동작하는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 단자 특성

  기록된 표를 이용하여I _{C} -V _{CE} 특성을 그래프 용지에 도시하라. ... 표를 이용하여npn 트랜지스터의I _{C} -V _{CE} 특성을 그래프에 도시하라.5. ... 모드(mode)로 설정할 것]를 준비하라.V _{CE} =5V② 로 고정시키고V _{BE} 전압을 표와 같이 설정하면서I _{C}를 측정하라.

  리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.04.19 | 수정일 2022.04.23

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  [A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성

  (C) 입력신호의 주파수가 10 Hz에서 10 MHz까지 변할 때 CE amplifier의 주파수 특성을 PSPICE로 simulation하여 그래프로 그려서 제출한다. ... (A) 이전 실험의 2차 설계 결과회로( 추가)에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10 uF으로하고 CE증폭기에 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 ... (D) 입력신호의 주파수가 10 Hz에서 Unit gain frequency까지 변할 때 CE amplifier의 주파수 특성을 PSPICE로 simulation하여 그래프로 그려서

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.02.06

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  실습7.Common Emitter Amplifier의 주파수특성-에이쁠-예비보고서

  CE가 줄어들면 CE의 임피던스가 커져서 overall gain이 줄어들기 때문에 이와 같은 결과가 나온 것이다. ... (C) CE만 0.1uF으로 변경된 CE증폭기에 20mVpp 사인파를 입력하였을 때 10Hz에서 10MHz까지의 주파수 응답특성을 제출하라. ... (B) CE만 0.1uF으로 변경된 CE증폭기에 20mVpp 사인파를 입력하였을 때 10Hz에서 Unit gain frequency까지의 주파수 응답특성을 제출하라.

  시험자료 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.09.04

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  전기회로설계실습 결과보고서7

  계산해보면 DMM의 내부저항은 약 9.98M Hyperlink "https://ko.wikipedia.org/wiki/%CE%A9" \o "Ω" Ω이다. ... 이론상 내부 저항이 10M Hyperlink "https://ko.wikipedia.org/wiki/%CE%A9" \o "Ω" Ω이라면 22초가 걸릴 것이다. ... 다음과 같다.측정된 파형은 다음과 같다.10.8nF으로 커패시터의 전기용량이 측정된다.가변저항은 1k Hyperlink "https://ko.wikipedia.org/wiki/%CE

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.09.07

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  [전자공학기초실험]트랜지스터의 직류 특성

  (I_{B}=V_{RB}/R_{B})V_CE3) 를 2V로 조절한다.V_RC4) 와V_RE를 측정 기록한다.V_CE5) 를 2V∼16V까지 변화하면서 기록한다. ... 만일V_CE = 6V로 콜렉터-베이스 접합을 역바이어스 상태로 놓고V_BB를 0V로부터 증가시켜가면서I_B와V_RE의 관계를 그리면 입력 특성곡선을 얻는다. ... 베이스 전류에 대해 콜렉터 전류는 증폭되어 크게 나타나며 이 콜렉터 전류의 크기는V _{CE}전압 보다는 베이스 전류I _{B}에 의해 잘 조절됨을 알 수 있다.

  리포트 | 11페이지 | 4,500원 | 등록일 2023.09.08

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  전자회로실험 결과보고서 - 트랜지스터의 특성

  } =V _{CC} -I _{C} R _{C} =5V-0=5V이므로V _{CE}는V _{CC}와 같으며V _{CE} =5V이다.V _{CE} =5V일 때 cut off 상태가 되므로 ... {B} =170 TIMES 40 mu A=6.8mA 이므로I _{C} =6.8mA KVL에 의해서,V _{CC} =I _{C} R _{C} +V _{CE}이므로V _{CE} =V _ ... Pspice 측정값에 의하면V_CE= 112.116mV image 0V이다.

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.12.16

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  [A+]중앙대학교 전자회로설계실습 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 예비보고서

  그 이유는 CE를 0.1 μF으로 변경했기 때문에 즉, 3.1(d) 보다 CE를 100배만큼 줄였기 때문에 파형이 100배만큼 늦게 나타난 것이다. ... (C) CE만 0.1 μF으로 변경된 CE증폭기에 20 mVpp 사인파를 입력하였을 때 10 Hz에서 10 MHz까지의 주파수 응답특성을 제출하라. -> Answer

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.03.09

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  울산대학교 예비레포트 전자6장 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT) 특성

  증가하게 되며 초반에는 B-C에 순방향 전압이 걸리는데 이때 컬렉터 전류I_c 도 증가한다.2.활성영역V_CE가V_CE(sat)보다 커지면 B-C에 역방향 전압이 걸리면서 전류가 ... (V)I_B(uA)V_CE(V)alphabetaV_BE/I_BV_CE/I_C3.3102SIMEQ0.9914367.5k1.4k141668.4k6.620215434.8k0.65k141793.9k9,930215623.6k0.43k101731.93k13.240216017.9k0.31k81731.15k16.550216314.5k0.25k61710.70k-공통베이스V_RE ... I_B} 즉alpha = { beta} over {beta+1 } 값을 가진다.특성곡선1.포화영역B-E에 순방향 전압을 걸어주면V_BE는 0.7V가 걸린다 .V_CC값을 증가시키면V_CE가

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.11.14 | 수정일 2023.11.17

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  중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서7

  (C) 만 0.1uF으로 변경된 CE증폭기에 20mVpp 사인파를 입력하였을 때 10Hz에서 10MHz까지의 주파수 응답특성을 제출하라. ... (E) 두 개의 만 0.1uF으로 변경된 CE증폭기에 20mVpp 사인파를 입력했을 때 10Hz에서 10MHz까지의 주파수 응답특성을 제출하라. ... (B) 만 0.1uF으로 변경된 CE증폭기에 20mVpp 사인파를 입력했을 때 10Hz에서 unit gain frequency까지의 주파수 응답 특성을 제출하라.

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.03.10

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  [전자회로실험] 쌍극성 접합 트랜지스터 특성 결과보고서(A+)

  반면beta는V _{RB}와V _{CE}가 증가할수록 같이 증가한다.beta값이V _{CE}에 따라 들쑥날쑥하게 변화하는 가장 큰 원인은 가변 저항의 오차이다.V _{CE}가 증가할수록 ... 하지만,V _{CE}가 증가할수록beta값은 증가하기 때문에I _{B} `,V _{CE}의 범위에 따라beta값을 다르게 사용하는 것이 합리적이다. ... } - beta 관계일반적으로V _{CE}가 증가하면beta는 증가한다.beta`=` {I _{C}} over {I _{B}} 식에서V _{CE}에 따라I _{C}가 증가하기 때문이다

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.12.13

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  [중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서5 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)

  (B) 구동신호(V _{I`N})가 5 V (High)일 때 LED가 OFF되도록V _{CE(sat)},V _{BE(sat)}을 이용하여R _{1}을 구한다. ... 교과서에 따라 Saturation region에서 MOSFET은beta _{forced`} (= beta _{sat} )=10,V _{CE(sat)}=0.2V,V _{BE(sat)} ... 부하가 inverter 출력에 연결BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하게 하려면beta _{forced} (= beta _{sat} ),V _{CE(sat)}, 그리고V

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.08.28

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  화학분석기사 2018년 필답 기출+정답

  전위차 적정 0.5M [Sn4+] 10mL에 1.0M [Ce4+]로 적정(1) 당량점에서 전위차는?(2) 당량점에서 Ce2+와 Ce4+의 농도는? ... Sn3+ + 2Ce4+ -> Sn4+ + 2Ce2+Sn3+ -> Sn4+ + e- E= 0.xxx VCe4+ + 2e- -> Ce2+ E= 1.xxx V10. 1mm 1457개 에셀레트

  시험자료 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.07.15

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  전자회로실험 다이오드 및 BJT 특성 결과보고서 (충북대 및 타 대학교)

  _{CC}에 따른 BJT 전류와 전압(V _{CE},I _{C}) 측정 데이터(5) 로부터I _{C} -V _{CE} 그래프를 그리시오.I _{C} -V _{CE}(6) 그래프로부터 ... 활성 영역에서V _{CE}의 증가로 증가한 컬렉터 전류값을I _{C} =I _{S} `e ^{V _{BE} /V _{T}} (1+ {V _{CE}} over {V _{A}} )=7.5라 ... `e ^{V _{BE} /V _{T}} (1+ {V _{CE}} over {V _{A}} )로 된다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.06.21 | 수정일 2022.12.10

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