"ZnO" 검색결과 421-440 / 1,178건

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  아연·구리합금의 제조

  변하는 이유도금된 구리를 세척 후 가열을 하게 되면, 구리의 겉면에 있는ZnO가 용융을 하면서Cu와 결합을 하게 된다. ... _{2} +H _{2}#Na _{2} ZnO _{2} +Cu -> CuZnO+Na _{2} OZnO 가Cu와 전기적 결합을 하였다.Cu가 금속의 형태를 가졌다. ... 이렇게 전기적으로 결합을 하게 된ZnO가 은색을 띄어서 구리의 겉면이 은색으로 도금됨을 확인 할 수 있는 것이다.(3)은색으로 변한 구리를 세척한 후 다시 가열시, 구리가 금색으로

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.11.30

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  아연의 특성과 합금

  배소 침출 전해 SO₂ 전기분해 시 반응 : 2ZnSO 4 + 2H 2 O → 2Zn + 2H 2 SO 4 + O 2 2ZnO + C → 2Zn + CO 2 또는 2ZnO + 2CO ... 를 묽은 황산에 녹인 후 , 이 용액을 전기분해하여 알루미늄 전극 (-) 위에 아연을 석출 아연광석 ( ZnS ) 산화아연 (ZnO) 황산아연 ( ZnSO ₄) 순수아연 (Zn) ... 낮기 때문에 상온가공이 가능아연의 제련공정 습식야금법 ( 전해채취법 ) 전처리 한 불순물이 섞인 광석을 용매에 녹여 정제한 다음 , 그 용액을 전해하여 음극에서 금속을 얻는 방법 ZnO

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.10.23 | 수정일 2022.03.17

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  주철용해분진으로부터 2N이상의 고순도아연 회수

  아연은 공기 중에서 태우면 밝은 청록색 불꽃을 내면서 타서 ZnO가 되며, 황, 인, 할로겐 등과도 가열하면 반응한다. ... (가) 침출공정의 반응ZnO+2NH _{4} Cl _{2} ` -> Zn(NH _{3} ) _{2} Cl _{2} +H _{2} O (Ⅰ.7)Ⅰ.3.나.(1). ... Waelz법은 가장 많이 사용되는 방법이며, 분진을 코크스와 혼합하여 로타리 킬른 내에서 환원하여 조산화아연(ZnO;Zincoxide)을 회수한 후,낮은 농도로 함유된 Zn과 Pb의

  리포트 | 37페이지 | 3,000원 | 등록일 2018.12.22

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  ZnSO4·7H2O 합성과 이온화경향

  아연화 ( 亞鉛華 ) ZnO ( 또는 아연 ) 에 황산 H 2 SO 4 를 작용시키면 ZnO ＋ H 2 SO 4 → ZnSO 4 ＋ H 2 O 와 같은 반응에 의하여 얻는다 .2 황산아연의 ... 실험 목적 및 원리 아연으로부터 황산아연을 제소하는 방법에는 아연과 황산염의 반응 또는 ZnS 의 산화에 의하거나 Zn, ZnO 를 황산에 반응시켜 얻는다 . ... ZnS + 2O 2 → ZnSO 2 Zn + CuSO4· 5H 2 O + xH2O→ Cu/ + ZnSO 4 · 7H 2 O + 5H 2 O ( 우리실험 ) ZnO + H 2 SO 4

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.11.13

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  투명전극 전기적 특성 평가

  는 ITO ZnO와 비교하였을 때 내산, 내염기 및 기계적 성질이 우수하며 값이 싼 원료를 사용하기 때문에 이를 투명전극으로 적용하기 위한 연구개발이 활발하게 이루어지고 있다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.06.30

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  Growth of a single crystal 1 dimentional metal oxide.

  분자량 Zn:65.38, O:16.0m ZnO:81.38, 밀도는 5.78 , 유전상수 8.54를 가진다.: Zn : O: Ga : N: Al : Oa) ZnO의 구조b) GaN의 ... 다 결정 ZnO의 경우 열팽창 계수는 로 비교적 낮은 값을 가진다.3) 광학적 특성순수한 ZnO은 상온에서 3.2~3.4eV 정도의 Band Gap을 가지고 있으며, 불순물 첨가에 ... ZnO으로 광소자가 만들어지게 되면 현재보다 고효율이 되고 도핑에 따라 색을 조절 할 수 있기 때문에 기대되고 있다.4) 전기적 특성ZnO는 상온에서 비저항이 이며, 결정성장 조건에

  리포트 | 11페이지 | 4,500원 | 등록일 2013.06.05 | 수정일 2015.05.11

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  화공 양론 탈황반응 설계

  이는 ZnO 함량이 낮은 경우 지지체와의 상호작용이 커지면서 ZnO와 지지체와의 결합에 의해 활성 ZnO의 함량이 감소하기때문인 것으로 추정된다.? ... 이에 비해 ZnO함량이 37.2, 41.9%인 탈황제 A, B의 황흡수능은 각각 3.1, 5.3wt%, ZnO이용율은 각각 21, 32%로 탈황제 C에 비해 훨씬 낮은 ZnO 이용율을 ... 탈황제 황흡수능ZnO함량이 46.5%인 탈황제 C의 황흡수능은 약 10.4wt%로 ZnO 이용율은 약 57%였다.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.06.06 | 수정일 2017.06.20

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  염료감응 태양전지 예비보고서

  TiO2-전해질 계면에서 전자의 재결합을 방지하기 위한 에너지 장벽의 역할을 하는 Nb2O5, ZnO, Al2O3 등의 금속 화합물을 코팅하는 방법이 있는데, 이는 재결합 및 재결합

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.10.21

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  반도체 디스플레이 공학 - MOCVD 공정 표현

  이러한 넓은 에너지 밴드갭 특성 이외에도, ZnO는 GaN나 ZnSe가 가지는 exciton 결합에너지 보다 높은 에너지를 가지고 있어서 상온에서 exciton이 발광을 위한 재결합이 ... 그리고 ZnO 박막은 H2 gas나 H2 플라즈마 환경에서 환원되지 않는 우수한 화학적 안정성을 가지고 있으며 특히 우수한 압전효과 때문에 “energy harvest” 재료로써 최근 ... 나노선 소재 물질로 활발하게 연구되는 물질이다.MOCVD법은 박막이 형성되는 방식은 Zn precursor와 산소원자를 포함하는 반응물질이 기판위로 공급되어 ZnO 결정핵을 생성하고

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.08.14

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  DSSC 효율증대 방안

  DSSC 효율증대 관련 연구 현황염료감응 태양전지효율 향상 방안 연구 trend내 용비 고- 비표면적이 큰 반도체 소재 사용(ZnO, SnO2등)-ZnO 는 TiO2 에 비해 빠른 ... 하지만, 현재 효율이 0.4~5.8% 수준임.- 광전극 표면처리를 통한 불순물 제거-코어쉘을 통한 ZnO, Al2O3, SiO2, Nb2O5, WO3, MgO, SrTiO3, CaCO3 ... 등이 가능한데, 낮은 전자친화도, 높은 등전위점, 낮은 전도대 준위 등을 고려할 때, 이 중 ZnO 가 가장 유망.- 광전극 다공성 박막등을 통한 전자전도도, 흡착도 향상-TiO2의

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.02 | 수정일 2014.11.13

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  황화수소 탈황반응 설계

  연구결과로 ZnO 입자 크기의 변화에 따른 영향을 알아보기 위하여 입자크기를 구분하여 반응 실험한 것을 표 및 그래프로 나타낸 것이다.sorbentsmeshdiameter(㎛)ZnO14 ... 실질적으로 필요한 ZnO의 양은 1393422.10kg이고 비용은 20억 5천만원 정도입니다. ... 그래서 처음 가정한 ZnO의 재생 횟수를 50회에서 25회로 줄여주는 것만으로도 에너지 소비를 최소화 할 수 있다.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.06.06 | 수정일 2017.06.20

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  비양론적 고체

  이온의 농도는 거의 변하지 않음 ([O 0 ] ≈1) 전자구멍의 농도는 양이온 빈자리의 두배 2[V’’ CO ]=[h] 질량 작용의 법칙과 평형상수를 적용한 비양 론적 조성의 양 ZnO

  시험자료 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.09.18 | 수정일 2018.03.07

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  황화수소 제거반응 설계

  또한 주어진 흡착량인 0.1mgH_2 S/g ZnO를 이용하면H_2 S 399.98mol을 흡착하기 위해서는 약13.6times10^4 kg의 ZnO가 필요하다는 것을 알 수 있다. ... 따라서 지지체로 황토를 사용할 경우, 보다 효율적이고 경제적이라고 판단할 수 있다.2.2 ZnO 지지체로 알루미늄 산화물 사용ZnO를 단독으로H_2 S와 반응시켰을 때 반응초기에는 ... 너무 많은 양의 ZnO가 필요하다고 판단되어H_2 S의 흡착량을 증가시킬 수 있는 방안을 찾아보았다.

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.06.06 | 수정일 2017.06.20

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  Properties of Aluminum Doped Zinc Oxide Thin Film Prepared by Sol-gel Process

  한국재료학회 Yi, Sung-Hak, Kim, Jin-Yeol, Jung, Woo-Gwang

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  AFM으로 표면거칠기 측정 레포트

  surface profilometer를 이용하여 시료의 표면 평균거칠기를 구해보고 이해를 한다.2.the processmaterial : 표준물질, 반사시트, 표면처리된 sample(ZnO ... 그리고 표3을 보면 표준 sample이 3차원 적으로 나와 있는데 평평한 판에 구멍이 일정하게 존재하는 모형을 나타내고 있는 것을 확인 할 수 있다.zno로 표면처리된 sample의 ... 표면처리된 sample은 zno가 표면에 골고루 표면처리가 되었다고 확인 이되었으며, 반사시트는 어느부분은 높고 어느 부분은 낮은 표면이 매끄럽지 않고 울퉁불퉁하다고 관찰 되었다.

  리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.05.20 | 수정일 2022.08.19

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  촉매공학

  밝힘으로써 반응 기구 해석.산업적 측면에서의 고려 요소활성, 선택성, 수명각종 공정 조건과 피독 등공업 비균질 촉매들 (Tab)합성 가스메탄올 합성: CO + H2 CH3OH (Cu/ZnO ... 영향을 줄 수 있다.가장 안정하다고 해서 촉매 반응에서 먼저 생성되는 것은 아니며 선택적 흡착에 의해 선택성이 결정되는 경우가 많다.Ex) CO + H2 CH3OH의 반응에서, Cu/ZnO

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.07.16

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  고분자 가공 발표 PPT (Polymeric Materials and Processing)

  Adipates ex) DOA, DIBA, DBEA, etc- 7 - 04 Filler Reinforcements Fillers Reinforcements - 비용 절감 - TiO 2 , ZnO

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.11.21

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  Grain refinement of Mg-Al alloys inoculated by MgAl2O4 powder 내용요약문

  결정립 미세화를 위한 금속 산화물이 흥미 를 끌었는데, melt 안에서 산화물이 α-Mg의 핵생성 기질이 될 수 있고 Zn, Ca solute가 결정립 성장을 막아 주기 때문에 ZnO와

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2024.08.07

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  [발광디스플레이 과제] 2단원 요약 정리 (Phosphor Quantum Dots, Qdots)

  solar cell에 유용- 다양한 hybrid 고분자 solar cells : CdSe, TiO, ZnO, PbS, 것이다. ... 그 물질들은 낮은 exciton binding energy를 가진 물질이다.II-VIQdotsBandgap특성ZnO3.37eV,direct- 60meV exciton binding ... 화학적 방법2.7.2.2 물리적 방법2.8 광학적 성질과 응용2.8.1 II-VI Qdots2.8.1.1 Zno Qdots2.8.1.2 ZnS Qdots2.8.1.3 ZnSe Qdots2.8.1.4

  리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.12.31

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  산화물 반도체 나노구조의 성장 및 광전소자 응용

  ZnO의 집적화가 있으며 이는 MeO 나노 구조 전체의 이슈이기도 하다.MeO 나노구조의 성장법을 알아보면, 기상 성장법(VLS)와 액상 성장법(VS)가 있다. ... 있으며 NT 기술을 활용한 녹색성장 융합기술 기반 기술, MeO 나노 구조의 용이한 제조 및 다양한 응용 그리고 특성 제어 및 선택적 성장, 계면특성 제어에 주로 관심을 갖고 있다.ZnO ... 나노구조의 응용에 있어 중요한 이슈는 ZnO의 구조 조절, 원하는 지역에 선택적 배열 또는 성장, 전기적 광학적 특성의 향상, 디바이스 효율 향상을 위한 defects 조절, 디바이스에서

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.10.12

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