"컨덕턴스 측정" 검색결과 21-40 / 449건

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  전자공학실험 13장 공통 게이트 증폭기 A+ 예비보고서

  데이터[표 13-10] 실험회로 1의 입력-출력 전달 특성 곡선3포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스컨덕턴스 gm값, 출력 저항 RS를 구하여 [표 13-3]에 ... 이를 이용하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 공통 게이트 증폭기 회로의 이론적인 전압 이득을 구하시오.동작 영역ID 전류트랜스컨덕턴스(gm)ro포화영역106.3uA3.87 ... 다음으로는 이론적으로 전압 이득과 입력 임피던스, 출력 임피던스를 구하는 것이다.공통 게이트 증폭기의 이론적인 전압 이득의 크기 |Av|=RD/RS+(1/gm)이고 트랜스컨덕턴스 gm

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.04.09

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  [전자공학응용실험] 차동 증폭기 기초 실험 예비레포트

  이 실험에서는 차동 쌍 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 측정하며, 이를 통해 부하 저항을 연결한 차동 증폭 회로를 구성하고 특성을 분석하고자 한다.2. ... 이를 식으로 표현하면 다음과 같다.이 때 Vov를 증가시키면 이러한 선형 동작의 범위를 증가시킬 수 있지만, 트랜스컨덕턴스가 감소하는 문제가 생길 수 있다. ... 위에서 구해진 선형 동작의 범위에 있을 때 트랜스컨덕턴스는 일정하다.이 회로의 전압이득을 구하면 다음과 같다.P 지점에서의 전압은 소신호 동작에서는 고정된 값이기에 GND로 볼 수

  리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.12.19

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  제9장 공진 회로와 광석 라디오 결과보고서

  이 코일의 인덕턴스는 약142 mu H이고 직류 저항은 약0.16 OMEGA 이다.2) 코일과 콘덴서의 병렬 공진 회로에 대한 등가 컨덕턴스 G를 측정하기 위하여 함수 발생기의 출력 ... 커패시터의 값을 측정하였더니C=288pF이 나왔다. ... 이것은 공진 회로가 오실로스코프 채널의 입력 임피던스에도 민감하므로 필요한 채널만을 사용하여 정확한 측정을 하기 위한 것이다.

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.02.07 | 수정일 2020.02.09

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  실험 15_다단 증폭기 결과보고서

  입력 저항을 측정하기 위해 입력의 DC 전압을 변화시키면서 입력 쪽에 흘러 들어가는 DC 전류를 측정한다. ... 출력 저항을 측정하기 위해 입력에 0V를 인가하고, 출력 쪽에 DC 전압을 변화시키면서 출력 쪽에 흘러 들어가는 DC 전류를 측정한다.- 실험 진행하지 않음5.R _{L}을 1kOMEGA ... 실험회로 2의 입력 저항과 출력 저항을 직접 측정하여 [표 15-13]에 기록하시오.

  리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.01.31

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  실험12_전자회로실험_예비보고서_소오스팔로워

  [표 12-21에 기록하고, 입력-출력 전달 특성 곡선을 그리시오포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스 컨덕턴스 값, 출력 저항 를 구하여 표에 기록하시오. ... 입력 저항을 측정하기 위해서 입력의 DC 전압을 변화시키면서 입력 쪽에 흘러 들어가는 DC 전류를 측정한다. ... 출력 저항을 측정하기 위해서 입력에 0V를 인가하고, 출력 쪽에 DC 전압을 변화시키면서 출력 쪽에 흘러 들어가는 DC 전류를 측정한다.붙임실험회로 13.

  리포트 | 4페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.01.09

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  실험13_전자회로실험_예비보고서_공통 게이트 증폭기

  표에 기록하고, 입력-출력 전달 특성 곡선을 그리시오.포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스 컨덕턴스 값, 출력 저항 를 구하여 표에 기록하시오. ... 입력 저항을 측정하기 위해서 입력의 DC 전압을 변화시키면서 입력 쪽에 흘러 들어가는 DC 전류를 측정한다. ... 출력 저항을 측정하기 위해서 입력에 0V를 인가하고, 출력 쪽에 DC 전압을 변화시키면서 출력 쪽에 흘러 들어가는 DC 전류를 측정한다.붙임실험회로 13.

  리포트 | 4페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.01.09

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  실험 06_공통 이미터 증폭기 결과 보고서

  [표 6-3] 측정 값동작 영역I _{B} 전류(mA)I _{C} 전류(mA)I _{E} 전류(mA)트랜스컨덕턴스(g _{m})beta r _{pi }r _{e}능동-0.211281364.923609.52123.810.203능동 ... 능동 영역에서 회로가 동작하는 경우 BJT의 트랜스컨덕턴스g _{m} 값, 입력 저항r _{pi }， 이미터 저항r _{e}, 전류 증폭도beta 를 구하여 [표 6-3]에 기록하시오 ... [표 6-3] PSpice 값동작 영역I _{B} 전류I _{C} 전류I _{E}전류트랜스컨덕턴스(g _{m})beta r _{pi }r _{e}능동1.605mA297.5mA299.1mA11.442185.35816.20.0874능동1.605mA289mA290.6mA11.115180.06216.20.0899능동1.605mA285mA286.6mA10.962177.5716.20.0912소신호

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.01.31

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  전자공학응용실험 - 캐스코드증폭기 예비레포트

  전압이득이 크려면 트랜스컨덕턴스가 커야 하지만, 트랜스컨덕턴스는 트랜지스터의 W/L 또는 전류에 비례하므로 증가시키는 데는 한계가 있다. ... [표14-2]에 기록하고, 입력-출력(VGG-vO)전달특성곡선을 [그림11-13]에 그리시오.(3)포화영역에서 회로가 동작하는 경우 M1, M2의 트랜스컨덕턴스 gm값, 출력저항 ... Gmvin이 흐르고, 이 전류가 출력 저항 Rout에 의해 출력 전압으로 변환되므로, 전압 이득(Av)은 식 (14.1)과 같이 구할수 있다.식 (14.1)에서 Gm은 유효 트랜스컨덕턴스이고

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.12.20 | 수정일 2021.12.22

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  [전자회로실험] CB증폭기 및 CC증폭기

  이는 소자들이 큰 오차의 원인이 될 수 있다는 것을 보여준다.- 위에서 구한 전류와 전압값을 토대로 Small signal영역에서의 트랜스컨덕턴스와 ... (3) 능동영역에서 동작하는 경우 기록하는 표트랜스 컨덕턴스g _{m}입력저항r _{pi }이미터 저항r _{e}전류 증폭도beta0.12481.893K8.503199.213-1 실험회로 ... CB증폭기1 실험 개요이 실험에서는 BJT를 이용한 기본 증폭기인 Common Collector Amplifier와 Common Base Amplifier에 알아보고 전압, 전류 측정을

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.02.04 | 수정일 2022.05.25

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  전자공학응용실험 - 다단증폭기 예비레포트

  식 (15.6)으로부터, 트랜스컨덕턴스 증폭기의 이득 1과 2로 구성된 2단 증폭기를 사용하면 된다고 생각할 수 있다. ... 입력 저항을 측정하기 위해 입력의 DC 전압을 변화시키면서 입력 쪽에 흘러 들어가는 DC 전류를 측정한다. ... 입력 저항을 측정하기 위해 입력의 DC 전압을 변화시키면서 입력 쪽에 흘러 들어가는 DC 전류를 측정한다.

  리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.12.20

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  경북대학교 기초전기전자실험 RLC회로 실험보고서 [기계공학부]

  저항의 역수인 컨덕턴스와 리액턴스의 역수인 서셉턴스를 포함한다. ... 이때의 주파수를 측정하여 공진주파수 실험값 10.9kHz를 측정하였고 오차는 약 1.58% 존재하였다. ... 이와 같이 서셉턴스는 회로 고유의 값이 아니며, 회로를 흐르는 전류의 주파수에 따라 그 값이 정해진다.10) 컨덕턴스 (conductance)어드미턴스 의 실수부 G를 말한다.

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.17 | 수정일 2023.12.14

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  실험 15_다단 증폭기 예비 보고서

  출력 저항을 측정하기 위해 입력에 0V를 인가하고, 출력 쪽에 DC 전압을 변화시키면서 출력 쪽에 흘러 들어가는 DC 전류를 측정한다. ... 입력단의 파형, 첫 번째 단의 출력 파형, 최종단의 출력 파형을 중어가는 DC 전류를 측정한다. ... 4V7.691V6.02V2.007mA포화실험절차 5-1,2를 위한 회로도[표 15-15] 실험회로 2의 소신호 ( = 10일 때)M _{1}의 동작 영역M _{1}의I _{D} 전류M _{1}의 트랜스컨덕턴스

  리포트 | 28페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.01.25

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  충북대 전자회로실험 실험 2 MOSFET 특성 결과

  실험 결과1.1 NMOS 전류-전압 특성 측정(1) 와 같이 NMOS(CD4007) 전류-전압 특성 측정 회로를 구성하고, 드레인-소스 전압(V _{DS})을10V로 고정하고, 게이트-소스 ... TRIANGLE V _{DS}} over {TRIANGLE I _{D}} =11.7k OMEGA(5) 포화 영역에서의 출력저항(r _{o}), 채널길이 변조계수(lambda ), 공정 트랜스컨덕턴스 ... TRIANGLE V _{SD}} over {TRIANGLE I _{D}} =41.0k OMEGA(5) 포화 영역에서의 출력저항(r _{o}), 채널길이 변조계수(lambda ), 공정 트랜스컨덕턴스

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.01.05 | 수정일 2022.03.08

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  전자회로실험1 5주차 결보

  실험에서 직접 측정된 BJT 회로의 전달함수와 대신호/소신호 모델을 사용하여 계산한 트랜스컨덕턴스, 출력저항을 이용하여 계산하여 구한 전달함수를 비교하라. ... 값들을 통해 트랜스컨덕턴스와 소신호저항, 얼리효과에 의한 소신호 출력저항을 계산하였는데 트랜스컨덕턴스는I _{C}가 커짐에 따라 증가하게 되는데 볼수있었고 소신호저항 역시 증가하는 ... _{CE} -I _{C} 특성곡선과 트랜스컨덕턴스, 소신호 저항, 얼리효과에 의한 소신호모델의 출력저항을 구해보는 실험이다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.07.29

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  [전자회로실험] BJT 공통 베이스 증폭기

  이를 이용하여 실험회로 1의 소신호 등가회로를 그리고, 공통 베이스 증폭기 회로의 이론적인 전압 이득을 구하시오.결과g _{m} (트랜스`컨덕턴스)`= {Partial i _{C}} ... 그리고 실험회로 1의 입력-출력 전달 특성 곡선을 [그림 8-8]에 그리시오.(3) 능동 영역에서 회로가 동작하는 경우 BJT의 트랜스컨덕턴스 gm 값, 입력 저항 rπ, 이미터 저항 ... 세 번째로는 측정 장치 자체의 이상으로 인해서 제대로 측정이 되지 않았을 수도 있을 것이다.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.02.04 | 수정일 2022.05.25

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  실험14_전자회로실험_예비보고서_캐스코드 증폭기

  기록하고, 입력-출력 전달 특성 곡선을 그리시오.포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 , ,의 트랜스 컨덕턴스 값, 출력 저항 를 구하여 표에 기록하시오. ... 입력 저항을 측정하기 위해서 입력의 DC 전압을 변화시키면서 입력 쪽에 흘러 들어가는 DC 전류를 측정한다. ... 입력 저항을 측정하기 위해 입력의 DC 전압을 변화시키면서 입력 쪽에 흘러 들어가는 DC 전류를 측정한다.

  리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.01.09

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  전자회로실험) ch.13 공통 게이트 증폭기 예비보고서

  [표 13-2]에 기록하고, 입력-출력 전달 특성 곡선을 [그림 13-10]에 그리시오.(3) 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스컨덕턴스 gm 값, 출력 저항 ... 입력 저항을 측정하기 위해 입력의 DC 전압을 변화시키면서 입력 쪽에 흘러 들어가는 DC 전류를 측정한다. ... 출력 저항을 측정하기 위해 입력에 OV를 인가하고, 출력쪽에 DC 전압을 변화시키면서 출력 쪽에 흘러 들어가는 DC 전류를 측정한다.5. 참고자료단계별로 배우는 전자회로실험

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.10.26 | 수정일 2021.10.28

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  전자회로실험) ch.11 공통소스증폭기 예비보고서

  이 때 동작점(Q점) 부근에서는 직선과 같이 근사화할 수 있으며, 기울기는 MOSFET의 트랜스컨덕턴스(gm)에 해당한다. ... 이때, 바이어스 점 부근을 직선으로 근사화할 수 있으며, 기울기는 트랜스 컨덕턴스g _{m}이 된다.v _{GS} =V _{GS} +v _{gs}i _{D} = {1} over {2 ... 아래의 표에 기록하고, 입력-출력 전달 특성 곡선을 아래의 그림에 그리시오.(3) 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스컨덕턴스 gm값, 출력 저항 r0를 구하여

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.10.01

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  실험 21_차동 증폭기 심화 실험 예비보고서

  [그림 21-5] 능동 부하가 있는 MOS 차동 쌍의 유효 트랜스컨덕턴스를 구하기 위한 소신호 등가회로[그림 21-6] 능동 부하가 있는 MOS 차동 쌍의 21-6]은 능동 부하가 ... 그림 21-3] 능동 부하가 있는 MOS 차동 쌍[그림 21-4] 능동 부하가 있는 MOS 차동 쌍의 소신호 동작[그림 21-5]는 능동 부하가 있는 MOS 차동 쌍의 유효 트랜스컨덕턴스를 ... ,-v _{id} /2가 인가되었을 때, 출력 전류i _{o}를 구하면i _{o}= +v _{id/2} +v _{id} /2 =+g _{m} v _{id}가 성립하고, 유효 트랜스컨덕턴스는

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.01.31

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  단계별 전자회로실험 공통소오스증폭기 예비보고서

  이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. ... 즉 선형적이라고 볼 수 있고, 이때의 기울기는 MOSFET의 트랜스컨덕턴스(gm)에 해당된다.vGS=VGS+vgs (11.6)iD=1/2뮤ncoxW/L(VGS+vgs-Vth)제곱 ( ... ① 트랜스컨덕턴스와 출력 저항의곱을 증가시킨다.② 출력 저항을 증가시킨다.③ 전류를 증가시킨다.④ 전류를 감소시킨다.(6)실험회로 1에 제시된 공통 소오스 증폭기의전압 이득, 입력

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.12.05

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