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"PE-CVD" 검색결과 21-40 / 55건

  • [원익아이피에스자기소개서] 원익IPS자기소개서 원익IPS자소서 원익아이피에스(부품영업)자기소개서 원익IPS채용자소서 원익IPS공채자기소개서
    있습니다.3.지원동기 및 포부“고객 지향적 마인드”원익아이피에스는 설립초기 유틸리티 설비인 가스 캐비넷을 국산화하여 고객사에 납품하다가 전공정 반도체 장비 국산화에 도전하여 2002년 PE-CVD
    자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.12.23
  • [발광디스플레이 실험] CNT소자의 제작과 특성평가
    처리로 인한 비용이 증가된다.④ CVD의 분류- 반응에너지원-Thermal CVD, PE CVD(Plasma Enhanced CVD), Photo CVD- 공정압력-AP CVD(Atmospheric ... CVD), LP CVD(Low Pressure CVD)- 원료물질-MOCVD(Metal Organic CVD)⑤ PECVD그림 SEQ 그림 \* ARABIC 29 PECVD의 개략도플라즈마를 ... 이어서 기상의 부산물들은 reaction chamber를 빠져나간다.그림 SEQ 그림 \* ARABIC 28 CVD의 메커니즘② CVD의 장점- 적용대상의 다양성 : 세라믹, 금속,
    리포트 | 16페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.12.28
  • 40나노_기술_응용(소자)
    대량처리가 가능하다 단점- 기판과 증학 재료간의 열팽창계수 차이를 고려 비용이 비쌈종류 : AP CVD , LP CVD , PE CVD1.EUV를 사용한 리소그라피기존 반도체 디바이스의 ... , 졸-겔법, 전기영동법 등을 사용함CVD(화학 기상 증착 방법)막의 원료가 되는 물질을 기체 상태로 고온의 반은관에 도입하여 화학반응이나 열분해에 의해서 기판 위에 소전의 박막을 ... 나노 기술 응용-전자소자목 차1. 나노전자 소자란? 2. 나노 소자의 종류 3. 단전자 소자 4. 광전자 소자 5. CNT-FET 6. 적층 콘덴서 5.
    리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18
  • ALD (Atomic layer Deposition) 원자층 증착
    그 외에 pinhole 형성을 억제할 수 있고, 공정온도를 감소 시킬 수 있는 여러 가지 장점을 가지고 있는 새로운 개념의 CVD 기술이다.ALD 원리 및 이해ALD 기술은 CVD ... 이후에 AB 화합물을 만들기 위해 BYm를 공급하게 되면, BYm과 기판에 흡착되어 있는 A 원소가 서로 반응을 통해 A-B 결합이 이루어지게 되고 mY와 nX는 결합하여 부산물로서 ... 이렇게 원자층 증착은 표면에서의 반응을 이용하고 물질들을 교대로 주입하기 때문에 증착속도가 느리다는 단점이 존재함에도 불구하고 완벽한 conformaility를 보여준다ALD 종류PE
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.05
  • 산화공정 (Oxidation)
    (Thermal CVD, PE-CVD)② PVD (Sputtering, Evaporation)③ Sol-gel (Spin on Glass)(7) SiO2 의 구조[The structure ... (atmospheric CVD; APCVD)와 저압 CVD(low-pressure CVD; LPCVD)로 구분된다. ... 이하 - 양극 산화- SiO2 진공증착- 스퍼터링 및 플라즈마 공정250~600도 - CVD(Chemical Vapor Deposition)600~900도 - 화합물의 열분해를 통한
    리포트 | 22페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.05.10
  • 그래핀이란
    최근에는 PE-CVD,ICV-CVD, LP-CVD 등 다양한 CVD 성장법을 연구하여 고품질의 대면적 그래핀을 저온에서 성장하기 위한 연구가 진행 중이다.4. ... CVD 성장법2009년 CVD 성장법을 이용한 그래핀의 대면적성장이라는 놀라운 결과는 그래핀 연구의 새로운 장을 열었다고 해도 과언이 아니다. ... (그림 6)은 CVD 성장법을 이용한 그래핀의 성장과 다양한 기판으로의 전사 과정을 보여준다.
    리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.02.19 | 수정일 2022.05.25
  • 습식식각공정
    ·PVD OXIDE(USG,PE-TEOS, PE-SiH), BPSG(BORON PHOSPHOROUS SILICATE GLASS), PSG 등을 모두 통칭하며, 이들 막질의 식각 물질로는 ... 현재는 CHEMICAL만을 이용하여 PATTERN을 형성하는 공정은 거의 적용되지 않고, DRY ETCH를 도와주기 위하여, 또는 CHEMICAL의 등방성 식각RMAL SiO₂, CVD ... ) 제거, ACTIVE OPEN시에 적용되고 있습니다.2)POLY-Si ETCHPOLY-Si ETCH를 진행하는 경우는 크게 WAFER DUMMY 재생과 WAFER의 BEVEL 부위에
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.05.21
  • CVD 공정
    반응기에 주입된 반응기체의 분해 및 박막 증착 시 열에너지를 이용하는 방법 PE CVD Plasma Enhanced CVD Photo CVD Laser 또는 자외선의 광 에너지를 ... CVD 기초공정CVDCVD 의 반응원리 CVD 의 분류 - APCVD - LPCVD - PECVD 목차C hemical V apor D eposition 원료를 Gas 로 공급하여 ... (Plasma-enhanced CVD) 적용분야 film 화학반응 온도 (℃) SiO2 SiH4 + O2 → SixOy + by_product 350~400 SiH4 + N2O →
    리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.31 | 수정일 2018.09.28
  • cvd pvd
    전력에 의한 Plasma로 반응을 유도.▷ PE CVD 개발 동향 : PE CVD 장치는 gas 종류에 의해서 층 간 절연막 용 TEOS계 장치와 반사 방지막이나 최종 보호막 등의 ... 이 경우에도 Plasma 산화, 질화 기술이 사용된다고 생각한다.③ PE CVD (Plasma Enhancement Chemical Vapor Deposition)반응로(Chamber ... CVD 공정은 여러 가지 방법으로 분류될 수 있는로는 MPU등의 고속성을 요구하는 High-end를 향한 Mobile 용도 등의 저 소비 전력을 요구 하는 Low power용으로 2종류가
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.17 | 수정일 2015.11.03
  • 플라즈마, Chemical Vapor Deposition 와 Physical Vapor Deposition
    PE CVD structureALD (Atomic Layer Deposition) ★ Relatively new as a commercially available technique, ... The Mechanisms of CVDAtmospheric Pressure CVD AP CVD structure ★ This is a relatively simple system that ... deposition layers.Low Pressure CVD Pressure sensor LP CVD structure ★ This technique permits either
    리포트 | 28페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.18
  • 신규시장 REPORT SOLAR 산업
    CoatingSOLAR 전지 제조공정 및 장비PE-CVD SiNxSOLAR 전지 제조공정 및 장비Metallization – Screen PrintingSOLAR 전지 제조공정 및 ... Solar Cell) - 전해질, 상대전극, 나노 다공질 전극 등으로 구성 - 염료를 이용해 식물의 광합성 반응과 같은 원리로 전기를 만들고 나노 다공질 전극이 통로가 됨 - 벌크형에 ... - 공액고분자는 시그마 결합과 파이결합(시그마결합과 수직, 상대적으로 느슨한 결합)으로 구성 - 파이결합에 있는 전자는 비편재화 상태이므로 작은 에너지에도 쉽게 여기화됨 - 여기된
    리포트 | 36페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.07.12
  • PEALD, Plasma Enhanced 원자층 증착
    빨라지고, 압력을 줄이면 라디칼의 확산속도와 전자에너지를 활성종에 전달하는 효율증가로 웨이퍼간 균일도 향상과 표면에서의 반응이 좋아지는 효과가 있으므로 플라즈마 조건의 최적화는 PE ... 기존의 CVD, PVD 방법으로는 도포균일성과단위의 두께 조절이 힘들다. 따라서 PEALD를 이용해 TaN Diffusion barrier를 만든다. ... 그리고 공정 부산물로 나오는 HCL이 장비를 부식시키기 때문에 관리하는 것에서도 많은 문제점이 나타난다.또한 CVD와는 달리 ALD는 전구체가 분해되는 대신 화학 흡착을 하여 이후
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.05
  • MO-CVD 설명
    Thermal CVD 방법보다 저온에서 박막 증착 가능PE CVD반응기에 주입된 반응기체의 분해 및 박막 증착 시 열에너지를 이용하는 방법Thermal CVD반응 에너지원Remarks이름분류기준MOCVD ... MO-CVD 공정 [ Mater Organic Chemical Vapor Deposition]DepositionCVDMOCVDHT-CVDMT-CVDLT-CVD저압 CVDPlasma ... Metal Organic Chemical Vapor Deposition 기본적으로는 CVD 공정이며, CVD에 의한 박막 성장 시 Precursor로써 MO-source를 중심으로
    리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.04.17 | 수정일 2018.09.28
  • CVD Chemical Vapor Deposition
    LTCVD-저온도CVD MOCVD-유기금속CVD 저압 CVD (LPCVD) LPMOCVD-저압유기금속CVD플라즈마 CVD-Plasma Enhanced CVD DC PE CVD RF ... PE CVD생성막에 따른 사용되는 CVDMoCl5, H2 (SiH4*) MoF6, H2(or Si)열 CVDMo (MoSix*)WF6Plasma CVDWF6, H2(or Si) WCl6 ... Radiation Enhanced CVD) 레이져 (Laser Induced CVD)열활성화 CVD-Thermal Activated CVD 정상압 CVD (APCVD) HTCVD-고온도CVD
    리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20
  • HF-CVD법에 의한 CNT의 증착 및 특성
    Tip & Base growth122-4. 탄소나노튜브의 합성방법142-4-1. 플라즈마 화학기상증착법(PE-CVD)142-4-2. ... Magnetron Sputtering실험 장치183-2. HF-CVD 실험장치203-2-1. 실험방법203-2-2. Substrate bias system253-2-3. ... Hot Filament 화학기상증착법(HF-CVD)152-4-3. 수소원자의 역할162-5. 스퍼터링(Sputtering)173. 실험 방법 및 분석183-1.
    논문 | 6페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.05.10
  • 성공적인 벤처기업사례
    반도체전공정과정에서 사용되는 ALD, LP CVD, MO CVD, PE CVD, UHV CVD장치뿐만 아니라 ETCH장치도 개발 완료하여 판매를 시작하였다.2002년에는 반도체 장치분야에서 ... 미래를 내다본 선행 투자는 회생을 위한 발판이 됐다.LCD가 관심을 못받던 99년부터 연구개발에 착수해 개발해낸 LCD용 플라즈마 화학증착장치(PE CVD)가 대박을 쳤다. ... 결국 PE, CVD 세계시장점유율 3위를 기록했던 ASM사는 급기야 20위권으로 추락하기에 이르렀다.그 후 황철주 사장은 어쩔 수 없이 개인회사를 세워 반도체 장비 개조 및 업그레이드에
    리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.03.20
  • 박막제조기술
    systemsCVD overview (II)Types of CVD reactionsPyrolysis – thermal decompositionReductionOxidationCompound ... distancePhysical vapor depositionEvaporationEvaporationSputterDC sputterRF sputtertarget---+---+-substrate ... CVDMolecular beam epitaxyLow pressure CVD박막의 특성High surface to volume ratioPhysical properties are no
    리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.25
  • PVD (Physical Vapor Deposition), 물리 증착법
    여기서 pe는 증기압을 의미하 충분한 진공상태를 유지한다.입자가 용기내 잔류가스(residual gas)들과 충돌에 의해 산란되어질 확률은 1-exp(-d/λ)로 주어지는데 여기서 ... 이온믹싱, 화학반응 등의 표면반응을 통해 경사가능(graded interface)의 개념이 확립되어 우수한 밀착력을 얻을 수 있다.처리온도가 고온(800~1050°C)인 TD와 CVD공정이 ... 및 융착 억제 (Low stick and weld)⑦낮은 열전도도 (Low Thermal conductivity)⑧우수한 밀착특성 (Excellent adhesion)◎ PVD와 CVD
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.05
  • 저온 플라즈마를 이용한 대기처리
    * 플라즈마 용접, 절단 * 플라즈마 용사 * 플라즈마 화학 또는 물리 증착 * 열 플라즈마 환경기술 * 플라즈마 야금플라즈마 적용 분야◈ 저온 플라즈마 * CVD * 표면개질 * ... 한다.참고문헌한국특허정보원 http://www.kipi.or.kr/ http://www2.inha.ac.kr/~tppl/plasmaintro.htm http://www.enen89.pe.kr ... ----------------- (eV/분자) F·(X초기 - X최종)배기가스 처리 기술◈ 첨가제 주입에 따른 영향 * 암모니아(NH3)주입 NO + NH2 → N2 + H2O *
    리포트 | 22페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.01.13
  • CVD의 증착과정과 종류와분류 그리고 CVD의 장단점과 매커니즘
    종류CVD 공정은 반응실의 반응 조건에 따라 (주로 진공도) 크게 3가지로 구분된다.각 3가지 기법에 따 의한 Energy로 반응를 유도③ PE CVD (Plasma Enhancement ... 오늘날 photo-assisted chemical vaper deposition(photo-CVD)는 24개의 원소와 적어도 20종류의 절연체와 반도체에 이용된다. photo-CVD에 ... (photo-CVD)photochemical 방법에 의해 만들 수 있는 재료의 범위는 계속 확대되어 왔다.
    리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.04
AI 챗봇
2024년 09월 01일 일요일
AI 챗봇
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6:03 오후
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- 한국인의 가치관 중에서 정신적 가치관을 이루는 것들을 문화적 문법으로 정리하고, 현대한국사회에서 일어나는 사건과 사고를 비교하여 자신의 의견으로 기술하세요
- 작별인사 독후감
방송통신대학 관련 적절한 예)
- 국내의 사물인터넷 상용화 사례를 찾아보고, 앞으로 기업에 사물인터넷이 어떤 영향을 미칠지 기술하시오
5글자 이하 주제 부적절한 예)
- 정형외과, 아동학대