"Sweeping" 검색결과 21-40 / 1,002건

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  [중앙대학교 A+] 전자회로설계실습 MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서

  (E) PSPICE를 이용하여 특성곡선을 제출하여라.참고 : [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅 : Analysis type → DC Sweep, Sweep ... 클릭, Sweep variable → Voltage source → VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value → +0.5 V, End value → ... Voltage, source → VDC 이름 적기(Drain 전 압), Start value → 0 V, End value → 5V, Increment → 0.1 V, Secondary Sweep

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.19

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  중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서4

  (VDD=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker: Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage ... (E) PSPICE를 이용하여 - 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current Marker: Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type→DC Sweep, Sweep ... 클릭, Sweep variable→Voltage source→VDC 이름적기(Gate 전압), Start value→ VT+0.2V, End value→VT+0.6V, Increment

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.03.10

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  A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 4 MOSFET 소자 특성 측정

  이름 적기 (Drain 전압), Start value→0V, End value→5V, Increment→0.1V ② Secondary Sweep 클릭, Sweep variable→ ... 참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type →DC Sweep, Sweep variable→Voltage source→VDC ... (VDS=5V를 이용하여 측정) 참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.02.25

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  4. MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서 - [전자회로설계실습 A+ 인증]

  Sweep 클릭, Sweep variable→Voltage source→VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value→ VT+0.2V, End value→VT+0.6V, ... (VDD=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage ... (D) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type→DC Sweep

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.16 | 수정일 2023.01.03

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  [A+]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서

  참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type →DC Sweep, Sweep variable→Voltage source→VDC ... 이름 적기(Drain 전압), Start value→0V, End value→5V, Increment→0.1V ② Secondary Sweep 클릭, Sweep variable→Voltage

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.03.09

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  중앙대 전자회로설계실습 (예비) 4. MOSFET 소자 특성 측정 A+

  Sweep 클릭, Sweep variable→Voltage source→VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value→ VT+0.5V, End value→VT+0.7V, ... (VDS=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage ... (E) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type→DC Sweep

  리포트 | 4페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.04.09

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  [A+][예비보고서] 중앙대 전자회로설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정

  (VDS=5V를 이용하여 측정) 참고: [Current Marker: Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→ DC Sweep, Sweep variable→ ... 이름 적기 (Drain 전압), Start value→0V, End value→5V, Increment→0.1V ② Secondary Sweep 클릭, Sweep variable→ ... 참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type →DC Sweep, Sweep variable→Voltage source→VDC

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.04.08

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  ECMO (체외막산소공급) insertion(삽입)과 care

  Weaning1) V-V type*lung 기능 확인 : Sweep gas, RPM 낮춰본 후 ABGA 결과 확인*Sweep gas 0L/min으로 줄이고 ECMO 산소 공급 중단2 ... ) V-A type*Heart 기능 확인-Rt, Lt arm ABGA 결과 비교-Echography f/u-RPM, Sweep gas 낮춰본 후 ABGA 결과 확인9. ... 따라 ECMO를 통과하는 대상자의 혈액량-일반적으로 RPM 값 올라갈수록 LPM 올라감(but, RPM 너무 높게 setting 하면 LPM 떨어지거나 변동 심할 수 있음)3) Sweep

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.07.19 | 수정일 2022.07.24

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  [중앙대 전자회로설계실습 4 예비보고서] MOSFET 소자 특성 측정

  참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage source→VDC ... (VDS=5V를 이용하여 측정) 참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage ... 이름 적기(Drain 전압), Start value→0V, End value→5V, Increment→0.1V ② Secondary Sweep 클릭, Sweep variable→Voltage

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.08.09

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  MOSFET의 특성측정 예비보고서

  클릭, Sweep ... (V _{DS}=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable ... 이용하여i _{D} -v _{DS} 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type →DCSweep, Sweep

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.01.21

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  MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서

  Secondary Sweep 클릭, Sweep variable→Voltage source→VDC 이 름 적기(Gate 전압), Start value→ VT+0.5V, End value ... (VDS=5V를 이용하여 측정) 참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage ... , Sweep variable→Voltage source→VDC 이름 적기 (Drain 전압), Start value→0V, End value→5V, Increment→0.1V ②

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.18

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  서강대학교 전자회로실험E02 결과레포트

  (4) 결과를 논하세요.MOSFET은 Gate에 인가되는 전압이 일정 전압을 넘으면 Source에서 Drain 으로 전류가 흐르게 된다. 이때 NMOS 내부에서는 Source와 Drain을 연결 하는 Channel이라는 통로가 생긴다. 이 Channel을 통해 전자가 ..

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.02

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  기초전기실험 예비보고서 AC2 The oscilloscope

  단자를 누르면 외부 SWEEP 전압이 VCF IN으로 인가될 “때 나타나는 SWEEP이 선택됩니다.⑤ SWEEP비 조절 단자 : 내부 SWEEP 발진기의 SWEEP비 (또는 SWEEP ... PULL ON 조절단자 : 단자를 당기면 내부 SWEEP가 선택되고, 반시계 방향으로 돌리면 SWEEP 폭이 최소 (1:1)로 되며, 시계방향으로 돌리면 SWEEP 폭이 최대(100 ... 최대 SWEEP 폭을 얻기 위해서는 주파수 다이얼의 눈금을 최소 눈금 (0.2 눈금이하)로 두십시오.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.10.05

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  [A+][중앙대학교 전자회로설계실습] 실습4 MOSTFET 소자 특성 측정 예비보고서

  참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage source→VDC ... (VDD=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage ... 이름 적기(Drain 전압), Start value→0V, End value→5V, Increment→0.1V ② Secondary Sweep 클릭, Sweep variable→Voltage

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.30 | 수정일 2022.04.20

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  트렌지스터 보고서

  시뮬레이션 조건DC-SWEEP 해석을 이용하여 트랜지스터의 베이스-이미터간 전압변화를 주기 위해 베이스전압원 V1을 0V~1V까지 SWEEP하고 0.1 STEP 시킨다. ... 시뮬레이션 조건- DC-SWEEP 조건을 이용하여 베이스 전압원 V1을 0V~1V로 설정을 하고 Increment는0.01로 설정한다. ... 시뮬레이션 조건- 메인 DC-SWEEP 해석은 트랜지스터의 콜렉터-에미터간 전위(VCE)를 0V에서 6V까지0.1V STEP으로 1차 가변상태로 한다.

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.05.29

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  [A+][보고서 만점] 부산대학교 기계공학부 공학설계실습 CAE 1차 보고서 (2023학년도 3학년 1학기)

  Sweep 기능을 사용했고 모서리에 필렛을 주었다. ... 사용할 수 있기 때문에 모델링 난이도가 낮을 것으로 예상되었고, 해석 시에도 Sweep method를 사용하여 Mesh Quality를 높일 수 있을 것으로 예상되었다.③ 재료가 ... 선정 이유① 일부 치수가 이미 측정되어 제품 정보에 명시되어 있고, 직접 측정할 수도 있기 때문에 모델링과 해석에 정확도를 높일 수 있다.② 대부분 원기둥 형태로 이루어져 있어서 Sweep을

  리포트 | 41페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.12.28

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  레이저신 및 광통신 실험 A+ LED LD 비교

  순방향 전압을 인가하여 LED의 극성을 확인한다. ③ LED에서 나온 빛이 바로 fiber를 통해 spectrometer에 들어가도록 LED mount를 조절 한다. ④ 프로그램에서 Sweep칸을 ... search로 최대 지점의 파장을 찾는다. ⑧ 이를 각 샘플의 전류 범위에서 5 mA 단위로 전류를 증가시켜가며 0에서 최대값까지 스펙 트럼을 측 정한다.• 데이터 저장 방법① Sweep에서

  리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.11.03

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  [A+]중앙대 전자회로설계실습 예비보고서 설계실습4. MOSFET 소자 특성 측정

  (VDS=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type->DC Sweep, Sweep variable-> ... ②Secondary Sweep 클릭, Sweep variable->Voltage source->VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value->VT+0.5V, End value ... , Sweep variable->Voltage source->VDC 이름 적기(Drain 전압), Start value->0V, End value->5V, Increment->0.1V

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.24 | 수정일 2022.01.10

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  MOSFET, MOSCAP 측정 실험 Report

  High module(CVH1)에서는 CVU Frequency Sweep을 하게 되며, 1kHz부터 10MHz까지 log scale 단위로 Sweep하며 측정을 진행한다.Z(impedance ... 이를 통해 Gate Voltage의 Step이 진행될 때 마다, Drain Voltage Sweep이 진행되게 되며 이를 통해 Pinch-off 현상을 확인해본다.3.2 Capacitor ... C-V CurveGraph.7은 -3V부터 2V까지 0.02V의 Step으로 Sweep을 진행한 C-V Curve로 20kHz의 Frequency를 인가하였을 경우는 파란색의 그래프이며

  리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.03.28

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  [전기회로설계실습] 9. LPF와 HPF 설계

  Analysis type: AC Sweep / start Freq.=0.001k / end Freq.=100k) ... 2.3 PSPICE Simulation 과제: HPF AC Sweep문제 2.1에서 설계한 HPF의 전달함수(H)의 크기와 위상을 0 ~100 ㎑까지 linear(H)-log

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.01.18

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