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"dry etching" 검색결과 321-340 / 420건

  • [반도체공정]반도체 기초공정
    식각공정은 그 방식에 따라 크게 Wet EtchingDry Etching으로 구분하는데, Wet Etching이라 함은 금속 등과 반응하여 부식시키는 산(Acid) 계열의 화학 ... 약품을 이용하여 Thin Film Layer의 노출되어 있는(PR Pattern이 없는) 부분을 녹여 내는 것을 말하며 Dry Etching이라 함은 Ion을 가속시켜 노출부위의 물질을 ... 또한 Liquid Type의 일반 PR이 아닌 Film Type의 Dry Film을 사용하기도 하며 이 경우 Spin Coating 대신 Laminating 공정을 통해 PR을 Coating
    리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.02.02
  • Photoresist 및 Photolithography
    보통의경우에는 Convection oven을 이용하여 높은 온도로 장시간 처리하기도 한다.이는 PR과 Glass의 접착을 강화시켜주는 역할을 함고 동시에 Dry Gas에 의한Etching ... damage를 흡수하기 위한 PR의 Hardness를 보강시켜주어 Etching시 PR의Consume을 줄여주기 위한 방안이기도 하다.바) Alignment & Exposure:
    리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.10.28
  • [반도체공정] 플라즈마 에칭 장비의 구조
    Plasma) - ECR (Electron Cyclotron Resonance) - MERIE (Magnetically Enhanced RIE)Dry etching method by ... of physical etching way + Advantage of selective etching of chemical etching way: By plasma creation ... ion collisionRIE(Reactive Ion Etch Plasma)alternativeRIE (Reactive Ion Etching)Example of chemical etching
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.09
  • [반도체공정] MASK 제작
    Qz dry etch이후에 Qz wet etch를 이용하여 크롬 뒤의 Qz를 적당한 깊이로 제거하면 transmittance error을 충분히 감소시킬 수 있다.4) 간섭효과를 충분히 ... 패턴의 크기가 작은 경우에는 chrome을 dry etch하기도 한다.(4) Inspection / Cr repairResist strip 및 cleaning이 끝나면 defect를 ... 위상 반전을 일으키는데, etch uniformity를 잘 제어하면 사용하는데 문제가 없는 마스크를 제작할 수 있다.3) Qz etch된 위상 반전 영역의 측벽에서 발생하는 빛의
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.29
  • PCB공정의 이해
    Soft Etching2. Conditioner3. Catalyst공정 7 : 도금 II (전해 동 도금, 부식)1. ... 내층 노광 Core CCL상에 Lamination된 Dry Film위에 Working Film Negative(음각용) Film 을 정합하여 맞춘 후, 정해진 Intensity(노광량 ... 내층 현상 노광에서 Polymer(광경화 중합체)로 변하지 않은 Dry Film 부분 즉, 빛을 받지 않은 부분인 Monomer(미경화 단량체) 부분을 Chemical(Na₂CO₃)
    리포트 | 12페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.11.14
  • 신의손) 현장실습 결과보고서
    반면에 Dry 펌프는 oil을 이용한 펌프에 비해 찌꺼기가 나오지 않으며, 효율이 훨씬 좋습니다. ... 현상액에 담구어 현상을 하며, 현상단계에서 식각(Etching)이 일어나는 것입니다. 마지막으로 하드 베이킹입니다.
    서식 | 4페이지 | 500원 | 등록일 2014.08.18
  • MEMS 개론 정리
    Stereo Lithography- Etching? Wet etching? Dry etching? ICP RIE- Deposition? ... - Etching Mechanism④ Reactive Ion Etching (RIE)- A combination of physical/chemical etching- Accomplished ... radicals, or ions) .ⅱ) Features- No ion bombardment >> No damage to underlying material- Isotropic Etching
    리포트 | 46페이지 | 5,000원 | 등록일 2006.11.01
  • 감광성 폴리머의 제조기술 소개
    etch resistance 3) Good adhesion to substrate 4) Conventional developer에 적용 가능 KrF(248nm) PR의 poly(hydroxy ... exposure delayNo delay2 hour1 hour기판에 resist 잔류화학 증폭형 resist에 공통적으로 요구되는 특성 1) High transparency 2) High dry
    리포트 | 24페이지 | 5,000원 | 등록일 2010.03.18
  • 반도체 용어 정리
    중반부터 회로 패턴의 미세화·고정밀도화의 요구에 따라 드라이 에칭(dry etching)법이 진척되었다. ... RIEReactive Ion Etching ☞ 반응성 이온에칭 기술.반응성 가스의 플라즈마에 존재하는 활성종을 에칭재료 표면의 원자와 반응시켜 휘발성의 반응생성물을 생성시키고, 이것을 ... 웨이퍼 표면에 부착된 전극 재료를 포토리소그래피로 형성된 패턴에 따라 식각하는 공정으로, 종전에는 화학 약품을 사용하는 웨트 에칭(wet etching)법으로 시행했으나 1970년대
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.23
  • [재료공학,금속공학] Polishing 그리고 Gray cast iron
    Etching의 종류와 MechanismEtching의 방법은 크게 Wet etchingDry etching 두 가지로 나눌 수 있으며, Wetetching은 소자의 최소선 폭이 ... Dry etching 기술은 Plasma, Gas, Vacuum 등의 상태를 어떻게만드느냐에 따라 식각 성능이 달라지며 Damage, Contamination 등을 고려해야 한다.Etching ... Dry etching은 활성 미립자와 대상물질과의 화학반응에 의하여 대상물질을 제거하는 방법과 대상물질을 물리적 이온 충격으로 파괴하여 제거하는 방법 등두 가지로 표현한다.
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.06.03
  • [PDP]PDP
    Film laminator 노광장치, 현상장치 격벽 Paste 보충장치 건조로, 소성로 Dry Film 박리장치Dry . ... Film 연마재, Photo MaskSand Blaster법Dry . ... Film 박리장치 Sand Blaster Machine격벽 Paste, Dry .
    리포트 | 51페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.10.22
  • 재료조직실험(실험보고서)-알루미늄조직관찰 ( 사진 유 )
    , 메스실린더, 비커, 스포이드, 솜메스실린더,Drying드라이기Microsopy광학 현미경(Optical Microscope)? ... 본 실험에 사용된 Etchant(부식액)은 kellers etch)을 이용하였다. ... Paper(#100 ~ #2000), 유리판, 에틸알콜, 드라이기Polishing알루미나 분말(연마재), Polishing MachineEtching&Cleaningkellers etch
    리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.02.01
  • [반도체 기술]반도체환경기술의 국내외 최근동향 및 향후 기술개발방향
    즉, C3F8, NF3, SF6, CHF3와 같은 etching용 PFC는 etching 속도, 선택적인 SiO2 식각, etch profile, 고분자부산물 형성 정도를 모두 고려해서 ... CVD chamber dry cleaning에서는 C3F8, NF3, C4F8, C4F8O와 같은 대체 PFC를 사용함으로써 PFC 사용량을 감소시킬 수 있고 또한 PFC 전환율도 ... 공정에서는 주로 Lithography공정에서 VOC가 다량 발생하게되며, 감광제 및 관련 솔벤트도 VOC물질을 발생시키는 주원인이 되고 Wet station공정에서도 IPA을 vapor dry하는
    리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.10.30
  • [화학공학] [실험보고서]박막의표면처리 및 식각 보고서
    Wet etching에서의 선택적 etching은 특정 물질에만 반응하도록 몇몇 화학약품을 조합하여 etchant를 만들어 사용함으로서 가능하며 dry etching의 경우 특정 물질에만 ... 특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 ... 비선택적 etching이며, ion 가속에 반응성 gas(reactive gas)를 사용하는 RIE(reactive ion etching)는 선택적 etching이다.이상과 같은
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.06.14
  • LCD의 원리와 제조
    panel의 불량을 유발하므로, 청정한 환경과 재료 및 장비의 관리가 보다 중요한 공정이며, 향후 TFT 제작공정의 고정밀, 대면적화에 따라서 그 중요성이 더욱 커지는 공정이다.(4) Dry ... 증착되는 물질은 절연막과 반도체막으로 나눠지며, 절연막으로는 게이트 절연막, 보호막, etch stopper막이 있다. ... TFT 공정TFT 공정은 반도체 제작 공정과 매우 유사하며, 증착공정(deposition) 및 사진식각공정(Photolithography), 식각공정(Etching)을 반복하여 유리
    리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.18
  • [공학]플라즈마의 이해
    etching플라즈마에 의해 활성화 된 라디칼, 전자 등을 이용하여 etching.CVDPlasma를 이용하여 기상합성으로 기능성 막을 생성시키는 방법(주로 반도체 분야의 thin ... 폐기물을 분해 및 유리화(고형화)시킴플라즈마 소결난소결성의 세라믹 등을 단시간에 치밀화시킴.플라즈마 야금플라즈마의 고온, 활성을 이용하여 금속을 정련, 제련저온 플라즈마의 적용분야Dry
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.12.13
  • 박막의 표면처리 및 식각 실험 예비보고사
    Transfer robot arm : direct chicking, PTFE-실리콘 wafer 비등방 식각용Dry Etchingplasma 상태에서 중성 radical들 표면 화학적 ... 배선간의 간격이 미세하기 때문에 합선이 될 위험이 있다.웨이퍼의 가공①Lithography 공정위 내용 참조②식각(Etching)습식(화공약품)과 건식(부식성 가스, 플라즈마)법이 ... N-type 도핑으로 전기 소자의 특성을 만들어 준다.④화학기상증착(CVD)다시 산화과정 및 Photo, Etch 공정을 거쳐 Field Oxide(FOX) 및 Gate Oxide를
    리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.04
  • 배향막 코팅, 배향막 imidization (경화)
    panel의 불량을 유발하므로, 청정한 환경과 재료 및 장비의 관리가 보다 중요한 공정이며, 향후 TFT 제작공정의 고정밀, 대면적화에 따라서 그 중요성이 더욱 커지는 공정이다.4.Dry ... 증착되는 물질은 절연막과 반도체막으로 나눠지며, 절연막으로는 게이트 절연막, 보호막, etch stopper막이 있다. ... TFT 공정은 반도체 제작 공정과 매우 유사하며, 증착공정(deposition) 및 사진식각공정(Photolithography), 식각공정(Etching)을 반복하여 유리 기판 위에
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.11.03
  • Focused Ion Beam(FIB)와 Scanning Electron Microscope(SEM)의 비교
    이 경우 화학적인 방법에 의한 Wet Etching, 플라즈마에 의한 Dry Etching등이 현재 더 널리 쓰이나 이온빔에 의한 에칭의 경우 마스크 가 필요없는 장점이 있다.d) ... 증착에 의해 시료 표면에 가스입자가 필름 형태로 입혀지게 된다.c) 에칭(Etching)에칭은 시료의 원하는 부분(넓이, 깊이)을 깎아내는 작업을 하는 것을 말한다. ... 또한 마스크 없이, 그리고 선택적으로 처리를 할 수 있는 장치로 FIB가 유용하며 정교하게 집속된 이온빔으로서 마스크 없이 선택적으로 도핑(doping), 에칭(etching), 증착
    리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.10.22
  • 반도체공정 (Etching & Doping)
    FabricationReport(11월)박 형 석< Plasma etching >1. ... ; (a) applied voltage ; (b) voltage across the discharge versus timeFigure 4하여 종말점을 확인한다.- 단점: Slow etch시에
    리포트 | 29페이지 | 4,500원 | 등록일 2007.01.27
  • 레이어 팝업
  • 프레시홍 - 특가
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2024년 07월 19일 금요일
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