"CdSe/ZnS" 검색결과 21-40 / 44건

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  나노바이오 기술의 개념 및 응용분야 그리고 향후 나노바이오산업의 발전방향을 제시합니다.

  [그림] 선택적 나노약물 전달체의 작용 원리의 예를 보여주는 상상도 : 나노입자가 암세포에 결합한 후, 가지고 있던 암치료제를 방출한다.따라서 이런 나노소재의 활용을 위해 CdSe ... core에 ZnS shell을 입힌 Quantum dot은 직경이 수 나노미터에서 수십 나노미터에 이르는 구형의 물질로서 입자의 크기에 따라서 다른 파장의 형광을 발산하는 특징을 가지고

  리포트 | 20페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.04.23

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  녹생성장

  이 양자점 형광 소재는 2~10 nm 크기의 Ⅱ-Ⅳ, Ⅲ-Ⅴ족 등의 반도체 입자(CdSe, CdTe, InP 등)로 이루어진 중심과 주로 ZnS 등의 껍질로 구성되며 외부가 무기물( ... CdSe 녹색의 경우는 청색과 자색 LED에서 70-80% 효율을 보이며, CdSe 자주색의 경우는 자색 LED에서 70%의 효율을 보이고, InGas이 과거 기지국과 비교하여 35% ... 그림에서와 같이 백색광을 구현하는데 사용할 수 있는 양자점으로는 ZnSe, CdSe, InGaP 등을 예로 들 수 있지만 주로 가시광선 영역을 다 포함하는 CdSe양자점이 많이 연구되고

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.03.29 | 수정일 2016.04.15

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  Quantum dot 관련 보고서

  중심체로는 카드뮴셀레나이드(CdSe), 카드뮴텔루나이드(CdTe), 황화카드뮴(CdS)을 주로 사용.Quantum dot1-1. ... Quantum dot의 정의 및 특징 Quantum dot의 활용 분야*Quantum dot의 정의 및 특징2~10nm의 중심체에 황화아연(ZnS)을 덮고 고분자 코팅을 하여 만듬.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.03.10

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  광촉매 발표자료

  , CdSe , GaP , CdTe , MoSe 2 , WSe 2 균일용액이 되는 화합물 [ Ru ( bpy ) 3 ] 2+ , Co 착제 , Rh 착제 폴리비닐유도체 (Zn, Al ... anatase ) TiO 2 (rutile ) ZnO ZrO 2 SnO 2 V 2 O 3 분 류 광 촉 매 고 체 TiO 2 , ZnO , Nb 2 O 5 , WO 3 - CdS , ZnS

  리포트 | 47페이지 | 3,500원 | 등록일 2012.12.12

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  [공학]이온교환을 통한 반도체 양자점 합성

  이 소자는 TPD 분자박막을 정공의 이동층으로 Alq 분자박막을 전자의 이동층으로 사용하여, CdSe/ZnS 나노 입자의 터널링에 의한 전하이동 역할을 줄여주고 발광효율을 극대화할 ... Alivisatos 교수 연구팀은 CdSe 나노막대를 P3HT(poly-3-hexylthiophene)과 블렌딩함으로써, 태양빛에 의해 여기된 전자가 CdSe 나노막대를 통해 흐르고 ... 수 있도록 정교하게 설계하였다.나노입자의 태양전지로의 응용은 CdSe 나노입자의 형태조절이 성공함에 따라 가능하게 되었다.

  리포트 | 11페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.01.26

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  염료와 안료

  안료크롬 orange (PbCrO4·PbO)몰르브데늄 orange(PbCrO4·PbMoO4·PbSO4)-빨간색 안료적색산화철(Fe2O2)광명단(Pb3O4)카드뮴 Red(CdS + CdSe ... 무색무기안료백색안료흑색안료산화아연 ZnO이산화티탄 TiO2Lithopone ZnS + BaSO4염기성탄산납 2PbCO3·Pb(OH)2산화철 FeO·FeO3카본블랙2. ... Emerald green (Cu(CH3CO2)2·3Cu(AsO2)2)특수 무기안료- 금속광택안료알미늄분(은분) (Al)Bronze powder (Cu + Zn)-형광 안료황화아연 ZnS

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.05.16

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  양자점(Quantum dot)

  - 나노크기의 Ⅱ-Ⅳ반도체 입자(CdSe, CdTe, Cds등) 가 중심을 이루는 입자 약 2~10nm크기의 중심과 주로 ZnS등으로 이루어진 껍질로 구성되며 수용액 상에 분 산시키기 ... CdSe 표면은 CdS에 의해서 보호 되므로 CdSe 단일성분 quatum dot보 다 안정하다. ... CdSe, PbS) with a diameter on the order of the compound's Exciton Bohr Radius.

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.04.30

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  크롬산납의 제조

  (PbCrO4·PbO) 몰르브데늄 orange(PbCrO4·PbMoO4·PbSO4) - 빨간색 안료 적색산화철 (Fe2O2), 광명단 (Pb3O4), 카드뮴 Red( CdS + CdSe ... 무색무기안료 백색안료 산화아연 ZnO , 이산화티탄 TiO2, Lithopone ZnS + BaSO4 염기성탄산납 2PbCO3·Pb(OH)2 흑색안료 산화철 FeO·FeO3, 카본블랙2 ... 유색무기안료 - 노랑색 안료 크롬산납 (PbCrO4), 황색산화철 ( FeO (OH) 또는 Fe2O3·H2O) 카드뮴 yellow( CdS 또는 CdS + ZnS ), 티타늄 yellow

  리포트 | 47페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.03.27

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  박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거 (반도체 식각)

  ), 셀레화아연(ZnSe)황화카드뮴(CdS),셀렌화카드뮴(CdSe)산화물반도체산화아연(ZnO), 아산화동(Cu2O)(그림7) 반도체의 이용 (표1) 주요한 반도체 물질의 예②반도체의 ... 크다.원소반도체Ⅳ족실리콘(Si), 게르마늄(Ge)Ⅵ족셀렌(Se), 테르르(Te)Ⅲ-Ⅳ족화합물반도체갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP),인듐비소(InAs), 인듐인(InP)Ⅱ-Ⅵ족화합물반도체황화아연(ZnS

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.13

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  광촉매의 원리와 개발

  CdS, ZnS, CdSe, GaP, CdTe, MoSe2, WSe2..균일 용액이 되는 화합물Co착제제, Rh착제제 폴리비닐 유도체 (Zn, Al, Mg..)Ti (티탄)클라크 수에서

  리포트 | 28페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.04.26

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  크롬산납(PbCrO4)제조 이론

  안료크롬 orange (PbCrO4·PbO)몰르브데늄 orange(PbCrO4·PbMoO4·PbSO4)-빨간색 안료적색산화철(Fe2O2)광명단(Pb3O4)카드뮴 Red(CdS + CdSe ... Emerald green (Cu(CH3CO2)2·3Cu(AsO2)2)특수 무기안료- 금속광택안료알미늄분(은분) (Al)Bronze powder (Cu + Zn)-형광 안료황화아연 ZnS ... 도자기의 유약(釉藥)·화장품, 또 최근에 합성섬유 원료의 착색에도 사용되어 용도가 다양하다.안료와 비슷한 것에 염료) 또는 Fe2O3·H2O)카드뮴 yellow(CdS 또는 CdS + ZnS

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.27

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  화합물 반도체(Compound Semiconductor)

  Ⅳ화합물 반도체⇒Cds, ZnS, CdSe, ZnSe등기타 화합물 반도체⇒SiC, SnO2, PbS등또 2원 화합물만이 아니라, 3원(GaAsP), 4원(InGaAsP) 화합물도 있으며

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.29

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  화합물반도체

  , CdSe, ZnSe 등 기타 화합물 반도체⇒ SiC, SnO2, PbS 등결 정 면 결정구조 융점 [℃] 밀도 [g/㎤] 비유전율 금지대폭 이동도 [㎠/V · s] 굴절률 (~550nm ... 반도체의 재료 및 특성 4 2 개 이상의 원소가 화학적 결합에 의해 구성하는 반도체 Ⅲ− Ⅴ 화합물 반도체⇒ GaAs, InP, InAs, GaSb 등 Ⅱ−Ⅳ 화합물 반도체⇒ Cds, ZnS

  리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.23

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  반도체재료

  PbSe셀렌화물AgS ZnS CdS PbS Sb2S3 MoS2황화물CuO Cu2O MgO BaO Al2O3 TiO2 FeO Fe2O3 Fe2O4산화물산소족 화합물SiC탄화물화합물 ... Cul할로겐화물AlP GaP InP AlAs GaAs InAs AlSb GaSb InSb인 화합물 비소 화합물 안티몬 화합물질소족 화합물PbTe Sb2Te Bi2Te3텔루화물ZnSe CdSe

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20

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  나노구조의 합성 방법에 관한 조사

  , AnSe, CdS, CdSe산 화 물ZnO, MgO,, CdO카 바 이 드SiC,질 소 산 화 물table 1. ... Ⅵ족 및 Ⅳ-Ⅵ족 화합물 반도체 나노와이어를 합성하는데 주로 이용되고 있다.종 류나노와이어 물질원 소Si, GeⅢ-Ⅴ 반도체GaN, GaAs, GaP, InP, InAsⅡ-Ⅵ 반도체ZnS

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.09

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  화합물반도체

  재료 및 특성Ⅰ화합물 반도체의 발전과정Ⅱ화합물 반도체의 소자와 이용Ⅲ목 차화합물 반도체의 정의Ⅲ−Ⅴ화합물 반도체⇒GaAs, InP, InAs, GaSb등Ⅱ−Ⅳ화합물 반도체⇒Cds, ZnS ... , CdSe, ZnSe등기타 화합물 반도체⇒SiC, SnO2, PbS등2개 이상의 원소가 화학적 결합에 의해 구성하는 반도체화합물 반도체의 재료 및 특성Ⅰ.300100.53--546사방정ZnSbⅡ

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20

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  [무기화학]nano particle

  capping이다.유기 cappingNano CdSe무기 capping의 예 CdSe, ZnS, CdS, HgS, CdS 양자점-양자우물 (quantum dot – quantum ... 고압 조건하에서 CdSe 나노 결정은 Wurtzite 구조에서 rock salt 구조로 전이가 일어나는데, 이러한 고체상간의 전이 역시 많은 연구가 활발히 진행되고 있다.Property ... 이러한 capping ligand 중 잘 알려진 예가 1993년에 Bawendi에 의해 연구 되어진 CdSe 나노 결정의 Trioxyl -phosphyloxide (TOPO)를 사용한

  리포트 | 28페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.03

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  다이오드(Diode)

  -8.33.8143.9ZnSe2.67직접530-9.15.6674.09ZnTe2.26직접53013010.16.1033.5CdS2.42직접340-9.0-10.34.1374.5CdSe1.7직접600 ... 800030011.55.6544.07GaSb0.68직접5000100014.86.0954.06Inp0.27직접450010012.15.8694.37InAs0.36직접30,00045012.56.0584.9InSb1.27직접80,00045015.96.4354.59ZnS3.58직접120

  리포트 | 23페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.10.12

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  [나노화학]나노화학

  CdSe/ZnS, CdS/HgS/CdS 양자점-양자우물 (quantum dot-quantum well) 구조가 그 대표적인 예이다. ... 이러한 TOPO 캡핑된 CdSe 나노 결정은 유기 용매에 잘 녹고, 다른 배위 리간드에 의한 치환도 가능하다는 장점을 가지고 있다. ... 결정에 관한 연구는 초기에는 레이저 기화법 (laser vaporiztion) 에 의한 기체상 연구가 많이 수행리간드 중 잘 알려진 예가 1993년에 Bawendi에 의해 연구되어진 CdSe

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.12.07

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  [전자.물리]반도체에 대해서..

  ,LaB6NiO 등SiC자전변환재료홀소자재료자기저항재료InSb, InAsInSb, InAs,Bi압전변환 재료압저항 재료압전반도채 재료Si, Ge, GaAs, SeCdS, ZnO, CdSe기타바리스터 ... , ZnO 등ZnS, ZnSe 등Si, Ge, GaAs, Se열전변화재료열전발전재료열전냉각재료열전자방출재료서미스터 재료발열재료PbTe, MnSi2, In(As,P)Bi2Te3,Bi2 ... , SeSi, GeSiSi광전변환 재료광전셀, 광전지 재료광도전 재료형광재료EL재료발광다이오드 재료Si, Ge, GaAs, Se, CdSCdS, PbO, Se, ZnO, 유기반도체ZnS

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.05.06

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