"single crystal thin film" 검색결과 21-29 / 29건

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  태양전지의 기술개발현황과 향후연구과제설정

  결정형 실리콘 태양전지실리콘 태양전지는 크게 단결정(single crystal) 형태와 다결정(multi-crystalline)형태의 재료로 나뉘며 기본적으로 p-n 동종접합(homojunction ... 박막형 태양전지 (Thin Film PV)박막형 태양전지란 유리, 금속판, 또는 플라스틱 같은 저가의 일반적인 물질을 기판(웨이퍼)로 사용하여 광흡수층 물질을 마이크론 두께로 아주

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.28

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  태양전지 동향 및 전망

  Sharp사는 오늘날 여러 가지 방면의 기술을 획득하였고 이것은 실리콘(single-crystal, polycrystalline and thin-film) 재료와 화합물에 대한 다양한적용이 ... 영국의 BP solar,일본의 Matsushita Batteries 등에서 연구되고 있으며, 특히 미국의 경우는 현재 수백 kW 규모의 파이롯 시스템을 가동하고 있다.

  리포트 | 22페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.11

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  [생명 기계 ] 바이오센서

  In these structurss shear mode that describes the relationship between the mass of thin metal films deposited ... {Fig.2 InkjetThe other method, described in the DNA Chips and Microassays website, uses purified single-stranded ... AT-cut quartz crystals with an electrode coating deposited on each side using sputtering method.

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.02.16

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  [전자재료기초실험]VSM

  또한 모든 형태의 시료(power, solid, thin films, single crystals, liquids, etc)을 측정할 수 있다.【 Exchange Field as a ... 의하여) pick-up coil에 기전력(e)이 유도(가정)시편의 진동폭 < 시편과 pick-up coil사이의 거리시편의 크기 : very small magnetic moment ... flux는 pick-up coil을 통과하게 되고 이때 자성체를 진동시키면 pick-up coil을 통과하는 자속의 변화가 발생 이러한 자속 변화에 의해 (Faraday's law에

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.11.21

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  반도체공정(CVD)

  by CVD* silicon -> single crystal* barrier* semi-conductor3. ... of SiH4 and SiCl4(2) vaporizing point = 23℃(3) low cost process※ parameters for thin film structure( ... Epitaxy; single crystal Si Layer on wafervapor phase epitaxy (VPE) - Siliquid phase epitaxy (LPE) - 화합물

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.13

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  [반도체공학]박막증착

  두께는 1μm정도{그림 Thin layers of single-crystal silicon made by bonding and back etching{그림 Crystalline silicon ... 박막에칭4-1 Etching Silicon Thin Filmsㆍ폴리실리콘은 습식-화학적 식각으로 등방성으로 식각된다. ... of reactive seals and shadow plugs (b)Lateral channel sealed with silicon nitride (c)Basic method of

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.23

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  [광전자]RBS analysis in thin film

  RBS analysis in thin film목 차개요 및 원리 물리적 개념 장비의 구조 RBS 스펙트럼 기타 표면분석기술과 비교 장단점개요1911년 : 러더포드가 알파입자 산란현상 ... crystal samples are aligned under the He ion beam such that the rows of atoms are exactly parallel to ... N, O, F) is deposited on the Si substrates)ChannelingIncident IonChanneling effect arises when single

  리포트 | 34페이지 | 10,000원 | 등록일 2004.05.10 | 수정일 2018.09.16

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  반도체 공정

  crystal material에 ion Implantation을 실시하였을 경우, 주입된 일부 이온이 Taget nuclei와 충돌하지 않고 open channel을 따라서 안으로 ... Deposition(박막증착기술)- 반도체 소자나 집적회로의 제작에는 많은 종류의 박막(Thin film)이 증착.- 박막을 증착시키기 위한 방법으로는 Evaporation, Sputtering과 ... #에피택시(Epitaxy)crystalline substrate 위에 얇은 crystalline 층을 성장시키는 것.주로 CVD를 사용2.2 Sputtering전계에 의해 가속된 Ar

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.09.06

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  [표면분석] RBS에 대하여

  RBS analysis in thin films신 상 훈E-mail: sanghoon76@nate.com목 차개요 및 원리 물리적 개념 장비의 구조 RBS 스펙트럼 기타 표면분석기술과 ... 나쁘게 함ChannelingIncident IonChanneling effect arises when single crystal samples are aligned under the ... of crystalline substratesPIXE의 원리 고에너지로 가속시킨 }

  리포트 | 37페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.07.05

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