"Occupational magnetic field exposure" 검색결과 21-26 / 26건

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  전자파가 인체에 미치는 영향

  /m(킬로 볼트/미터)로 나타냄.자 계 : MF(Magnetic Field)크기는 보통 mG(밀리 가우스)로 나타냄.전자계 : EMF(Electric & Magnetic Fields ... (Hogn seung Cheol : Effects of repeated nightime exposures to 50Hz electromagnetic fields on the melatonin ... 전계와 자계를 합해 전자계라 부르며 전자파의 세기를 일반적으로 말하는 경우에는 전자계중자계의 세기를 말하는 경우가 많다.전 계 : EF(Electric Field) 크기는 보통 kV

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.09.30

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  TFT LCD manufacturing, 생산공정, TFT 원리, Thin Film Transistor (TFT) 원리

  감광액 도포(Photh Ressist : PR Coating), 정렬 및 노광(Align & Exposure), 현상(Develop)이 주요 공정이다. ... 금속막 증착시에 쓰이는 Magnetron Sputtering은 DC Plasma를 이용하며, Source Target의 둘레와 뒷쪽에 자속을 설치한 Diode 구조에서 발생하는 Magnetic ... Field 가 Ar을 여기 시키는데 방해가 되는 Secondary Electron 을 격리시키며, Plasma 조정을 용이하게 하여 증착 효율을 높일 수 있다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.23

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  전자 스핀 공명 결과 보고서

  Analysis of the energy level in the magnetic field.그에 해당하는 에너지를 공급함으로써 준위들 사이에서 천이가 유도될 수 있다. ... 즉,천이확률은 점유수(occupation number)와 천이 matrix 요소에 의존한다. 후자는 흡수와 방출과정에 대해서 같다. ... field: Planck`s constant이다.ε은 근사적으로 잔여(residual)질량에너지에 대한 과잉에너지이다.

  리포트 | 11페이지 | 4,500원 | 등록일 2009.06.21 | 수정일 2014.07.24

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  TFT와 FET 그리고 둘의 차이점

  감광액 도포(Photo Resist Coating), 정렬 및 노광(Align &Exposure), 현상(Develop)이 주요 공정이다. ... 금속막 증착시에 쓰이는 Magnetron Sputtering은 DC 플라즈마를 이용하며, Source Target의 둘레와 뒤쪽에 자석을 설치한 다이오드 구조에서 발생하는 자계(Magnetic ... Transistor) 박막 트랜지스터박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)는 일반적으로 "절연성 기판 위에 단결정이아닌 반도체 박막을 이용하여 만든 전계효과 트랜지스터(Field

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.04.06

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  방사선에 대한 이해

  X선 tube는 도너츠형이며 큰 막대 자석 사이에 위치시킨다.전자가 Tube쪽으로 주입되고 자장(Magnetic field)에 의해 Tube안에서 회 전한다. ... 정전단위)가 될 때 공기에 조사된 X-선 또는 감마 선의 양1R = 2.58× 10-4C/kg흔히 X선이나 감마선의 강도를 말할때는 단위시간당 렌트겐으로 나타내는데 이를 조사선량률(exposure ... 전자가속장치를 이용하여 대략 2MeV에서 25MeV정도까지의 전압을 사용하는 장비가 있다.◎ 베타트론 가속장치(Betatron accelerator)이것은 자기 유도형 전자 가속장치(Magnetic

  리포트 | 82페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.17

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  TFT-LCD 제작공정

  Field 가 Ar을 여기 시키는데 방해가 되는 Secondary Electron 을 격리시키며, Plasma 조정을 용이하게 하여 증착 효율을 높일 수 있다. ... 노광에 의한 광중합 반응은 일정 수준에 도달하면 정지하므로 열에 의한 중합 반응 지속을 위하여 Post Exposure Bak e를 별도로 실시하며, 현상은 Dipping, Puddle ... 놓여진 기판 위에튀어나온 target 물질이 증착되는 것을 말한다.Photolithography ource Target의 둘레와 뒷쪽에 자속을 설치한 Diode 구조에서 발생하는 Magnetic

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.06.01

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