"semiconductor parameter analyer" 검색결과 21-39 / 39건

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  전자재료 실험 결과 보고서

  이와 같은 구조를 한 것을 MIS(metal-insulator-semiconductor) 트랜지스터 또는 절연 게이트(insulated gate)형 트랜지스터라 한다. ... 절연층으로서 산화막(SiO _{2})이 쓰이는 경우가 많으므로 MOS(metal-oxide-semiconductor) 트랜지스터라고 한다. gate과 채널사이에 산화막이 존재하기 때문에 ... Paramet곡선으로부터, 게이트 바이어스가 더욱 양으로 증가함에 따라 정전용량은 공핍에서는 천천히 감소하고 반전에서는 급속히 증가한다.

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.12.11

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  Power Electronic Project 1

  In other word, it is a class of switching-mode power supply containing at least two semiconductor switches ... Also the other parameter value is given in the problem. ... Determining the output ripple voltage will solve in problem (b) because the problems are same. b)Compare

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.12.01

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  HP4156A 장비활용(Semiconductor Parameter Analyer)

  1.실험제목-HP4156A 장비활용(Semiconductor Parameter Analyer)2.실험목적-HP4156A 장비를 활용하여 LED의 I-V곡선을 그려본다.3.실험방법-( ... (USA)(1997.01)Current : 1fA - 1A, Voltage : 1uA - 200VFully automated I-V sweep & synchronized stress ... modeTypical applications : Determination of Semiconductor parameters for chip device6.결과색상구?

  리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.21

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  반도체 공정

  Conductivity와 같은 여러 parameter를 engineer가 첨가한 dopant의 농도에 따라 바뀌기 때문에 원하는 specification을 설계 할 수 있다.초대규모 ... Doping을 하게 되면 dopant를 추가하지 않은 semiconductor에 비해 위에서 언급한 Planarization을 쉽도록 한다. ... point2230 ℃Solubility in water0.012 g/100mLSilicon dioxide는 고온에 견디며 팽창률이 아주 작고 급격한 열변화에 강한 특성을 가지고 있어서 semiconductor외에

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.27

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  sputtering을 통한 metal deposition 및 I-V, C-V 측정

  Metal-semiconductor(MS) Junctionpn junction의 많은 특성은 적절한 metal-semiconductor rectifying contact(schottky ... 이때에는 tunneling에 의해서 전류가 흐르므로 bias 방향에 관계없이 양쪽 방향으로 동일한 전류가 흐른다.ohmic and schottky barrier metal-semiconductor가 ... 가속된 이온이 가지고 있는 에너지와 운동량의 전이, 충돌로 인한 가열, 가열에 의ocess parameter effect치밀한 내마모, 내부식성 막을 얻기 위해서는 다음 인자의 조절이

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.21

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  ga1-xalxas gaalas superlattices.

  of square potential wells (low band gap semiconductor) separated by potential barriers (high band gap ... semiconductor) forms.Laser Diode - Double heterostructure lasers The most common type of laser diode ... as a barrier material in GaAs based heterostructure devices.Superlattice Alternating layers of two semiconductors

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.22

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  [전자회로] cascode 회로를 이용한 증폭기 (설계)

  관련 이론ⅰ)MOSFET금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)는 디지털 회로와 아날로그 ... 수 ㎷,㎶,㎵의 값의 차이가 반도체소자에서 얼마나 큰 변수로 작용하고 있는 대목이 아닐까 생각합니다.6.설계수행후기소자의 고유 Parameters 값을 알아내는 것에서부터, 동작점( ... 값입니다.보시는 것과 같이 전도파라미터와 폭, 길이 등 여러 Parameters 값들을 보이고 있습니다.설계에서는 이 전도파라미터의 값과 문턱전압을 중점으로 설계를 하였습니다.아래에는

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.25

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  Hall effect measurement(홀 측정)

  the following parameters :ρ = sample resistivity (inΩ·cm) d = conducting layer thickness (in cm) I12 ... technique in the semiconductor industry and in research laboratories.1. ... need to determine accurately carrier density, electrical resistivity, and the mobility of carriers in semiconductors

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.08.17

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  DRAM Technology

  Trend of Information processing capacity - Trend of advances of semiconductor technology - Trend of ... Small junction leakage Key parameters for BL contact - contact hole size(S F) - alignment tolerance( ... between SN and SN - Free from not open Key parameters for SN contact - contact hole size (S F) - alignment

  리포트 | 88페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.06.08

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  영문이력서 예시-반도체 분야

  , wet-clean station, polisherSemiconductor parameter analysis:HP 4156 parametric analyzer, Keithley CV ... , semiconductor materials characterizationInnovative, self-motivated and hard workingEquipment maintenance ... HIGHLIGHTSExtensive hands-on research experience in semiconductor device and process, and electronic

  이력서 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.09.19

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  Breakdown voltage, Contact Resistance

  electric field 감소Breakdown Voltage(1)SemiconductorEG (eV)Si1.12GaAs1.42DInP1.35DGaN3.34DWide bandgap semiconductors ... Rsk(the sheet resistance of the layer directly under the contact) (d) Rsh(the sheet resistance of the semiconductor ... transistor (SHBT)Contact ResistanceAdvantages of TLM - Allowing the consideration frequency dependant parameters

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.03 | 수정일 2017.02.17

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  유기박막트랜지스터_OTFT(Organic Thin Film Transistor)

  films are fabricated in a similar manner to the semiconductor layer. ... corresponds to a device using DH6T as the semiconductor, 3700 A vapor-deposited parylene-C as the gate ... The organic semiconductor must be confined to the channel region to eliminate parasitic leakage and reduce

  리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.12.19

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  SPUTTER

  SPUTTERINGⅠ형태 - 강한 내부 pole, 약한 외부 보이는 동시에 전기전도도가 좋은 물리적 특성을 나타내는 재료를 일컬으며 일반적으로 이러한 특성을 보이는 재료가 oxide semiconductor ... 따른 경향Process Parameter (사용 범위 )금속막 증착두께금속막 비저항금속막의 접착력Power (250~1500w)아주 강하게 비례강하게 반비례강하게 비례공정압력 (1 ... of Aluminum Oxide (Advanced Energy Industry)Sputtering 박막에 미치는 변수Inline DC Sputtering 설비에서 Process Parameter

  리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.07

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  이력서, 자기소개서 (한글, 영문)

  I am interested with the semiconductor. ... Others similiar the major is prefering a semiconductor direction to be accumulated with me. ... 이용한 SOI -MOSFET 구조 연구Medici (2D Simulation Program) 를 이용하여 SOI-MOSFET 최적의 Parameter를 찾는 연구Operating

  자기소개서 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.06.28

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  SOI MOSFET 의 Process Parameter 최적화에 관한 연구

  Simulation 함. 1-5-1 Medici 의 장, 단점단점 최신기술이나 새로운 소자개발에는 사용 할 수 없다.장점 MOS나 bipolar transistor 및 여러 다른 semiconductor ... SOI MOSFET 의 Process Parameter 최적화에 관한 연구Contents1. 연구 배경 및 중요성 2. 연구 목표 3. 연구 내용 및 방법 4. ... 방법 - Gate Length를 정하고 이에 따른 Si Film 두께 Oxide layer의 두께를 Simulate한다. - Simulate한 Parameter에 직접 전압을 인가하여

  리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.29

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  mosfet의 특징과 종류

  MOSFET 의 각종 특성MOSFET(metal-oxide semiconductor field effect transistor) 또는 MOS 트랜지스터는 금속막, 산화막, 반도체영역으로 ... MOSFET의 parameter 및 상세 동작원리BJT와 MOSFET의 차이점은 위에서 언급한 것과 같이 BJT의 BASE에는 전류가 흐르는 반면에 MOSFET의 GATE에는 전류가 ... 또한 실리콘 기판 하부 쪽으로 substrate 단자가 하나 더 있는데 동작의 단순화를 위해 보통 source 단자 쪽과 연결하여 사용한다.예를 들어 NMOS의 경우 주 반송자는 자유전자이므로

  리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.12.31

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  [레이저학]다이오드 레이저(980nm 파장)의 근관조사시 온도상승에 관한 고찰

  eating and drinking possibleTime saving(less visits)..PAGE:10Diode LaserSolid-state semiconductor laseraluminum ... 또 치료기간, 비용, 이득현재… 레이저의 가격은 사용상 제약요건미래… wavelength, pulsewidth 다양화,최적의 laser parameters 지식더 향상된 기술과 장비로 ... Kreisler 등809nm GaAlAs laser치근표면의 레이저조사, 치수내 온도변화연구목적;periodontal pocket decontamination적합한 irradiation parameters

  리포트 | 24페이지 | 3,500원 | 등록일 2006.02.01

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  HFET에 대해서(AlGaN/GaN)

  따라서 현재는 도핑 없이 반절연성 GaN를 증착하는 연구가 진행되어 지고 있다.Wide Bandgap semiconductor의 특징GaN와 같은 넓은 밴드갭 반도체로 인한 소자제작의 ... 여기서 AlGaN 층이 장벽으로 작용하기 위해서는 Al의 조성비가 중요한 parameter로 작용한다. ... 이러한 이온화와 불규칙 배열 때문에 결정 내에서 자발적인 전기편극(spontaneous polarization)이 나타난다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.10

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  [공학] DNA chip

  이용하여 microchip을 만들었는데, Substrate에 미세전극을 만든 것인데 그 개수가 1㎟ 당 25개에서 시작해서 CMOS (complementary metal oxide semiconductor ... 또한 Cy3™와 Cy5™ signal 강도의 수치도 여러 가지 parameter를 이용해서 보정(normalization)할 수 있다. ... (Probe array synthesis process) 각 probe sequence는 약 1 ㎠ 내외의 유리 표면 위에서 합성된다.Probe array는 위와 같은 합성 단계를

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.23

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