"Si다이오드" 검색결과 21-40 / 1,398건

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  다이오드 특성곡선 결과레포트

  저항측정순방향 바이어스역방향 바이어스상태Si577.3mV0V정상Ge223.9mV0V정상순방향 바이어스 다이오드 특성실험Si 다이오드의 VD와 IDVR(V)이론측정이론측정이론측정0.10.1040.20.19770.30.302ID ... 다이오드 특성곡선실험결과저항값 측정표시값1kΩ1MΩ측정값0.9874k0.978M다이오드 검사다이오드 테스트순방향 바이어스역방향 바이어스상태Si0.481KΩ매우 큼정상Ge0.226KΩ0.267M정상다이오드 ... 이론측정이론측정이론측정5.05.06.06.17.07.02ID(mA)5.05.026.06.067.07.05VD(V)0.6120.6880.6210.6770.620.683VE(V)5.6125.66.6216.6217.627.6Si

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.03

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  18. 다이오드 회로와 발광 다이오드 회로-예비-기초전자전기실험2

  대 하여 고찰하라.다이오드는 p형 Si 반도체와 n형 Si 반도체를 접합한 것이다. ... RLC소자와 다르게 비선형 소자이고 실리콘이라고 불리는 Si(규소)로 이루어져있고 Si는 4가(최외각 전자4개)이다. 다이오드는 전류를 한쪽 방향으로만 통과시키는 특성이 있다. ... 다이오드에서 p형 Si 반도체에 (+)전압, n형 Si 반도체에 (-)전압을 인가해주는 경우 전류가 양극에서 음극으로 흐르는데 이 경우 “순방향 바이어스를 건다” 라고 한다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.29 | 수정일 2022.01.01

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  다이오드 특성 결과보고서

  실험 결과 4148번 다이오드는 실리콘(Si) 다이오드인 것을 확인할 수 있었다. ... Si 다이오드의 경우, 이론적으로는 문턱전압(Threshold Voltage)은 0.7V가 되어야 하지만, 실험으로 측정된 순방향에서의 Si 다이오드의 문턱전압의 경우 0.5768V ... Si과 Ge 다이오드에 대해서 표2.1의 검사를 수행하라회로 구성, 순방향 검사 SiGe 역방향 검사표 2.1검사 Si Ge순방향 0.5768V 0.5504V역방향 Open Open표

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.05.25

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  19. 지너 다이오드 회로와 직류 전원 회로-예비-기초전자전기실험2

  차이점을 설명하라.Si 접합 다이오드와 지너 다이오드의 차이점은 역방향 바이어스에서 나타난다. ... 하고 이 이상의 순방향 전압을 가하면 다이오드내에 많은 전류가 흐르게 되는 데 인가 전압이 조금만 높아져도 전류의 증가는 매우 커지게 된다.(2) Si 접합 다이오드와 지너 다이오드의 ... 순방향 바이어스에서는 보통의 Si 접합 다이오드와 동일한 특성을 가진다.지너 다이오드의 전압-전류 특성 (순방향 바이어스)따라서 인가 전압이 0.7V일 때 이 전압을 순방향 전압강하라고

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.29

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  직병렬 다이오드 회로 실험 레포트

  다이오드에 인가되면 저항에 걸리는 전압은V _{R} =V-V _{D}가 된다.V _{D}는 문턱전압으로 Si가 다이오드면 0.7V Ge가 다이오드면 0.2V이다. ... 하지만 다이오드를 Si와 Ge, 두개를 사용했다면 했다면, 작은 전압만 걸린다.전압이 걸리지 않은 것 은 오프되어 있는 상태이다. ... 실습 사용기기 및 재료● 직류 전원 공급기● 다이오드(Si: 1N4154, Ge:1N34A)● 저항 330옴, 1k옴, 2.2.k옴● 디지털 멀티미터4.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.10.25

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  울산대 PN 접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압 결과

  실험결과표시값1kohm 1Mohm측정값0.980.99순방향 바이어스역방향 바이어스상태Si568mV0양호Ge225mV0양호표 1-1 다이오드 테스트테스트순방향 바이어스역방향 바이어스상태Si4.73ohm ... 다이오드의V _{D} 와`I _{D}(3) (측정값)V _{R} =1.96V,`(계산값)`I _{S} =2.16A, Si 다이오드의 측정값R _{DC} =8.367I _{D}(mA ... )V _{D}R _{DC}0.20.512.550.50.551.120.620.3150.660.132표 1-4 Si 다이오드의 DC저항(5) AC 저항 - (계산값)r _{d}=6.01

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.17

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  [전자회로]다이오드 결과

  게르마늄 다이오드에 대해서도 실험과정 5-6을 되풀이하여 표1-3을 작성하라.실험결과표1.1바이어스V_AK}[V]I[mA]R(diode)순방향0.712.4mA56.5Ω역방향1.50mA ... Ge은 초기의 트랜지스터와 접합 다이오드 제조에 쓰여졌으며, 요즈음은 Si재료가 사용되고 있다. Ge과 Si은 반도체 제조공정 이전에 고순도로 정제되어야 한다. ... 다이오드 : Si(1N4154), Ge(1N4454)관련이론(1) 반도체(semiconductors)반도체는 도체와 절연체의 중간의 전기적 성질을 갖는 고체로서 트랜지스터, 접합다이오드

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.10.10

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  [A+ 4.5 결과레포트] 기초전자공학실험 - 다이오드 특성

  역방향 바이어스회로에서 Si 다이오드와 Ge 다이오드의 차이를 알아봄으로써 Si 다이오드가 Ge 다이오드보다 역방향에서 저항값이 충분히 커 개방회로와 근접하다.2. ... 순방향 바이오스에서 Si 다이오드는 Ge 다이오드에 비해 조금의 전압변화에도 더 많은 전류가 흐르기 때문에 Si 다이오드가 더 이상적인 다이오드에 적합하다. 5. ... 순방향 바이오스에서 Si과 Ge은 회로 내부의 저항에 영향을 받아 이론적인 특성 곡선과 차이를 보인다. 4.

  리포트 | 10페이지 | 5,000원 | 등록일 2021.04.20

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  제11판 기초전자공학실험/ 실험3. 직렬 및 병렬 다이오드 구조

  순서 1에서 측정한 Si와 Ge 다이오드의 문턱전압을 이용하여 V _{1}(두 다이오드 양단), V _{0}, I _{D}의 이론적인 값을 계산하라.V _{1} =`V _{T(Si) ... 이론 개요- 다이오드와 직류 입력으로 구성되어있는 회로는 다이오드의 상태를 먼저 파악해야한다.- Si 다이오드에 대해서 다이오가 ON이 되려면 다이오드 양단 전압이 0.7까지 도달해야한다 ... .- 양단의 전압이 0.7 미만인 경우 개방회로로 고려할 수 있다 Si 다이오드)- 다이오드가 ON이 되면 전기적인 등가 회로를 가진다.- 전류의 방향이 ON인 경우에는 전류의 방향이

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.31

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  직렬 및 병렬 다이오드 구조 결과보고서

  만약 다이오드 검사 기능 또는 커브 트레이서를 이용할 수 없다면 Si에 대해서   = 0.7V, Ge에 대해서  = 0.3V로 가정하라.Si 다이오드의 VT = 0.5374VGe ... 문턱 전압 Si과 Ge 두 다이오드에 대해서 DMM의 다이오드 검사 기능 또는 커브 트레이서(curve tracer)를 사용하여 문턱 전압을 측정하라. ... 문턱 전압  DMM의 다이오드 검사 기능을 이용하여 Si 다이오드의  값을 0.5374V로 측정하였고 Ge 다이오드의  값은 0.5422V로 측정하였다. 2.

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.05.25

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  다이오드 특성곡선 예비레포트

  Multi-meter), 오실로스코프, 함수 발생기부품◇저항500Ω: 2개, 1kΩ: 1개◇다이오드Si(1N4148) diode: 2개, Ge(1N60) diode: 1개실험이론대부분의 ... Si나 Ge 물질로 만든 다이오드는 순방향 바이어스 전압이 증가되면 어느 구간까지는 미세하지만 전류도 증가하는 Ohm의 법칙이 성립한다. ... 다이오드 특성곡선실험목적전압과 전류사이에 Ohm의 법칙이 성립하지 않은 다이오드의 비선형 관계를 측정하고, 다이오드의 동작원리를 확인한다.실험준비물실험장비직류전원 공급기, DMM(Digital

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.03

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  전기전자공학기초실험-직렬 및 병렬 다이오드 구조

  3주차 기초전자 공학 실험 예비 리포트박**의****제목 : 직렬 및 병렬 다이오드 구조(diode configurations)목적 :1. ... Si 다이오드(천이 전압 즉 점화 전위가 0.7V)에 대해서 다이오드가 on 상태가 되려면 다이오드 양단 전압은 그림 3-1(a)에 표시된 극성으로 적어도 0.7V 가 되어야 한다. ... 때 Si 다이오드는 약 0.7V, Ge 다이오드는 약 0.3V 이상에서 전류가 급격히 증가하는데 이 전압을 문턱전압이라고 한다.- 다이오드는 역 전압을 막거나, 교류를 직류로 만들

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.09

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  실험3. 직렬 및 병렬 다이오드 구조

  실험결과 및 데이터문턱 전압Si 와 GE 다이오드의 문턱전압을 측정하라Si VT = 0.601 VGe VT = 0.413 V직렬구조3.3 회로의 저항을 측정하라.R = 2.17 k ... 실험을 통해 각 바이어스 별 다이오드와 저항에 걸리는 전압을 구분하고, 문턱전압을 활용하여 전반적인 회로의 전압이나 전류 값들을 도출할 수 있었다.실험 초반 Si와 Ge다이오드가 한 ... ohms순서 1에서 측정한 Si와 GE 다이오드의 문턱 전압과 R을 이용하여 V(o), I(D)를 구하라.V(D) = 0.601VV(o)(계산값) = 4.39VI(D)(계산값) =

  리포트 | 11페이지 | 9,000원 | 등록일 2022.10.01

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  클리퍼 회로 결과보고서

  Si 다이오드는 1N4007을 사용하였고 Ge 다이오드는 1N4148을 사용하였다.Ⅱ. ... 실험 결과(1) 문턱 전압DMM의 다이오드 점검 기능 또는 커브 트레이서를 사용하여 Si과 Ge다이오드의 문턱 전압을 결정하라. ... (실험 조교님의 지시로 Si 다이오드는 1N4007을 사용하였고 Ge 다이오드는 1N4148을 사용하였다.) 측정된 값은 다음과 같다.

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.05.25

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  [기초전자회로실험]직렬 및 병렬 다이오드 회로

  Si 다이오드 2개가 직렬회로에 있다면 1.4V의 전압강하만 이루어진다. ... Si와 Gel의 문턱전압나. ... 문턱 전압Si, Ge 다이오드에 대해서 DMM에 있는 다이오드 검사 기능을 이용하여 문턱전압을 측정하고, 그림 1에서 각 다이오드에 대한 구해진V _{T}의 값을 기록하라.그림 1

  리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.01.31

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  울산대학교 전자실험결과1 PN접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압

  Si 다이오드의 이론 곡선 -- 그림 1-5. ... _{D} (Si)=0.575A#I _{D} (Si1)=0.575A#④ 따라서 모든 다이오드의 임계전압이 동일하다고 할 수 있나? ... ) 다이오드의 임계전압 비교V _{D} (Si1)=0.57V#V _{D} (Si2)=0.571V#V _{D1} -V _{D2} =0.001V#V _{D`} (병렬)=0.620V#I

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.03.20

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  다이오드의 특성 및 정류회로 pre/post-report

  Ge, Si 반도체로제작하며, 정류, 발광등의특성을지닌다.대부분의 반도체 다이오드는 p-n 접합으로 두개의 전극을 갖는다. ... Diode다이오드란 주로한쪽방향으로전류가흐르도록제어하는반도체 소자이다. ... 실리콘을 이용하여 만들어지며 silicon diode라고 한다.

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.09.21

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  실험레포트 - (결과) 다이오드 직렬 및 병렬연결

  두 번째 실험에서는 Si와 Ge 다이오드를 병렬로 연결하여 회로를 구성하였다. ... 문턱전압이 낮은 Ge의 문턱전압이 걸렸고 Si 다이오드는 문턱전압을 넘기지 못하여 전류가 흐르지 못했다. ... 다이오드의 방향을 반대로 회로를 구성하였을 때에는 이론적으로 전류가 회로에 흐르지 않게 되어 인가된 전압은 Si 다이오드에 모두 걸리게 되지만 측정결과V _{D}=5.075V가 나왔고

  리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.10.30

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  울산대학교 전자실험결과2 다이오드 직렬 및 병렬연결

  연결되어 전압이 높아지지 못하게 되므로 Si 다이오드에는 전압이 흐르지 않게 되지만 실험에서 쓰인 Ge 다이오드의 임계전압은 Si 다이오드의 임계전압보다 높은 값에 흐르게 되어 Vo의 ... Si 다이오드와 실험에 쓰인 Si 다이오드의 성질이 다르기 때문에 임계전압의 값도 변동이 되어 오차가 생겼으며, 회로로 구성된 저항의 값도 온전하지 않아 미세한 오차가 전류값에 생긴 ... 이론대로라면 Ge 다이오드가 임계전압이 적어 병렬로 구성된 위치에서 Si 다이오드가 off 되어야 되지만 실험에서 쓰인 다이오드로 인해 두 개의 다이오드가 임계전압이 비슷하여 실리콘

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.03.20

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  다이오드 특성곡선 측정과 기준전압 결과 레포트

  실험 결과값표1-1) 다이오드 테스트 표1-2) 다이오드 저항 측정순방향 바이어스역방향 바이어스상태Si0.566 [V]∞양호Ge0.338 [V]∞양호순방향 바이어스역방향 바이어스상태Si0.566 ... ) AC 저항 (6) 임계전압rd9.47 [Ω]5.195 [Ω]13.013 [Ω]VTh(Si)[V](7) 다이오드의 임계전압 비교VD(Si1)VD(Si1)VD1-VD2VD(병렬)VD ... (Si1)VD(Si2)VD1-VD2VD(병렬)ID(Si1)ID(Si2)ID(Ge)0.672 [V]0.688 [V]0.016 [V]0.688 [V]19.488 [mA][mA][mA]2

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.05.03

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