"Direct nitridation" 검색결과 21-40 / 49건

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  금속 산화물 및 질화물 합성 (예비)

  nitridation)과 알루미나와 탄소와 혼합물을 질소분위기에서 고온 반응시키는 열탄소환원질화법(carbothemal reduction and nitridation)이다. ... 분말의 합성분말의 합성법 중에서 공업적으로 많이 사용되고 있는 합성법은 다음의 두 가지이다: 금속알루미늄을 고온에서 질소 혹은 암모니아 기체와 직접적으로 질화반응시키는 직접질화법(direct

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.04.04

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  박막 증착에 관한 진공장비(시스템) 소개 및 원리 숙지

  효과적인 sputtering을 위해서는 coupled electrode의 키기가 direct electrode의 크기보다 작아야 한다. ... Getter pump티타늄(Ti)과 같이 화합물 형성이 쉬운 물질을 필라멘트나 덩어리 형태로 가열하여 진공 펌프 벽에 증착하면, 펌프내로 들어온 가스와 hydride, oxide, nitride

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.21

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  2009 IEDM 주요 반도체업체 차세대 반도체 기술전망(IEEE International Electron Devices Meeting)

  Medical imaging(X-ray radiographic system, MRI), digital radiography, direct detection detector를 위한 칩기술들을 ... Preclean)- Ar 스퍼터 클린으로 컨텍하부 불순물 제거, 컨택 위쪽을 깍아 작은 면을 냄(facetting)- 선택적으로 oxide 제거가 가능하나 oxide나 nitride가 ... 불순물에 recessed Etech가 생기거나 post-etch로 인한 Nitride hard mask daw RC를 위한 인터페이스 엔지니어링을 통해 높은 선택적 클린 가능(Siconi

  리포트 | 23페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.05.07

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  The technical and economic factors which will favor the production of silicon nitride powders

  direct salaries 그리고 annual building cost(0.052?총 빌딩비용)으로 처리된다.Table 2. ... Discuss the technical and economic factors which will favor the production of silicon nitride powders ... by laser heating of gases over the nitridation of silicon.(1) laser heating of gases Processlaser heating

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.07.04

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  Thin film Deposition(박막 제조)

  vacuum CVD (UHVCVD) - Classified by physical characteristics of vapor Aerosol assisted CVD (AACVD), Direct ... Silicon Nitride film : Used most in GaAs processing : High dielectric constant(=6-7) - Capacitor dielectrics ... GaAs processing 1) Silicon dioxide SiH4 + 2N2O → SiO2 + 2H2 +2N2, SiCl4 + O2 → SiO2 + 2Cl2 2) Silicon nitride

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.03

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  플라즈마, Chemical Vapor Deposition 와 Physical Vapor Deposition

  to be deposits atomistically on a suitably placed substrate. ( Chemical Vapor Deposition of Silicon Nitride ... carefully controlled to prevent poisoning the sputtering target.DC Sputtering Process DC Sputtering Using Direct

  리포트 | 28페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.18

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  GaAs P-HEMT & Material(Psuedomorphic hemt)

  . : Can be operated at higher power levels (∵ Higher breakdown voltages) : Direct band gap(emit light ... of high-performance blue LEDs and long-lifetime violet-laser diodes (LDs), and to the development of nitride-based

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.01.25 | 수정일 2017.02.17

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  금속 산화물 및 질화물의 합성 및 특성 조사

  반응중간체는 알루미늄이나 Al2O와 같은 증기라고 현재 제안되고 있지만, 이것에 대한 확실한 증거는 제시되지 못하고 있는 실정이다.* 직접질화법(direct nitridation)1 ... nitridation)과 알루미나와 탄소와 혼합물을 질소분위기에서 고온 반응시키는 열탄소환원질화법(carbothemal reduction and nitridation)이다. ... 분말의 합성법 중에서 공업적으로 많이 사용되고 있는 합성법은 다음의 두 가지이다: 금속알루미늄을 고온에서 질소 혹은 암모니아 기체와 직접적으로 질화반응시키는 직접질화법(direct

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.09.11

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  금속 산화물 및 질화물 합성 (예비)

  nitridation)과 알루미나와 탄소와 혼합물을나 이들 방법 등은 또한 다음과 같은 문제점을 안고 있다. ... 분말의 합성법 중에서 공업적으로 많이 사용되고 있는 합성법은 다음의 두 가지이다: 금속알루미늄을 고온에서 질소 혹은 암모니아 기체와 직접적으로 질 화반응시키는 직접질화법(direct

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.04.04

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  SPM(Scanning Probe Microscope) & AFM (Atomic Force Microscope)의 장치 비교 및 각각의 역사, 이론, 원리

  The following examples show the resulting angle and image profiles of silicon nitride and silicon tips ... movement which is 1Å determines the resolution of the vertical direction 2. ... rsolution Issues(B) Vertical Resolution IssuesResolution Issues1.Scanner • The resolution of the vertical direction

  리포트 | 35페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.24

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  금속산화물 및 질화물의 합성 및 특성 예비레포트

  nitridation)과 알루미나와 탄소와 혼합물을 질소분위기에서 고온 반응시키는 열탄소환원질화법(carbothemal reduction and nitridation)이다. ... 분말의 합성법 중에서 공업적으로 많이 사용되고 있는 합성법은 다음의 두 가지이다: 금속알루미늄을 고온에서 질소 혹은 암모니아 기체와 직접적으로 질화반응시키는 직접질화법(direct

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.04.10

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  필름의 두께와 annealing 온도가 SiNx의 광학적특성(optical property)에 미치는 영향

  The PL intensity is directly related to the content of the Si–-N bonds in the SiNx films. ... sputtering system* A mixture of high-purity N2, Ar, and H2 gases was let in the chamber* The silicon nitride

  리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.06.02

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  진공의 정의, 펌프 그리고 측정

  직접 측정 게이지(direct measurement gauge)다. 기체의 열 특성을 이용한 게이지라. 기체의 이온을 이용한 게이지1. 진공이란? ... 유지하기 위함이mp티타늄(Ti)과 같이 화합물 형성이 쉬운 물질을 필라멘트나 덩어리 형태로 가열하여 진공 펌프 벽에 증착하면, 펌프내로 들어온 가스와 hydride, oxide, nitride

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.08.23

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  [latch up]Well formation in cmos

  Vertical direction for PMOSFET Region-. ... Lateral direction for NMOSFET RegionLatch Up CMOS 구조에서 외부의 전압, 변동이나, 전기적 잡음 또는 ionizing radiation 등으로 ... Nitride Etch -. STI Etch ( Shallow Trench Isolation)ResistP-Type Bulk Silicon-.

  리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.12.11

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  금속 산화물 및 질화물의 합성 및 특성 조사(예비)

  nitridation)과 알루미나와 탄소와 혼합물을 질소분위기에서 고온 반응시키는 열탄소환원질화법(carbothemal reduction and nitridation)이다. ... 분말의 합성법 중에서 공업적으로 많이 사용되고 있는 합성법은 다음의 두 가지이다: 금속알루미늄을 고온에서 질소 혹은 암모니아 기체와 직접적으로 질화 반응시키는 직접질화법(direct

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.11.01

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  LED(Light Emitting Diode)

  개발된 이후 40여 년이 흘렀지만 지금처럼 많은 사람들의 관심을 끌기 시작한 건 그리 오래된 일이 아니다. 1990년대 초 InGaAlP를 이용한 고휘도 적색 LED 개발과 질화물계(nitride ... and Electronic Equipment),RoHS(Restriction of Hazardous Substances), ELV(End of Life Vehicle)의 4개 지침(Directive

  리포트 | 33페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.12.03

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  [화학공학]금속 산화물 및 질화물의 합성 및 특성 조사

  금속알루미늄을 고온에서 질소 혹은 암모니아기체와 직접적으로 질화반응시키는 직접질화법(direct nitridation)과 알루미나와 탄소와 혼합물을 질소분위기에서 고온 반응시키는 열탄소환원질화법 ... (carbothemal reduction and nitridation)이다. ... 경도가 낮아 가공성에 있어서도 뛰어나기 때문에 반도체용 재료로서 알루미나와 경쟁을 할 가능성이 높아, 차세대의 기판재료로서의 기대가 높다.그림 1-1 일본 도시바에서 제작한 DBC(Directed-bonded

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.10.26

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  Lithography

  Silicon nitride(Si3N4), polysilicon, photoresist, and metals are also routinely used as barrier meterials ... This etching tends to be an isotropic process, etching equally in all directions.Dry etching plasma systems

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.01.18

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  [반도체 공정]mocvd

  processing.Remote Plasma Enhanced CVD (RPECVD) - Similar to PECVD except that the wafer substrate is not directly ... , silicon oxynitride, titanium nitride, and various high-k dielectrics.A number of forms of CVD are in ... including: polycrystalline, amorphous, and epitaxial silicon, SiO2, silicon germanium, tungsten, silicon nitride

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.22

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  반도체공정 (Deposition & Evaluation)

  사용 가능하다는 장점이 있다.Figure 1.11 RF sputtering system효과적인 sputtering을 위해서는 coupled electrode(target)의 크기가 direct ... moremaintenance intensive,and requires vacuumsystemHigh-temperatureoxides (both dopedand undoped), siliconnitride

  리포트 | 39페이지 | 4,500원 | 등록일 2007.01.27

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