"sma 구조" 검색결과 21-40 / 2,620건

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  차세대메모리 반도체(MRAM, PRAM, RRAM) 발표자료

  10~100mA 10mA or higher 10mA or higher Stand-by current 100㎂ 1㎂ or lower 1㎂ or lower 1㎂ or lower Cost ... Hall effect) The stacking device structure of MTJ and heavy metal substrate, which uses spin-orbit torque ... 연구가 더 필요하다RRAM (Resistive RAM) • 금속 / 절연체 / 금속 (MIM) 구조 • MIM 구조의 비휘발성을 보이는 저항 스위칭 현상을 이용 ❖ 구조 ❖ 동작원리

  리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.03.08

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  [알기쉬운 기초 전기 전자 실험 (문운당)] 16. 인덕턴스와_RL_회로 예비보고서 (A+)

  a)]의 회로에 KVL을 적용하면 회로방정식은L {di} over {dt} +`Ri`=`V _{m} coswt (16-3)위의 식과 같은 1계 미분방정식에 대한 해는 다음과 같은 구조를 ... ]134[mV]3.8263.76930[mA]115[mV]3.8333.76925[mA]95.8[mV]3.823.76920[mA]77[mV]3.853.76915[mA]57[mV]3.83.769 ... [mA], 15 [mA], 10 [mA]에 대하여도 마찬가지의 방법을 사용하여 표를 완성하여라(6) 3[V]의 진폭과 10[kHz]의 주파수를 갖는 정현파를 발생시키는 신호 발생기와

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.12.31

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  Biasing and Common-Source Amplifier 11주차 예비보고서

  P형 기판 위에 n+dopping 영역을 만들어 source와 drain으로 사용한 구조를 NMOS, n형 기판 위에 p+dopping 영역을 만들어 source와 drain으로 사용한 ... amplifier with source (feedback) resistor1) Vsig=off하고 MOSFET의 source측에 100Ω 저항을 추가한 뒤, ID=20mA로 조정한다 ... .2) Vsig=off 상태에서 ID, VDS, VGS를 측정한다.3)ID=20mA로 가변저항을 통해 만든다.4)Vsig=0.2Vp-p인 5kHz, sine 파형의 신호를 인가한다.5

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.04.04

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  <합격> 2023 상반기 동원시스템즈 자기소개서 (2차전지소재 개발 직무)

  XRD를 사용하여 제조물질의 peak이 sharp하며 crystallinity가 우수함을 확인했습니다. ... LSV 분석을 통해 SrTiO3와 IrO2/SrTiO3가 1.6V에서 1.2mA, 20mA의 전류가 흐름을 관찰하고, IrO2가 전기화학 촉매로 작용함을 확인했습니다.경험을 바탕으로 ... 반복실험을 통해 침전 및 건조시간의 최적 조건을 도출했고, 이를 토대로 수열합성법과 함침법을 통해 IrO2/SrTiO3 이종접합구조 촉매를 제조했습니다.SEM, TEM을 사용하여 SrTiO3

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.02.14

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  서강대학교 22년도 전자회로실험 11주차 결과레포트

  앞선 실험과 같이 M3는 두 개의 트랜지스터를 병렬로 연결한 구조이다. ... W/L의 비율이 기준 소자의 2배가 되기 때문에, VGS가 공통인 상황에서 saturation mode라면 기준전류의 2배가 흐를 것이라 예상했다. ... M2 드레인 전류의 경우, M2가 triode mode가 되는 낮은 VDD2값을 제외하면, saturation 영역에서는 M1 드레인 전류와 거의 동일했다.

  리포트 | 33페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.04.18

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  3주차 결과 보고서 3장 키르히호프 법칙

  병렬 구조 이므로 전압은 같지만 저항값이 다르다. ... .b) 전류계의 측정범위를 10mAdc에 맞추고 스위치 S1을 닫고 저항 R1을 흐르는 전류 IR1을 측정한다.4.962mA8.a) A, D 사이의 전류계를 제거하고 B와 E사이에 ... 그 전류계를 극성에 맞추어 연결한 다음 저항 R2에 흐르는 전류 IR2를 측정한다.3.297mA9.b) 전류계의 측정범위를 1Adc에 놓고 S1을 닫고 LP1에 흐르는 전류를 측정한다

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.03.14

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  9. Feedback Amplifier 설계 예비보고서 - [2021년도 전자회로설계실습 A+ 자료]

  따라서 출력 전류I _{O} = {V _{f}} over {R _{1}} SIMEQ {V _{s}} over {R _{1}}에서I` _{`O``} `에150`mA,V` _{s} `에 ... 입력이 전압이고 출력도 전압인 Series-Shunt 구조의 피드백 증폭기와 입력이 전압이고 출력은 전류인 Series-Series 구조의 피드백 증폭기를 설계하고 실험한다.2. ... 출력은 Shunt 구조이므로 OP amp의 Gain이 충분히 크다 하면 입력 임피던스는INF이고, 출력 임피던스는 0에 가까운 값이 된다.

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.15 | 수정일 2022.03.21

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  다이오드 특성 (직병렬 회로) 결과레포트

  실험 제목: 다이오드 특성 / 직렬 및 병렬 다이오드 구조요약문이번 실험은 다이오드 중 si다이오드를 이용하여 다이오드의 특성을 알아보는 것과 직렬 및 병렬의 다이오드 회로를 구성하여 ... (mA)0.20.532.65k10.6150.615k50.70.14k100.7460.0746k2. =1/slop== 9mA일 때의 AC저항은 특성곡선 표를 이용하여 값을 확인할 수 있다 ... .=1/slop= 식을 이용하여 일 때의 AC저항을 구하면 26mV/9mA=2.8을 계산 할 수 있다.느낀점: 다이오드 특성 실험은 다이오드 회로를 배우고 설계하고 구성하기 전에 다이오드의

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.05.01

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  23-1 화학반응공학 설계 보고서

  of Bacillus flavum MA-3. ... 또한 Fumarase는 이러한 균주들의 시퀀스, 구조 및 효소 활성 측면에서 보존되는 단백질로서 균주 안에 많은 효소를 갖고 있다고 할 수 있다. ... carry out this task.4) Describe what sort of safety issue(s) should be seriously taken into account.5

  리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.01.17

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  A+ 전자회로설계실습_피드백 증폭기 (Feedback Amplifier)

  출력 전류가 60 mA 정도에서 85.7 mA 가까이 증가하였음을 simulation을 통해 관찰할 수 있었다. ... 입력이 전압이고 출력도 전압인 Series-Shunt 구조의 피드백 증폭기와 입력이 전압이고 출력은 전류인 Series-Series 구조의 피드백 증폭기를 설계하고 실험한다.설계실습 ... 따라서 전류는 이다.LED의 Data sheet에 따르면 LED의 최대전류가 150mA임을 알 수 있다. 에서 과 의 범위를 계산하면, 이다.회로 설계시 으로 설계하였다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.08.21

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  [알기쉬운 기초 전기 전자 실험 (문운당)] 02. 테스터기_사용법 예비보고서 (A+)

  예로서 2.5[mA] 범위에서 2.,5[mA]의 전류를 흘리는 경우의 전압과 전류 배분은 [그림 2-3 (b)]와 같고 2.5[mA] 범위에서 측정전류를 0.5~2.5[mA]까지 0.5씩 ... 이는 위의 전기량을 각각 넓은 범위에 걸쳐서 간단한 선택 스위치(select switch)로 손쉽게 측정할 수 있으므로 가장 기본적이고도 실용적인 계측기이다.따라서 전압(volt), ... 세라믹 커패시터(ceramic capacitors) : 세라믹 유전체는 이산화 티타니움(Titanium Dioxide) 혹은 여러 종류의 규산염(Silicates)을 사용해서 [그림

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.12.31

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  전자전기컴퓨터설계1 결과보고서 7주차

  2.199mA가 측정되었다.[1-2] 오차율을 구하고 오차 원인을 분석한다.Va실험값Va이론값오차율-7.60V-7.99V4.88%Ia실험값Ia이론값오차율3.16mA-2.20mA43.64% ... 적분기와는 반대로 궤환 임피던스에 저항을 사용하고, 주어진 전압의 미분값에 비례하는 전압을 얻는 것을 목적으로 한다.미분기의 구조와 특징· 반전입력 단자에 대하여 Kirchhoff's ... R(f)C(s)는 미분시간상수, 미분기 이 득이다.1-4 적분기적분기란 op=amp의 계산 회로의 하나로, 주어진 전압의 적분값을 출력하는 것을 말한다.적분기의 구조와 특징· 반전입력

  리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.03.16

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  서강대학교 22년도 전자회로실험 5주차 결과레포트 (A+자료)

  이론- 바이폴라 트랜지스터바이폴라 트랜지스터는 두개의 pn 접합이 연결된 구조로, 세개의 단자 베이스, 이미터, 콜렉터가 있다.바이폴라 트랜지스터의 전압-전류 특성의 위의 사진과 같다 ... 오차는 small signal의 scale이 커질수록 증가할 것이다. ... siganl model을 이용해 계산한 전압이득은 (-)부호를 가지고 있다.

  리포트 | 32페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.03.24

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  실험 12_소오스 팔로워 예비 보고서

  )R _{S}값(측정)V _{D} 전압V _{G} 전압V _{S} 전압I _{D} 전류동작 영역900OMEGA -12V6V3.903V4.337mA포화950OMEGA -12V6V3.912V4.118mA포화1kOMEGA ... -12V6V3.921V3.921mA포화2kOMEGA -12V6V4.02V2.01mA포화2.5kOMEGA -12V6V4.046V1.618mA포화2.v _{sig} 값을 0V, 전압을 ... 이번에는 나머지 기본 증폭기 구조인 공통 게이트 증폭기에 대한 실험을 진행한다. 공통 게이트 증폭기는 입력 임피던스가 작아 전류를 잘 받아들이는 특성이 있다.

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.01.25

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  서강대학교 22년도 전자회로실험 3주차 결과레포트 (A+자료)

  복합적으로 연결된 다이오드와 저항이, 좌우대칭구조이기에, VR1에 흐르는 전류는 거의 0에 가까워야 하는데, 이론값과 측정값 모두 μA단위의 미세한 전류가 흘렀다. ... 위의 그림처럼, 순방향일 때는 다이오드를 턴온전압만큼의 voltage source로 해석하고, 역방향인 경우, 전류가 흐르지 않는 open circuit으로 해석하는 것이다.소신호 ... 전류-전압 특성이 발생하는 소자이다.위의 그림처럼, 다이오드 양단에 순방향 바이어스가 주어질 경우, 전류-전압은 exponential 관계를 갖게 되지만, 역방향 바이어스가 걸린다면, saturation

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.03.24

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  전자공학실험 20장 차동 증폭기 기초 실험 A+ 예비보고서

  이러한 구성이 기본적인 MOSFET 차동 쌍 구조로서 [그림 20-3]에 나타낸 회로와 같다.MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하기 위해 우선 필요한 것은 각각의 MOSFET이 허용할 ... [표 20-2] 입력 공통 모드 전압 범위를 구하기 위한 측정M3의 게이트 전압 (Vbias)ISS 전류RD 값입력의공통 모드 전압출력의공통 모드 전압1.9351V1.1892mA4.451kΩ2V3.3534V1.9351V1.3515mA4.451kΩ2.5V2.9845V1.9351V1.3552mA4.451kΩ3.5V2.9845V1.9351V1.3551mA4.451kΩ4V2.9845V ... [표 20-4] VCS 전압의 변화에 따른 ICC 전류원의 측정 결과VCS 전압ISS 전류1V01.73V1.12uA2.5V228uA3V386.8uA4V707.3uA5V1.03mA6V1.355mA

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.05.13

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  신재생에너지발전설비기사 필기 핵심 요약집

  정산에 관한 업무 공급인증서 관련 정보의 제공 그 밖에 공급인증서의 발급 및 거래에 딸린 업무 태양광발전시스템 직류용 커넥터 - 안전 요구사항 및 시험 잠금 장치 or 스냅인(snap-in ... ] 이하이면 그 전로의 절연성능은 적합한 것으로 본다. (유사출제) 누설전류시험 품질기준은 누설전류가 5[mA] 이하이어야 함 ... 2 차측 전압 60 볼트 이하의 것으로 한정한다)의 설치공사 (X)* 2 차측 전압 36 볼트 이하의 것으로 한정한다 (O)※ 서로 다른 전압의 꽂음접속기는 서로 접속되지 아니한 구조의

  시험자료 | 24페이지 | 12,000원 | 등록일 2023.09.17 | 수정일 2024.06.26

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  실험 13_공통 게이트 증폭기 결과보고서

  -5.63V6.09V4.53V0.256mA포화23.3kOMEGA -6.04V6.09V4.53V0.257mA포화25k일 때 회로도23k일 때 회로도2.v _{sig} 값을 0V,V ... 이번에는 나머지 기본 증폭기 구조인 공통 게이트 증폭기에 대한 실험을 진행한다. 공통 게이트 증폭기는 입력 임피던스가 작아 전류를 잘 받아들이는 특성이 있다. ... -4.65V6.09V4.51V0.247mA포화40kOMEGA -4.42V6.09V4.39V0.191mA포화20kOMEGA -6.87V6.09V4.53V0.259mA포화25kOMEGA

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.01.31

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  JFET 보고서

  이것 외에는 거의 동일한 구조라고 볼 수 있다.3. ... `or`12mA4) ID의 값을 구했으면 VGS값도 구할 수 있다.V _{GS} =-I _{D} TIMES R _{S} =-0.003A TIMES 500 OMEGA =-1.5V5) ... →Q점은 ID = 3mA, VG의 값을 구했으면 VGS값도 구할 수 있다.V _{GS} =-I _{D} TIMES R _{S} =-0.003A TIMES 500 OMEGA =-1.5V5

  리포트 | 15페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.05.29

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  전자회로설계실습 실습5(BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로) 결과보고서

  수치를 포함하여 요약한다.이번 설계실습에서는 주로 BJT와 MOSFET의 작동원리와 회로구조 등에 대하여 배울 수 있었으며I _{E} =I _{B} +I _{C}가 성립하는지 알아보았고 ... ,beta =I _{C} /I _{B}는 saturation영역에서 10정도로 작은 것을 확인 할 수 있었다. ... (D) 5V와 스위치 대신에 1HZ, 5Vdc square pulse 출력의 function generator를 연결하고 LED의 anode와 접지 사이에 걸리는 전압파형과 function

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.07 | 수정일 2020.09.15

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