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"AlGaN" 검색결과 21-40 / 50건

  • LED 전압 인가에 따른 전류 측정
    쓰느냐에 따라 LED 빛의 색깔이 달라진다.그림 2 화합물 에너지 Band Gap에 따른 발광 색AlGaAs - 적외선, 빨간색GaAsP - 빨간색, 주황색, 노란색InGaN/GaN/AlGaN
    리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.05.04
  • LED의 정의,구조,특징,응용
    ) - 적외선 , 빨간색 갈륨 비소 인 ( GaAsP ) - 빨간색 , 오랜지색 , 노란색 인듐 질화 갈륨 ( InGaN ) / 질화 갈륨 ( GaN ) /알루미늄 질화 갈륨 ( AlGaN
    리포트 | 18페이지 | 3,000원 | 등록일 2015.03.12 | 수정일 2021.07.06
  • GaN 발광소자, 발광소재 현황
    InGaN/AlGaN DH LED의 단면 구조는 Nichia 사에서 개발된 InGaN/AlGaN DH(double hetero structure) LED(light emitting ... 사파이어 기판에 GaN 버퍼층을 상장한 후 n형 GaN 층을 성장하고 그 상부에 InGaN/AlGaN DH 구조를 형성한다. ... p-GaN에는 Ni/Au를 사용하며 n-GaN에는 Ti/Al을 사용하여 전극을 형성한다.현재 실외용 full color LED 표시 장치를 위한 고휘도 LED가 청색(InGaN/AlGaN
    리포트 | 53페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.10.29
  • LED Optical properties
    LED: BASIC OPTICAL PROPERTIESCONTENTSEfficiencies, Emission Intensity Light Escape Cone Temperature Dependence of Emission Intensity1. EFFICIENCIES, E..
    리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.12.20
  • Electrical properties of LED
    LED: BASIC ELECTRICAL PROPERTIESCONTENTSDiode의 Current-Voltage 특성 Ideal I_V 특성으로부터의 편차 Homojunction and Heterojunction 기타 고려해야 할 사항1. DIODE의 CURRENT-V..
    리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.12.10
  • 전압인가시 LED에 흐르는 전류와 발광시점 측정
    있다.알루미늄 갈륨 비소 (AlGaAs) - 적외선, 빨간색갈륨 비소 인 (GaAsP) - 빨간색, 오렌지색, 노란색인듐 질화 갈륨 (InGaN)/질화 갈륨 (GaN)/알루미늄 질화 갈륨 (AlGaN
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.12.13 | 수정일 2014.11.16
  • [반도체] Investigation of GaN (질화 갈륨의 특성 조사)
    빛을 발생시키는 방사성재결합은 더 넓은 대역간극을 갖는 AlGaN층에 의해 싸여진인 InGaN 박막에서 일어난다. ... 이 때문에 AlGaN와 같은 완충층을 두어야 하는데, 여기에 그러한 완충층을 없앤 두 가지 형태의 GaN 기반 소자를 살펴보려고 한다.a. ... Properties of GaN on Sapphire (from [4]).일반적으로 GaN의 경우 위에 증착시키는 층과의 결정구조가 잘 맞지 않아서 증착이 제대로 되지 않는 어려움이 있어서 보통 AlGaN
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.09.21
  • LED 발전 과정, 최신 동향, 기초 이론, 제조 공정, 측정 분석
    TMIn , NH 3, SiH 4 Gas scrubber Vacuum pump Wafer on the susceptor er InGaN -well GaN GaN -barrier P+AlGaN
    리포트 | 82페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24
  • LED의 발전과정, 최신동향, 기초이론, 제조 및 측정분석 방법 ppt
    coalescence 2D-growth Sapphire Un- GaN N- GaN InGaN N- GaN Un- GaN -barrier InGaN -well GaN GaN -barrier P+AlGaN
    리포트 | 75페이지 | 8,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2022.11.21
  • LED의 최신자료
    있습니다.알루미늄 갈륨 비소 (AlGaAs) - 적외선, 빨간색갈륨 비소 인 (GaAsP) - 빨간색, 오랜지색, 노란색인듐 질화 갈륨 (InGaN)/질화 갈륨 (GaN)/알루미늄 질화 갈륨 (AlGaN
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.02.26
  • LED에 대하여
    클래딩층을 성장시키는 제3공정과, 상기 클래딩층 위에 InGaN활성층을 Si, Zn으로 도핑하여 성장시키는 제4공정과, 상기 활성층위에 p형 AlGaN클래딩층을 성장시키는 제5공정 ... 화학기상증착방법(MOCVD)으로 완충층위에 p형 GaN 클 래딩층을 성장 시키는 제1공정과, 상기 클래딩층위에 n형 GaN 오믹접촉층을 성장시키는 제2공정과, 상 기 오믹접촉층 위에 n형 AlGaN
    리포트 | 40페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.12.16
  • LED의 업계 동향과 발전 가능성
    비소 (AlGaAs) - 적외선, 빨간색▶ 갈륨 비소 인 (GaAsP) - 빨간색, 오랜지색, 노란색▶ 인듐 질화 갈륨 (InGaN)/질화 갈륨 (GaN)/알루미늄 질화 갈륨 (AlGaN
    리포트 | 33페이지 | 4,000원 | 등록일 2011.03.07
  • LED
    - 적외선 , 빨간색 • 갈륨 비소 인 ( GaAsP ) - 빨간색 , 오랜지색 , 노란색 • 인듐 질화 갈륨 ( InGaN ) / 질화갈륨 ( GaN ) /알루미늄 질화갈륨 ( AlGaN
    리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.13 | 수정일 2014.05.07
  • LED의 구조와 원리적 특성 및 미래동향
    AlGaN/GaN 초격자층위에는 억셉터 역할을 하는 Mg을 도핑하여 p형 GaN 층이 형성된다.다. ... 활성층을 중심으로 위, 아래에 캐리어 구속 효과 (carrier confinement)를 증가시키기 위해 n 형, p 형 AlGaN/GaN 초격자층(superlattice)을 삽입한다
    리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.01.14
  • GaN MOCVD Growth 성장특성 (MOCVD를 이용한 GaN 질화갈륨 성장특성)
    GaN, AlN, AlGaN, etc.Buffer 조건7.
    리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.28
  • LED(Light Emitting Diode)와 광효율 개선
    [그림 24]청색 LED와 황색 형광체를 사용한 백색 LED의 구조도p.31[그림 25]대표적인 GaN계 LED와 이상적인 LED 외부 양자효율의 전류밀도의존성p.32[그림 26]AlGaN
    리포트 | 44페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.05.21
  • 계측기말 정리본 (중간)
    *전임목을 측정할 경우 구릉지보다 산악지가 효율성이 떨어진다.2)재적표① Tarif 직경 5cm, 단위 : silve② Algan 프랑스에서 쓰는 방법 20개의 계급으로 나뉜다.③
    리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.02.23
  • 한글 자모음에 해당하는 IPA 기호
    양반〔yaŋban〕갈비〔kalbi〕p*양순 무성 파열음(경음)voiceless bilabial plosive빨간색[p*algans?k?〕뽀로로po*roro〕빨대[p*ald?〕p?
    리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.03.13
  • Diode_기초와 설계자료
    88%ED%99%94_%EA%B0%88%EB%A5%A8&action=edit&redlink=1" \o "질화 갈륨 (아직 생성되지 않음)" 질화 갈륨 (GaN)/알루미늄 질화 갈륨 (AlGaN
    리포트 | 36페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.27
  • 고효율 LED 제조 기술 개발 동향
    상용화 초기의 InGaN/GaN 단일 양자우물 구조에서 1999년 이후에는 AlInGaN계 다중 양자우물 구조로 변경되었고 2000년 이후에는 고휘도를 위한 n/p-AlGaN/GaN
    리포트 | 18페이지 | 4,500원 | 등록일 2010.04.24
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2024년 08월 30일 금요일
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- 작별인사 독후감
방송통신대학 관련 적절한 예)
- 국내의 사물인터넷 상용화 사례를 찾아보고, 앞으로 기업에 사물인터넷이 어떤 영향을 미칠지 기술하시오
5글자 이하 주제 부적절한 예)
- 정형외과, 아동학대