"Plasma ion nitriding" 검색결과 21-40 / 45건

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  PN 다이오드공정설계

  =PLASMA1 SILICON U.M RIE ISOTROPIC=0.1 DIRECT=0.9ETCH MACHINE=PLASMA1 TIME=5 MINUTES# Thin Thermal oxide ... 1000 c.phosphor=1ME=10 TEMP=1180 c.phosphor =1.0E15 DIVISIONS=30# Trench Isolation with RIE(Reactive ion ... ethching - anisotropic)deposit oxide thick=0.02 div = 4deposit nitride thick=0.25 div = 5etch nitride

  리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2009.08.12 | 수정일 2015.07.13

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  SPUTTER

  Ar이 excite되면서 에너지가 방출하고 이온과 전자가 존재하는 plasma를 형성 Ar ion이 target으로 가속됨. ... 생성원리PLASMA 란? ... 플라즈마란? 일반적으로 물질의 상태는 고체, 액체, 기체, 플라즈마 상태의 4가지 영역으로 나눌수가 있다.

  리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.07

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  SiO2 박막의 식각 및 PR 제거_예비

  표면개질 : Plasma에 의해 활성화된 이온이나 전자들에 의해 고체 표면을 화학적으로 개질하는 것.Sputtering : ion등을 전계로 가속시켜 대상물질에 입사시키면, 대상물질에서 ... 플라즈마 용접, 절단 : Plasma의 고온을 이용한 재료의 가공.? ... )와 이온(ions)으로 구성된다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.11.07

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  반도체 공정 프로젝트

  In SIMOX method, oxidation layer is achieved through thermal treatment after injecting oxygen plasma ... herein as a material having a dielectric constant lower than 7.0 which is lower than that of silicon nitride ... SMART-CUT technique is used to remove Si by injecting ions into Si.

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.23

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  인공 다이아몬드

  진공 펌프4.2 플라즈마 코팅- 소개? ... PACVD의 장점 : Salt bath 나 gas nitriding을 이용한 방법보다 processing 시간이 짧고 gas와 energy 소모가 적고, 환경위험이 없다.? ... low-pressure glow discharge를 이용함으로써 화학반응을 촉진시키고, 열적 반응만 있을 때보다 더 낮은 온도에서 plasma-assisted 반응을 가능하게 하는

  리포트 | 44페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.12.07

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  [신소재 설계입문] PEMFC 연료전지 수소연료전지 설계 프로젝트 발표보고서

  구체적 설계 - 전해질막 역할 이온의 이동 원리 요구조건 높은 이온 전도성 저렴한 생산단가 내열성 연료차단성 전기화학적 안정성 고불소계 고분자 탄화수소계 고분자 장점 · 높은 산도의 ion ... 선정[ 분리판 ] 모재 선정 Metal Bipolar Plate Original Material Surface Coating Gold topcoat layer/Al Titanium nitride ... 음극으로 향하는 + 이온 플라즈마에서 나오는 전자 음극에서 나오는 전자 HCD 이온플레이팅 ` 진공증착보다 밀착력이 우수한 피막[ 분리판 ] 코팅 재료 금속 가격 ( USD/KG)

  리포트 | 38페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.06.23

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  [직접회로 공정론]0.2㎛ CMOS 설계

  species : 11B+P/R stripP-subOxideN-wellFDOXFDOXFDOXBuffer oxide strip28Nitride strip27Oxide strip26Field ... /R strip48O2 plasma Temperature : 375C Undoped LTO : 7wt%, LTO : TEOS (1000Å : 4000Å : 2000Å)ILDP-subN-wellFDOXFDOXFDOXFDOXFDOXFDOXGate ... , CD check Hard bake Reactant gas : CF4+O2P/R stripP.RField implantation22Field VT mask21P/R strip20Ion

  리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.07.02

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  플라즈마

  High speed steels, Pulse ratio, Micro-pulsed plasma nitriding, Duplex treatments, Diamond-Like carbon ... *DLC*대표적 플라즈마 현상(1) 전리층전리층은 영어의 이온(ion)이란 단어와 영역(sphere)이라는 단어가 결합되어 이루어진 것으로 고층 대기 구성물질의 이온화 정도에 따라 ... Nitrided and DLC Coated High Speed Steels저..........자?

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.01.05

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  플라즈마 코팅

  순수 플라즈마를 이용하여 금형 표면을 개질 시키는 방법 - 플라즈마 표면 개질, 플라즈마 이온 주입 방법 - 플라즈마 Nitriding, 플라즈마 Boriding 등 2. ... 기체상의 탄소원(Carbon source) - Radio Frequency/DC Plasma Enhanced CVD ECR 방법 - 플라즈마의 glow 영역에서 이온생성, 가속하여 ... 이온 에너지(ion energy) » 어떤 방법에 의한 합성이든 사용되는 이온의 에너지가 필름의 구조와 특성을 결정하는 가장 중요한 합성 변수로 작용 주의 이온에너지가 너무 커지면

  리포트 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.06.03

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  [공학기술]플라즈마의 첨단기술 응용

  -PACVD의 장점 : Salt bath 나 gas nitriding을 이용한 방법보다. processing 시간이 짧고 gas와 energy 소모가 적고, 환경위험이 없다. ... coverage를 갖는 등의 특성이 있기 때문이다*PACVDlow-pressure glow discharge를 이용함으로써 화학반응을 촉진시키고, 열적 반응만 있을 때보다 더 낮은 온도에서 plasma-assisted ... 이온주입 장치는 기본적으로 이온 발생원과 가속장치, 그리고 고진공(高眞空)장치를 갖추어야 하며, 이온빔(Ion beam)의 구경을 크게 하고 가속전압을 높일수록 설비제작 비용은 크게

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.05.29

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  introduction of microelectric fabrication(1~4) 정리

  ●Windows in masking material는 etching with aicds or in a plasma. ... ●Thin films of silicon nitride, silicon dioxide, polysilicon 은 CVD(chemical vapor deposition)●Metals, ... ●shallow n- and p-type layer 는 diffusion or ion implantation at High T.

  시험자료 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.01.14

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  Lithography

  Reactive-Ion Etching(RIE) combines the plasma and sputter etching processes.Photoresist removal PR stripper ... Ion milling(=Ion etching) uses Ar+ to bombard the wafer surface. ... Silicon nitride(Si3N4), polysilicon, photoresist, and metals are also routinely used as barrier meterials

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.01.18

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  [반도체공학]박막증착

  ·SiO2의 비등방성 에칭은 ion-assisted 플라즈마 에칭법 사용.4-3 Etching Silicon Nitride·실리콘 질화물의 습식 etchant는 140-200oC에서 ... 식각반응성 이온 식각(RIE)박막처리(pre/post processing)이온주입(ion implantation)]확산(diffusion)어닐링(annealing)표 박막 미세가공법 ... 그 중에서ㆍ절연체- silicon dioxide, silicon nitride.ㆍ도체- 알루미늄ㆍ반도체- 실리콘일반적으로 CVD박막은 표유 스테레스(stray stress)가 적고

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.23

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  스퍼터링

  (plasma)의 기초가 발표되면서 스퍼터링을 일으키는 기체 방전에 대한 조건들을 이해할 수 있게 되었다. ... 박막을 제작할 때 stoichiometric oxide나 nitride, sulfide 등이 필요한 경우 스퍼터링 가스에 O2 나 N2 H2 S등을 첨가하여 스퍼터링을 하게 되는데 ... 넓게 이용되게 된 것은 1930년 이후이다. 19세기말에서 20세기초에 평균자유행로, 전자, X선, 이온화 등의 현대 물리학 기초 이론이 발견되고 1928년 Langmuir에 의해 플라즈마

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.10

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  [공학기술]ion plating(이온도금)

  Mattox가 처음으로 도입하였지만[13] , 역사적으로 볼 때, 구조적으로 좀더 완벽하고 우수한 기판 접착력을 갖는 막을 형성하기 위하여 기판을 음으로 바이어스(bias)시켜 플라즈마 ... droplet은 약 3 μm의 직경을 가질 수 있으며, droplet의 수와 크기는 소스 재료의 융점이 증가할수록, 그리고 융점에서의 증기압이 증가하고 spot의 이동 속도와 surface nitridation이 ... 이온 도금 도금(Ion Plating)원리 및 장비 공정(이온 도금(ion plating)은 글로 방전(glow discharge)을 이용하여 기판에 지속적으로 이온충돌을 가하면서

  리포트 | 26페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.08

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  [화학이론]이온질화 , 플라즈마

  이온질화(ion nitriding)이온질화란?? ... 총기류플라즈마 질화공정플라즈마(plasma)플라즈마란??고체를 가열 하면 액체, 더 가열 하면 기체, 기체를 더 가열하면 플라즈마가 되는것입니다. ... 정의한다.따라서 전자 혹은 이온빔은 하전입자들의 모임이고 플라즈마라 정의할 수 없으며일반적으로 산업용 플라즈마에서 이온화율 즉 실제 플라즈마는 전체에 1%미만으로통상 사용하는 플라즈마

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.10.18

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  박막의 제조방법

  플라즈마 보조 PVD(Plasma Assisted PVD)의 분류① DC 과정(가) 다이오드 스퍼터링(Diode Sputtering)(나) 삼극 스퍼터링(Triode Sputtering ... 분류① Thermal decomposition (or pyrolysis) 반응② Reduction 반응③ Oxidation and Hydrolysis 반응④ Carbides 와 Nitrides를 ... Plating)(1) 열증발(Thermal Evaporation)(2) 이온빔 증발(Ion-beam Evaporation동시간을 줄일 수 있다.

  리포트 | 52페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.12.06

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  [반도체 공학] pvd의 종류및 증착원리

  이처럼 ion이 물질의 원자간 결합에너지 보다 큰 운동에너지로 충돌할 경우 이 ion 충격에 의해 물질의 격자간 원자가 다른 위치로 밀리게 되며, 원자의 표면 탈출이 발생하게 되는 ... 각각의 반응성 가스를 이용해서 다음과 같은 박막들을 형성할 수 있다.① Oxides (oxygen) : Al2O3, In2O3, SnO2, SiO2, Ta2O5② Nitrides ( ... 그 이유는 이 진동수가 국제적으로 플라즈마 공정에 허용되었기 때문이다.

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.09.30

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  표면처리(도금, 탈지, 산처리)

  )이며, 용도로서는 내식 및 내열등의 목적에 사용된다.(6)이온 도금(Ion Plating): Glow 방전으로 금속이나 가스를 (+)로 이온화시키고, (-)로 가 속하여 음극소지에 ... 만드는 방법으로서, 용도로서는 각종 금속, TiN, TiC등으 로 내열, 내마모성 피막생성, 금색 코팅에 사용된다.(7)음극 스퍼터링(Cathode Sputtering): 진공 내 플라즈마 ... 용도로서는 각종 플라스틱 장식품, 장신구, 렌즈등에 사용된다.(5)침투 도금(확산도금): 금속에 다른 금속을 확산침투 시켜서 합금의 피막을 만들어 주는 방법(Carburizing, Nitriding

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.25

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  반도체 공정

  for isolationSi, (100), P type, 5-50Ω㎝Shallow trench isolationVoid 가없이 oxide층이 열적으로 trench 내에 형성하며 nitride는 ... implantation Process로서 P-well을 형성 Next –step mask를 사용 phosphorus implant를 ion implantation Process로서 ... polishingSi, (100), P type, 5-50Ω㎝Si, (100), P type, 5-50Ω㎝N P well formationPhotoresist를 덮은 후 Boron implant를 ion

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.03.19

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